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기술자료 “반도체도 1+1 박막 앞뒷면 모두 반도체 만들어내는 기술 나와”

헬로티 김진희 기자 | 반도체 메모리의 용량이 1년마다 두 배씩 증가한다는 ‘황의 법칙’, 반도체 집적회로의 성능이 2년마다 두 배씩 증가한다는 ‘무어의 법칙’이 있다. 그러나 최근에는 기술 개발의 한계로 반도체 성능을 높이는 데 어려움이 따랐다. 이 가운데 국내 연구팀이 고순도 소재 박막 양면을 모두 반도체 소자로 만들 수 있는 기술을 개발했다. 개발된 기술을 활용하면 반도체 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 포스텍 기계공학과 김석 교수 연구팀은 미국 일리노이대 어바나-샴페인캠퍼스와 버지니아대와의 공동연구를 통해 자체적으로 박리되는 고순도 실리콘 박막을 기판 위에 옮기는 전사 기술을 개발했다. 연구에서 박막, 기판, 그리고 이들이 담긴 용액의 표면 물성을 고려해 조합한 결과, 건조한 상태에서 기판에 강하게 붙어있던 박막이 용액 안에서 자체적으로 떨어져 나갔다. 김석 교수팀은 박막을 앞면이 위로 향하게 기판 위에 전사한 뒤 반도체 공정 후, 용액 안에 넣고 자체 박리된 박막을 뒤집었다. 뒤집힌 박막을 용액에서 꺼내 다시 공정 기판에 뒷면이 위로 향하게 전사함으로써 양면에 반도체 공정을 할 수 있었다. 이 연구성과를 활용하면 실리콘 뿐만 아니라 GaN(질화
- 김진희 기자
- 2022-01-02 18:33
기획특집 [AI Aㅏ는 척] 딥페이크 아는 척해보기

헬로티 함수미 기자 | ‘AI Aㅏ는 척’ 시리즈에서는 AI를 전혀 모르겠다는 독자들에게 어느 정도 아는 척! 은 할 수 있게 필요한 부분만 간단하고 쉽게 설명합니다. 우리 생활 곳곳에 스며든 인공지능, 필요한 부분만 쉽게 알아보는 건 어떨까요? AI Aㅏ는 척 시리즈, 이번에는 ‘딥페이크’에 대해 아는 척 해보고자 합니다. 양날의 검, 딥페이크 ‘딥페이크’ 들어보셨나요? 누군가에게 딥페이크는 범죄에 쓰이는 기술, 혹은 획기적인 기술로 알고 있을 것 같습니다. 같은 기술에 대해 받아들이는 인식이 왜 이렇게 다를까요? 그 이유는 딥페이크 기술이 양날의 검이기 때문입니다. 예를 들어, 칼은 요리할 때 쓰이면 너무나 유용한 도구이지만 누군가를 공격할 때 쓰이면 무서운 도구죠. 이처럼 딥페이크 기술도 좋은 목적으로 활용하면 획기적인 AI 기술이지만, 범죄에 악용하면 그만큼 무서운 기술이 되기 때문입니다. 딥페이크가 그래서 뭔데? 말 그대로 DEEPFAKE는 딥러닝과 페이크의 합성어인데요. AI 핵심기술인 딥러닝을 이용해 특정 사람의 얼굴이나 신체를 합성하고 억양, 목소리까지 따라 할 수 있는 기술입니다. 이 딥페이크 기술은 기존 사진이나 영상을 원본에 겹쳐서 만들어
- 함수미 기자
- 2021-09-16 18:31
일반뉴스 웨이퍼 제조 위해 투자하는 SK실트론 '전기차 정조준'

헬로티 서재창 기자 | SK실트론의 미국 법인이 미국 미시간주에서 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 제조 확대를 위해 3억 달러(약 3천400억 원)를 투자할 계획이라고 로이터 통신이 14일(현지시간) 보도했다. 보도에 따르면 SK실트론은 미국 전기차 생산을 지원하기 위해 공장 부지를 증설하고 인력 150명도 충원할 예정이다. 로이터는 이번 투자 발표가 미국 자동차 제조 기업들이 전기차 생산에 관한 투자를 늘리고 조 바이든 미 행정부가 전기차 보조금과 충전망 확대를 위해 1740억 달러의 자금을 유치하고 상황에서 나왔다며 의미를 부여했다. SiC 웨이퍼를 생산하는 SK실트론 CSS 최고경영자(CEO) 둥젠웨이는 로이터와 인터뷰에서 "향후 3년간 미시간주 인력을 2배 이상 증원하고 미시간주 베이시티에 14만 제곱피트(약 1만3000㎡)의 부지를 증설할 것"이라고 말했다. 이어 그는 "(이번 투자는) 미시간주에 기반을 둔 국내 전기차 공급망을 개발하는 데 도움이 될 것"이라며 , "또 전기차의 충전 속도를 높이는 데도 도움이 될 것"이라고 덧붙였다. 국내 유일의 웨이퍼 제조 기업 SK실트론은 SiC 웨이퍼 사업에 투자를 확대하고 있다. SiC 웨이퍼로 생산하는 Si
- 서재창 기자
- 2021-07-15 09:45
제품 마이크로칩, GaN RF 파워 증폭기 포트폴리오 확장...위성 통신 단말기용 고선형성 Ka 밴드 MMIC 출시

헬로티 김진희 기자 | 위성 통신 시스템은 동영상 및 광대역 데이터 전송에 필요한 매우 높은 데이터 전송 속도를 달성하기 위해 복잡한 변조 방식을 사용한다. 이를 위해서는 높은 RF(무선 주파수) 출력 파워를 제공하는 동시에 신호가 이상적인 특성을 유지하도록 해야 한다. 마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 RF 파워와 신호 충실성(signal fidelity)을 훼손하지 않으면서 이러한 요건을 충족하는 새로운 파워 증폭기 GMICP2731-10 GaN MMIC를 출시했다. 새로 출시된 이 디바이스는 마이크로칩 최초의 GaN(질화갈륨) MMIC(단일마이크로파집적회로)로, 상용 위성 및 방위 위성 통신, 5G 네트워크, 기타 항공우주 및 방위 시스템용으로 설계됐다. GMICP2731-10은 GaN-on-SiC (Silicon Carbide) 기술을 사용해 제작됐다. 27.5~31GHz 범위에서 3.5GHz 대역폭으로 최대 10W의 포화 RF 출력 파워를 제공하는 것이 특징이다. 전력부가효율은 20%, 소신호이득은 22dB, 반사손실은 15dB다. GMICP2731-10은 균형 잡힌 아키텍처를 사용하고 있어 50옴(ohm)에 잘 매칭되며, 설계
- 김진희 기자
- 2021-06-22 14:10
제품 ST, 지능형 및 통합 GaN 솔루션 제품군인 STi2GaN 출시

헬로티 서재창 기자 | ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 ST의 새로운 지능형 및 통합 GaN(Gallium Nitride) 솔루션 제품군인 STi2GaN을 출시했다. STi2GaN은 전기화 플랫폼으로 전환 중인 자동차 산업에 필요한 소형 고성능 솔루션에 전력 및 지능형 기능을 결합한 혁신적이고 독보적인 제품이다. STi2GaN 제품군은 자동차 분야에서 보여준 ST의 리더십과 엄청난 경험 그리고 혁신적 스마트 전력 기술과 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 반도체 소재 및 패키징 전문성을 바탕으로 구현됐다. 이에 따라 GaN 기술의 드라이버 및 보호 기능과 모놀리식 전력단은 물론, 추가 프로세싱 및 제어 회로를 갖춘 애플리케이션별 IC를 지원하는 SiP(System-in-Package) 솔루션을 결합하고 있다. STi2GaN 솔루션은 와이어 본딩이 필요없는 ST의 새로운 패키징 기술을 사용해 뛰어난 견고성과 신뢰성, 성능을 제공한다. 알피오 루쏘(Alfio Russo) ST Low Voltage 및 STI2GaN 솔루션 매크로 사업부 사업본부장 겸 그룹 부사장은 “STi2GaN은 주로 자동차 애플리케이션과 고밀도, 고신뢰성, 고전력 요건을 대상으로 하
- 서재창 기자
- 2021-06-21 09:28
기획특집 TI “전력 밀도를 두 배로 높이고자 한다면 GaN이 유일한 해답”

[헬로티] “효율을 3% 혹은 4% 향상시키는 것은 다른 방법으로도 얼마든지 할 수 있지만 전력 밀도를 두 배로 높이고자 한다면 GaN이 유일한 해답이다” - 마수드 베헤스티(Masoud Beheshti) TI의 제품 매니저 텍사스인스트루먼트(Texas Instruments)는 GaN(질화갈륨 나이트라이드) 기술 개발에 적극적인 기업 중 하나다. 최근 TI는 지난 10년간 GaN 기술 개발에 집중한 결과 최근 GaN 솔루션을 순차적으로 출시하면서 포트폴리오를 확장하고 있다. TI는 GaN-on-silicon(실리콘) 공정으로 제조함으로써 가격 경쟁력을 확보했다. ▲GaN의 이점 TI의 GaN 기술 개발 단계 TI는 2010년 GaN 개발에 본격적으로 뛰어들었고, 2018년 지멘스와 공동으로 GaN를 사용한 10kW 클라우드 지원 그리드 링크를 최초로 시연했다. 이 기술은 당시 2000시간의 신뢰성 테스트를 완료했고, 2020년에는 신뢰성 테스트를 3000시간으로 확대함으로써 GaN 기술을 입증 받았다. 이를 발판으로 현재 TI는 150MΩ, 70MΩ, 50MΩ 등 GaN FET 전력 제품군 포트폴리오를 대
- 이나리 기자
- 2020-07-27 17:24
기획특집 ST가 GaN RF 산업에서 GaN-on-Si를 선택한 이유

[헬로티] 전세계 질화갈륨 나이트라이드(GaN) RF(Radio Frequency) 시장은 무선 인프라 및 방위 등두 가지 애플리케이션을 중심으로 2024년까지 20억 달러에 도달 할 것으로 전망된다 (Yole Développement). GaN RF 산업을 지배하고 있는 GaN-on-SiC(실리콘카바이드)는 4세대 LTE(Long-Term Evolution) 무선 인프라 시장에 자리매김 하고 있고, 5G의 6GHz 이하 구현에서 RRH 아키텍처에 사용될 것으로 예상된다. 최근 5G 서브-6GHz 능동 안테나 및 대규모 다중 입·출력(MIMO) 배치에서 비용000 효율적인 LDMOS를 탑재한 GaN 솔루션을 사용하려는 시도가 있었다. 참고로 LDMOS(Later.ally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 디바이스는 짧은 길이의 전도 채널과 높은 항복전압을 통합해 상업용 및 산업용 시스템을 위한 전력 증폭기뿐 아니라 무선 통신 시스템용으로 기지국에도 필수적인 부품이다. 그러나 이런 방법은 비용면에서 5G의 대규모 출시에는 지속될 수 없다. 따라서 GaN-on-Si는 8인치 웨이퍼 생산을 확장 할 수 있는
- 이나리 기자
- 2020-07-27 17:14
일반뉴스 반도체 기업, GaN 기술 개발 어디까지 왔나?

[헬로티=이나리 기자] 지난 10년 동안 GaN(질화갈륨 나이트라이드) 전력 시장은 대부분 고주파 스위칭을 제공하는 고성능 애플리케이션 시스템에서 주도되고 있었다. 하지만 2019년을 기점으로 GaN 전력 반도체의 상황은 변하고 있다. GaN은 이제 메인스트림 소비자 애플리케이션에 진입하는 단계로 진입한 것이다. 또 5G이 본격적으로 상용화되면서 기지국에 GaN 기반 RF(Radio Frequency) 칩의 사용률도 높아지는 추세다. 이는 반도체 업체들의 GaN 기반 반도체 기술 개발이 뒷받침됐기 때문이다. GaN 관련 최신 반도체 기술에 대해 알아보자. 인피니언, 질화갈륨 나이트라이드 전력 솔루션 양산 시작 인피니언은 2018년 11월부터 GaN 솔루션을 출시하기 시작했다. CoolGaN 600V e-mode(enhancement mode) HEMT와 GaN EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 출시함으로서, 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN에 걸쳐서 모든 전력 기술을 제공하는 반도체 업체로 경쟁력을 확보했다. 이에 힘입어 인피니언은 지난해 10월 산업용 CoolGaN 제품 2종을 출시했다. CoolGaN 400V 제품 (I
- 이나리 기자
- 2020-07-23 16:15
기획특집 [이슈] GaN 기술을 확보하기 위한 방법: 인수합병 또는 기술협력

[헬로티=이나리 기자] 질화갈륨(GaN) 반도체가 몇년 전부터 차세대 반도체 핵심 소자로 떠오르고 있다. 새롭게 등장한 질화갈륨(GaN) 반도체는 전력 시스템 설계의 미래를 주도할 새로운 체계의 공정 기술로 꼽힌다. GaN은 더 높은 주파수에서 더 높은 효율로 전력을 처리할 수 있고, 실리콘 부품과 비교해서 동일한 전력을 제공하면서 절반의 공간으로 손실을 절반으로 줄일 수 있기 때문이다. 통신분야의 RF에서도 GaN 반도체의 수요가 높다. 5G 셀룰러 네트워크의 본격적인 출범을 위해서는 네트워크 사업자들이 더 높은 전력으로 구동되는 고주파 장비들을 구축해야 한다. 네트워크 사업자들은 셀 타워 장비의 크기를 늘리는 것을 원치 않기 때문에 GaN의 전력 밀도는 큰 이점을 가진다. ▲GaN은 실리콘 부품과 비교해서 동일한 전력을 제공하면서 절반의 공간으로 손실을 절반으로 줄일 수 있다.(사진 자료: TI) 그러나 GaN과 같이 새로운 기술을 개발하기 위해서는 높은 R&D 비용과 함께 오랜 시간이 소요된다. 이런 이유로 반도체 기업들은 개발 기간을 효율적으로 단축하기 위해서 기술협력과 인수합병을 활발히 추진하고 있다. 2014년 8월 인피니언은 전력 반도체
- 이나리 기자
- 2020-07-23 15:59

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