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제품 삼성전자, 14나노 기반 차세대 모바일 D램 ‘LPDDR5X' 개발

헬로티 조상록 기자 | 삼성전자가 14나노 기반 차세대 모바일 D램 ‘LPDDR5X (Low Power Double Data Rate 5X)’를 업계최초로 개발했다. 이번 LPDDR5X는 한층 향상된 ‘속도·용량·절전’ 특성으로 5G, AI, 메타버스 등 폭발적으로 성장하고 있는 미래 첨단 산업에 최적화된 메모리 솔루션이다. 삼성전자는 2018년 세계 최초 8Gb LPDDR5 D램을 개발한 데 이어, 이번 업계최초 LPDDR5X 개발을 통해 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다. LPDDR5X의 동작 속도는 현존하는 모바일 D램 중 가장 빠른 최대 8.5Gbps로 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 또한 삼성전자는 이번 제품에 업계 최선단 14나노 공정을 적용해 용량과 소비전력 효율에서 차별화된 경쟁력을 구현했다. 이번 제품은 선단 공정 적용을 통해 기존 LPDDR5 대비 소비전력 효율이 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 LPDDR5X의 단일칩 용량을 16Gb으로 개발하고 모바일 D램 단일 패키지 용량을 최대 64GB까지 확대해 5G 시대 고용량 D램 수요에 적극 대응할 계획이다. 삼성전자 메모리
- 조상록 기자
- 2021-11-10 17:48
일반뉴스 키사이트, 차세대 메모리 설계 위한 설계 및 테스트 워크플로우 공개

헬로티 이동재 기자 | 키사이트테크놀로지스가 설계 시간을 단축시키고 DDR5, LPDDR5, GDDR6 메모리 시스템 제품 개발 시 리스크를 없애 주는 워크플로우 솔루션 ‘PathWave 고급 설계 시스템(ADS) 2022’를 발표했다. 클라우드 컴퓨팅부터 자율주행 차량까지 더 빠른 메모리 인터페이스에 대한 요구는 점점 증가하고 있다. DDR5, LPDDR5 및 GDDR6과 같은 고속 인터페이스의 획기적인 기술은 메모리 칩의 수신기에서 이퀄라이제이션을 수행한다는 특징이 있다. 인쇄 회로 보드(PCB)를 지나는 경로를 통해 저하된 신호를 복구하는데, 이때 하드웨어 엔지니어는 메모리 버스 설계에서 신호 무결성 문제 가능성을 최소화해야 하기 때문에, 이퀄라이제이션 후의 신호 품질을 예측하고 설계를 프로토타이핑하고 성능을 테스트해야 한다. 차세대 메모리를 위한 설계 및 테스트 워크플로우인 키사이트 PathWave ADS 2022는 하드웨어 엔지니어가 출시 요구사항을 충족하고 뛰어난 성능의 믿을 수 있는 최종 제품을 제공하도록 돕는다. PathWave ADS 2022의 Memory Designer는 먼저, 유연한 이퀄라이제이션과 외부 클럭 입력으로 DDR 송신기와 수
- 이동재 기자
- 2021-08-20 13:45
제품 SK하이닉스, 속도·품질 대폭 개선된 18GB LPDDR5 모바일 D램 양산

[헬로티] "18GB 제품으로 프리미엄 모바일 D램 시장 선도할 것" SK하이닉스가 업계 최대 용량인 18GB LPDDR5 모바일 D램을 양산한다고 8일 밝혔다. ▲SK하이닉스가-양산하는-18GB-LPDDR5-모바일-D램 이 제품은 최고 사양 스마트폰에 장착돼 고해상도 게임과 동영상을 재생하는 데 최적의 환경을 지원한다. SK하이닉스는 향후 초고성능 카메라 앱, AI 등 최신 기술로 적용 범위가 계속 넓어질 것으로 전망했다. SK하이닉스 관계자는 “16GB 제품보다 용량이 커지면서 데이터 일시 저장 공간이 확대돼 처리 속도와 영상 품질이 대폭 개선될 것”이라고 밝혔다. 이번에 양산하는 제품은 기존 스마트폰에 탑재된 모바일 D램(LPDDR5, 5500Mb/s)보다 약 20% 빨라진 6400Mb/s 속도로 동작한다. 6400Mb/s는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 10편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. 이 제품을 통해 스마트폰 업체들이 이전 세대보다 한층 성능이 우수한 스마트폰을 출시할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 내다봤다. SK하이닉스는 이 제품을 글로벌 IT 기업인 에이수스에서 출시 예정인 게이밍 스마트폰인 ‘
- 서재창 기자
- 2021-03-08 11:05
일반뉴스 삼성전자, 평택 2라인 가동으로 LPDDR5 모바일 D램이 생산 박차

[헬로티] 업계 최초 EUV 공정 적용 1z나노 16Gb 모바일 D램 양산 삼성전자가 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다. ▲삼성전자 평택 2라인 이 라인에서는 업계 최초로 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다. 삼성전자의 평택 2라인은 연면적이 12만8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대 규모의 반도체 생산라인이다. 평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 만들어져 4차 산업 혁명 시대의 반도체 초격차 달성을 위한 핵심적인 역할을 할 예정이다. 삼성전자는 평택 2라인에 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인도 착공했다. 두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다. 이번 평택 2라인은 2018년 8월에 발표한 180조 원 투자, 4만 명 고용 계획의 일환으로 건설된 것으로 삼성전자는 어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다. 이에
- 서재창 기자
- 2020-08-31 10:51

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