인핸스먼트-모드 질화갈륨 파워 트랜지스터 패키지는 8x8 듀얼-플랫 노-리드(DFN) 표면-실장 패키지로 캡슐화된 제품으로 패키지를 통상적으로 장착이 어려운 작은 영역에 장착하는 것이 가능하며 산업 및 가전기기의 전력소비 절감에 기여한다.
트랜지스터의 절연파괴전압은 인핸스먼트 모드에서 600V이고 제품은 200V/ns의 고속 스위칭과 54내지 154mΩ의 낮은 온-저항을 달성했다.
김혜숙 기자 (atided@hellot.net)
인핸스먼트-모드 질화갈륨 파워 트랜지스터 패키지는 8x8 듀얼-플랫 노-리드(DFN) 표면-실장 패키지로 캡슐화된 제품으로 패키지를 통상적으로 장착이 어려운 작은 영역에 장착하는 것이 가능하며 산업 및 가전기기의 전력소비 절감에 기여한다.
트랜지스터의 절연파괴전압은 인핸스먼트 모드에서 600V이고 제품은 200V/ns의 고속 스위칭과 54내지 154mΩ의 낮은 온-저항을 달성했다.
김혜숙 기자 (atided@hellot.net)