일반뉴스 TI 업계 최저 저항의 NexFET N채널 전력 MOSFET 출시

TI는 자사의 NexFET™ 제품군에 11개의 새로운 N채널 전력 MOSFET 제품을 추가한다고 밝혔다. 이들 신제품 중에서 25V CSD16570Q5B와 30V CSD17570Q5B는 핫스왑(Hot-swap) 및 오링(ORing) 애플리케이션에 적합하며 QFN 패키지로 업계에서 가장 낮은 온-저항(Rdson)을 제공한다. 이와 더불어 저전압 배터리로 구동되는 애플리케이션에 사용이 적합한 TI의 신제품 12V FemtoFET™ CSD13383F4는 극소형의 0.6㎜ x 1㎜ 패키지로 경쟁제품 대비 84%의 가장 낮은 저항 특성을 가진다. CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET MOSFET은 높은 전류에서 더 높은 전력 변환 효율을 달성하므로 컴퓨터 서버와 통신장비 애플리케이션에서 보다 안전한 동작이 가능하다. 예를 들어 25V CSD16570-Q5B는 최대 0.59mW의 저항을, 30V CSD17570Q5B는 최대 0.69mW의 저항 특성을 가진다. 이와 관련 내용을 담은 블로그 기사 “핫스왑 및 오링 FET 컨트롤러로 설계 시 전력 MOSFET SOA (Safe Operating Area) 곡선”을 확인할 수 있다. DC/DC 컨트롤러 애

• 2015-01-27 17:18