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TI, 80V 하프 브리지 GaN FET 모듈 출시

  • 등록 2015.03.17 15:03:24
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TI가 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN) FET(Field-Effect Transistor) 전력단 프로토타입을 출시했다고 밝혔다. 새롭게 선보인 전력단은 하프 브리지 방식으로 하나의 고주파수 드라이버와 2개의 GaN FET로 구성돼 있으며, 설계가 간편한 QFN(Quad Flat No-leads) 패키지로 제공된다.

새로운 LMG5200 GaN FET 전력단은 설계 공간이 제한적인 고주파 산업 및 통신 애플리케이션에 한층 증가된 전력 밀도와 효율을 제공하는 차세대 GaN 전력 변환 솔루션 채택을 가속화할 것으로 전망된다.

TI의 고전압 전원 솔루션 사업부 부사장 스티브 램부스(Steve Lambouses)는 “GaN 기반 전원 설계의 가장 큰 걸림돌 중 하나가 GaN FET 구동과 그와 관련된 불확실성, 그에 따른 패키징 및 설계 레이아웃으로 인한 기생 성분이었다”고 말하며, “TI는 설계가 용이한 첨단 패키징으로 최적화된 통합 모듈, 드라이버, 고주파수 컨트롤러의 완벽하고 신뢰할 수 있는 전력 변환 에코 시스템을 제공함으로써 전원 설계자가 GaN 기술의 잠재성을 실현할 수 있도록 했다”고 전했다.

 






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