오토메이션월드-대한민국 1등 산업매거진 '자동화기술'

기술자료 SK하이닉스, 여러 D램 연결한 최고 사양 D램 'HBM3' 개발 성공

헬로티 조상록 기자 | SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM3’를 개발했다고 10월 20일 밝혔다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다. HBM은 1세대(HBM) - 2세대(HBM2) - 3세대(HBM2E) 순으로 개발되어 왔다. SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E(2세대 HBM에서 일부 성능을 개선한 확장 버전) D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하며 이 시장의 주도권을 확고히 했다. SK하이닉스 관계자는 “이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다”고 강조했다. 속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다. 이와 함께 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error

조상록 기자

2021-10-20 16:16

일반뉴스 아베니, 12:1 비율에서 완벽한 전기적 수율 달성

[첨단 헬로티] 아베니는 CEA-Leti가 아베니의 레아(RheaTM) 구리 시드(copper seed)를 사용하여 전례 없이 높은 12:1의 가로세로비율로 3D 실리콘 관통 전극(through silicon via, TSV) 제작에 성공하고 100%의 전기적 수율(electrical yield)을 달성했다고 밝혔다. 이번 연구에는 높이 120µm x 직경10µm인 12:1의 TSV가 사용됐다. 아베니의 프레드릭 라이날(Frédéric Raynal) 최고기술책임자(CTO)는 “아베니의 일렉트로그래프트(Electrografted) 습식 금속 증착 기술은 이번 연구에 사용한 레아 구리 시드 같이 월등한 품질의 컨포멀 금속층을 만들 수 있다. 이번 연구는 CEA-Leti가 IRT 나노일렉 3D 프로그램(IRT Nanoelec 3D Program)의 일환으로 진행되었다. 이번에 시험한 TSV의 경우, 실제 측정된 전기적 결과값이 이론적인 수율과 매우 높은 상관성을 나타냈다. 이는 매우 만족스러운 결과다”라고 말했다. TSV는 고밀도의 전기적 커넥션을 만들기 위해 여러 개의 레이어(적층된 칩들)를 수

정가현 기자

2018-02-08 17:38