일반뉴스 ams, 고전압 CMOS 전용 공정 플랫폼 활용 강화
ams의 풀서비스파운드리 사업부는 업계 선도적인 0.35µm 고전압 CMOS 전용 공정 플랫폼의 활용을 더욱 확장한다고 발표했다. 고전압 공정 전문기술력으로 제공되는 진보된 “H35” 프로세스는 획기적으로 면적을 축소하고 성능을 향상시킨 전압 확장 가능한 트랜지스터 세트를 포함한다. 새로운 전압 확장 가능한 고전압 NMOS 및 PMOS 트랜지스터 디바이스들은 20V~100V의 다양한 드레인 소스 전압 레벨(VDS)에 최적화 되어 있으며 매우 낮은 온저항을 제공해 면적 축소의 결과를 제공한다. 50V의 고정형 트랜지스터 대신 전력 관리 애플리케이션에서 최적화된 30V NMOS 트랜지스터를 사용하여 약 50%까지 면적을 축소시켰다. 60V로 최적화된 NMOS 디바이스는 120V NMOS 표준 트랜지스터와 비교할 경우 면적이 22% 더 축소된다. 대형 드라이버와 스위칭 IC처럼 복잡한 고전압 아날로그/혼성 신호 애플리케이션을 개발하는 파운드리 고객사들은 웨이퍼 당 더 많은 다이를 생산할 수 있는 이점을 누릴 수 있다. 면적에 최적화된 디바이스는 자동차, 의료, 산업 분야 제품에서 사용되는 MEMS 드라이버, 모터 드라이버, 스위치