일반뉴스 ST, 안정된 전원공급장치 구현하는 MasterGaN 패키지 출시

헬로티 서재창 기자 | ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 고효율 와이드 밴드갭 기술로 보다 간편하게 이행하도록 최대 45W 및 150W 애플리케이션을 각각 지원하는 MasterGaN3 및 MasterGaN5 통합 전력 패키지를 출시했다. 65~400W 애플리케이션을 대상으로 하는 MasterGaN1, MasterGaN2, MasterGaN4에 이어 새롭게 추가된 이번 디바이스들은 스위칭 모드 전원공급장치, 충전기, 어댑터, 고전압 PFC(Power-Factor Correction), DC/DC 컨버터 설계 시 최적의 GaN 디바이스와 드라이버 솔루션을 선택하도록 유연성을 추가로 제공한다. ST의 MasterGaN 개념은 일반 실리콘 MOSFET에서 GaN 와이드 밴드갭 전력 기술로 간편하게 이행하게 해준다. 이 디바이스는 최적화된 고전압 게이트 드라이버와 관련된 안전 및 보호 회로, 그리고 두 개의 650V 전력 트랜지스터를 통합해 게이트 드라이버와 회로 레이아웃 설계 문제를 해결한다. 더 높은 스위칭 주파수를 제공하는 GaN 트랜지스터를 결합한 이 통합 디바이스는 실리콘 기반 설계에 비해 최대 80% 작으면서도 매우 견고하고 안정적인 전원공급장치를 구현

• 서재창 기자
• 2021-08-30 09:47