일반뉴스 [테크니컬 리포트]WInSiC4AP: 고신뢰성 애플리케이션용 고성능 SiC 전력 기술 개발

[첨단 헬로티] 수년간의 개발을 통해 ST의 6인치 SiC 웨이퍼 생산은 2017년부터 시작됐으며 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브, 가전기기, 전원 어댑터와 같은 다양한 애플리케이션을 위해 SiC 제품 공급을 늘리고 가격을 낮출 수 있게 됐다. ST는 이러한 성공을 바탕으로 HV 전력 기술 개발을 가속화하면서 2017년 6월에 ECSEL JU 프로젝트인 WInSiC4AP에 가입하고, 기초 기술, 프론트 엔드, 패키지, 시스템 애플리케이션 개발을 위한 다수의 R&D 팀에 참여해 활동해 왔다. 이 프로젝트에서 ST의 활동은 주로 1200V 및 650V SiC 디바이스, 설계 방법론, 파워 모듈, 신뢰성과 관련되어 있다. ST마이크로일렉트로닉스는 20년 전부터 실리콘 카바이드를 이용한 연구를 해왔다. 경쟁력 있는 가격대로 높은 품질과 긴 수명을 요구하는 반도체 시장에서 새로운 기술을 개발하는 일은 결코 쉽지 않았다. ST는 이 와이드 밴드갭 소재를 상용화하기 위한 과제들을 극복하고, 2004년에 최초의 SiC 다이오드 생산을 시작했다. 2009년에는 최초의 SiC MOSFET 생산을 시작했으며, 이에 대한 후속으로 기존의 650V 제품에 더해 SiC

• 이나리 기자
• 2020-03-26 15:29