일반뉴스 [SEDEX 2019] SK하이닉스, ‘HBM2E’ 등 데이터 시대를 위한 제품라인 선보여

[첨단 헬로티] “‘DATA의 시대, 그 중심에는 메모리 반도체가 있습니다.” 이달 8일부터 11일까지 개최된 반도체대전(SEDEX) 2019의 SK하이닉스 부스 앞에 놓인 'Memory Centric World'에 적힌 일부 문구이다. 이 말처럼 SK하이닉스는 이번 전시회에 데이터 시대를 위한 다양한 메모리 반도체를 선보였다. 특히 SK하이닉스가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발하는데 성공한 ‘HBM2E’ D램을 직접 볼 수 있었다. HBM(High Bandwidth Memory)은 고대역폭 메모리로 TSV 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품을 말한다. TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술을 말한다. 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어, 전류를 전달하게 된다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린

• 김원정 기자
• 2019-10-11 16:42