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80V 하프 브리지 GaN FET 모듈

  • 등록 2015.04.29 16:44:08
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TI의 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN) FET 전력단 프로토타입은 하프 브리지 방식으로 하나의 고주파수 드라이버와 2개의 GaN FET로 구성되어 있으며, 설계가 간편한 QFN(Quad Flat No-leads) 패키지로 제공된다. 이 전력단(LMG5200)은 실리콘 기반 설계보다 25% 적은 전력 손실로 단일 단 변환을 구현할 수 있으며, 게이트-드라이브 루프에서 최저 패키징 기생 인덕턴스 실현으로 전력단 효율 및 dV/dt 내성을 향상시켜 EMI를 감소시킨다.



텍사스 인스트루먼트☎ (080)551-2800
www.ti.com/ww/kr






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