일반뉴스 80V 하프 브리지 GaN FET 모듈
TI의 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN) FET 전력단 프로토타입은 하프 브리지 방식으로 하나의 고주파수 드라이버와 2개의 GaN FET로 구성되어 있으며, 설계가 간편한 QFN(Quad Flat No-leads) 패키지로 제공된다. 이 전력단(LMG5200)은 실리콘 기반 설계보다 25% 적은 전력 손실로 단일 단 변환을 구현할 수 있으며, 게이트-드라이브 루프에서 최저 패키징 기생 인덕턴스 실현으로 전력단 효율 및 dV/dt 내성을 향상시켜 EMI를 감소시킨다. 텍사스 인스트루먼트☎ (080)551-2800 www.ti.com/ww/kr