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KAIST, D램-플래시 융합메모리 개발

  • 등록 2016.09.22 07:48:34
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▲ 고성능 융합메모리에 대한 요약 모식도

 

[헬로티]

한국과학기술연구원(KAIST)은 나노선의 5단 수직 적층 기술을 통해 D램과 플래시 메모리 동작이 동시에 가능한 융합메모리 반도체 소자를 개발했다.

 

이번 개발에 성공한 연구팀(전기 및 전자공학부 최양규 교수와 이병현 박사과정)은 빠른 속도를 지원하는 D램과 전력소모가 적은 플래시 메모리의 기능이 하나의 트랜지스터 안에서 동시에 동작하는 전면-게이트 실리콘 나노선 구조 기반의 융합 메모리 소자 개발을 위한 연구를 진행했다.
 
연구팀은 트랜지스터의 소형화로 인한 메모리 소자의 성능이 저하되는 문제 해결을 위해 전면-게이트 실리콘 나노선을 수직으로 5단까지 쌓았다. 이러한 5단 수직 집적 실리콘 나노선 채널을 보유한 융합 메모리소자는 단일 나노선 기반의 메모리 소자와 대비해 5배의 향상된 성능을 보였다.
 
이 연구를 통해 시스템 레벨에서 칩 사이즈의 소형화 및 전력 효율의 개선, 패키징 공정 단순화를 통한 제작비용 절감 등이 가능하다. 시스템 안에서 칩 간의 간섭효과를 줄여줌으로써 시스템 전체 속도 향상에도 기여가 가능해 융합 메모리의 실효성이 높아질 것으로 기대된다.
 
또한 수직 집적 나노선 구조는 말 그대로 위쪽으로 채널이 쌓여있기 때문에 단일 구조와 달리 면적이 증가되지 않아 집적도 향상에도 기여할 수 있다.

 

최양규 교수는 “메모리 반도체의 제작 공정과 성능의 개선 및 높은 실효성이 기대된다”며, “메모리 반도체의 소형화를 계속 이어나갈 것으로 예상한다”고 말했다.

 

한편, 이번 연구는 미래창조과학부 글로벌프론티어사업 스마트IT융합시스템 연구단과 미래유망융합파이오니아 사업의 씨모스(CMOS) THz 기술 융합 연구단의 지원을 받아 수행됐다.

 

김지환 기자 (ueghqwe@hellot.net)






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