일반뉴스 KAIST, D램-플래시 융합메모리 개발

▲ 고성능 융합메모리에 대한 요약 모식도 [헬로티] 한국과학기술연구원(KAIST)은 나노선의 5단 수직 적층 기술을 통해 D램과 플래시 메모리 동작이 동시에 가능한 융합메모리 반도체 소자를 개발했다. 이번 개발에 성공한 연구팀(전기 및 전자공학부 최양규 교수와 이병현 박사과정)은 빠른 속도를 지원하는 D램과 전력소모가 적은 플래시 메모리의 기능이 하나의 트랜지스터 안에서 동시에 동작하는 전면-게이트 실리콘 나노선 구조 기반의 융합 메모리 소자 개발을 위한 연구를 진행했다. 연구팀은 트랜지스터의 소형화로 인한 메모리 소자의 성능이 저하되는 문제 해결을 위해 전면-게이트 실리콘 나노선을 수직으로 5단까지 쌓았다. 이러한 5단 수직 집적 실리콘 나노선 채널을 보유한 융합 메모리소자는 단일 나노선 기반의 메모리 소자와 대비해 5배의 향상된 성능을 보였다. 이 연구를 통해 시스템 레벨에서 칩 사이즈의 소형화 및 전력 효율의 개선, 패키징 공정 단순화를 통한 제작비용 절감 등이 가능하다. 시스템 안에서 칩 간의 간섭효과를 줄여줌으로써 시스템 전체 속도 향상에도 기여가 가능해 융합 메모리의 실효성이 높아질 것으로 기대된다. 또한 수직 집적 나노선 구조는 말 그대로 위쪽으

• 2016-09-22 07:48