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#극자외선

일반뉴스 삼성전자, EUV 공정 적용한 14나노 DDR5 D램 양산 돌입

헬로티 조상록 기자 | 삼성전자가 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다. 삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있으며, 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다. 삼성전자는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다. 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 또한, 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이
- 조상록 기자
- 2021-10-12 19:22
일반뉴스 SK, '25년까지 첨단소재에 5조원 투자…구체적인 투자 분야는?

헬로티 조상록 기자 | SK그룹의 투자 전문 지주사인 SK와 자회사들이 2025년까지 차세대 배터리 등 첨단소재 사업에 총 5조1,000억원을 투자한다. SK는 9월 15일 기관투자자와 애널리스트를 대상으로 기업설명회를 열고 '첨단소재 사업의 중장기 성장전략'을 발표했다. SK는 "기존 사업과의 시너지 및 선제적 투자를 통해 미래 핵심 소재 선점을 추진 중"이라며 "고부가, 고성장 신규 영역에 대한 적극적인 투자, 글로벌 협업, 인수·합병을 통해 글로벌 소재 기업으로 도약하겠다"고 말했다. SK는 투자 지분 가치를 올해 7조원에서 2025년 25조원이상으로, 상각 전 영업이익(EBITDA)을 1조1,000억원에서 3조4,000억원으로 확대한다는 목표를 세웠다. SK와 자회사는 반도체 소재 사업에 2조7,000억원, 화합물 배터리 소재에 1조원, 차세대 배터리 소재에 1조4,000억원을 투자한다. SK가 지분을 보유 중인 글로벌 1위 동박 제조사인 왓슨도 1조원을 자체적으로 투자한다. SK는 실리콘 웨이퍼의 생산량을 증대하고, EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 포토 등의 핵심 소재 국산화를 추진할 계획이다. 차세대 양극재를 연 5만t을
- 조상록 기자
- 2021-09-15 19:19
일반뉴스 'EUV 미세공정 적용' 10나노급 4세대 양산하는 SK하이닉스

헬로티 서재창 기자 | SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램 양산에 돌입했다. SK하이닉스는 이달 초부터 차세대 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 8Gbit LPDDR4 양산을 시작했다고 12일 밝혔다. LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다. 반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)를 잇는 4세대 기술이다. 앞서 미국의 마이크론도 지난달 4세대 D램인 1α기반(1a와 동일)의 LPDDR4x 양산에 들어갔다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스 관계자는 "플래그십 스마트폰 시장에서 LPDDR5 모바일 D램의 채용이 시작됐지만 아직 스마트폰의 주 채용 제품은 LPDDR4"라며, "이에 LPDDR4를 1a 첫 제품으로 양산하게 됐다"고 말했다. SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급할 예정이다. 이 제품은 D램 가운데 극자외선(EUV) 공정 기술이 처음 적용됐다. 앞서 SK하이닉
- 서재창 기자
- 2021-07-12 09:42
일반뉴스 미세공정 한계의 열쇠, ‘반도체 EUV 기술 글로벌 컨퍼런스’ 6월 19일 개최

[첨단 헬로티] 반도체 미세공정 한계를 극복할 수 있는 기술로 평가받는 ‘극자외선(EUV:Extreme Ultra Violet)’에 대한 이해도가 한 단계 높아질 전망이다. 한국반도체연구조합은 오는 6월 19일, 서울 양재동 엘타워 7층에서 ‘반도체 EUV 기술 글로벌 컨퍼런스’를 개최한다고 밝혔다. 이번 컨퍼런스에서는 삼성전자와 SK하이닉스 등 EUV 생태계에 속한 국내외 다양한 소자 장비 재료 회사가 참가한다. 또, 멘토 지멘스 비즈니스, KLA, 에드워드, JSR-EM, 칼자이스 SMT, 인테그리스 등에서는 본사에서 전문가가 참석해 최신 기술 동향을 공유하고, 국내 기업인 에프에스티와 에스앤에스텍도 현재 개발 중인 EUV 기술을 알릴 방침이다. 컨퍼런스에서는 6월 10일(현지시간)부터 13일까지 미국 캘리포니아에서 열리는 ‘2019 EUVL 워크숍(euvlitho.com)’의 주요 발표를 되짚는 리뷰 세션도 마련됐다. EUV는 포토 리소그래피(Photo Lithography)라 부르는 노광(露光) 공정에 사용된다. 노광은 웨이퍼에 빛을 쬐여 회로 패턴을 그리는 공정이다. EUV는 빛 파장이
- 김동원 기자
- 2019-05-30 08:45

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