헬로티 전자기술 기자 | 현업 실무자가 가진 현실적인 궁금증을 전문가가 현명하게 직접 답해주는 [산업지식인] 입니다. 산업지식인은 스마트 팩토리, 머신비전, RPA, 3D프린팅 등 첨단 기술과 연관된 솔루션과 해당 산업 동향을 다룹니다. 이 과정에서 ‘이 용어는 무슨 뜻이지?’, ‘이 솔루션을 도입했을 때의 장점은?’ 등 다양한 질문들이 떠오를 텐데요. 산업지식인에서는 질문의 종류와 상관없이 전문가의 이론과 경험이 담긴 생생한 답변을 들을 수 있습니다. 앞으로 산업지식인은 산업 현장에 있는 실무자가 혁신 기술과 가까워질 수 있는 기회를 제공할 것입니다. 이번 시간에 다뤄볼 내용은 ‘전기차 충전의 전력 관리 및 보호 솔루션’입니다. 전기는 자동차를 비롯한 미래 모빌리티의 주요 에너지원으로 손꼽힙니다. 전기 자동차에 대한 수요가 점차 증가함에 따라, 안전한 충전 시스템에 대한 요구도 동시에 증가하고 있죠. 리틀휴즈는 일찍이 자동차 퓨즈에 대한 산업 표준을 정의하고 회로 보호, 전력 제어 및 감지 분야에 뛰어들었습니다. 이와 함께 전기차 충전소를 위한 효율적인 시스템을 설계하는데 주력하고 있는데요. 리틀휴즈는 지난 7월 웨
[첨단 헬로티 반도체 전문 기업 KEC가 이달 27일부터 4일간 부산 BEXCO에서 개최되는 제10회 ICPE 국제전력전자학술대회에 차세대 전력 반도체를 전시한다고 밝혔다. 국제전력전자학술대회(ICPE 2019-ECCE Asia)는 전 세계 회원사들이 전문적인 경험과 전문 네트워크를 공유 및 확장하며 전력전자 분야의 최신 과학 기술 발전 소식을 접할 수 있는 컨퍼런스 중 하나이다. 이번 행사는 전 세계 40여 개 국 1천 여 명의 전력전자 분야 전문가들이 한 자리에 모여 전력전자 기술과 제품에 대한 신기술 발표 및 회원사들의 다양한 제품 전시가 이루어진다. KEC는 “이번 행사에서 산업용 전원과 모터 구동을 위한 필수 제품인 IGBT, MOSFET, 모듈의 전반전인 소개와 함께 신기술이 적용된 HIGBT(High Injection IGBT), SGT MOSFET, Low EMI 타입 SJ MOSFET, 파워 모듈(Power Module)과 개발 중인 SiC 파워 디바이스(Power Devices)를 중점적으로 소개하며 전력반도체 시장에 본격적인 진출을 도모할 예정이다”고 말했다. 또한 그동안 소신호 반도체시장에서 쌓아온 기술력과 영업력을
[첨단 헬로티] 로옴(ROHM)은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 부합하는 1200V 내압 IGBT ‘RGS 시리즈’ 4기종을 새롭게 개발했다고 10일 밝혔다. 로옴은 “최근, 환경 의식의 고조 및 연료 가격 상승을 배경으로 자동차의 전동화가 가속화되고 있다. 기존의 엔진 탑재 자동차의 경우 컴프레서의 동력원은 엔진이지만, 전동화 차량의 증가에 따라 컴프레서의 전동화도 추진되고 있다”고 말했다. 이어, “전기자동차(EV)는 항속 거리를 늘리기 위해, 탑재 배터리의 용량이 증가하는 경향이 있다. 특히 유럽에서는 고전압(800V) 배터리가 탑재되는 케이스가 증가하고 있어서 한층 더 고내압 및 저손실의 파워 디바이스가 필요해지고 있다. 이에 따라, 기존의 650V 내압 IGBT와 더불어, 1200V 내압의 IGBT에 대한 수요도 높아지고 있다”고 덧붙였다. 또한, “차량 난방에 있어서도 지금까지는 엔진의 발열이 이용돼 왔지만, PTC 히터를 열원으로 온수를 순환시켜 난방하는 시스템 등의 수요도 증가하고 있다. 이러한 애플리케이션의 인버터 회로 및 스위치 회로에 사용되는 반도체는 구
[첨단 헬로티] 로옴(ROHM)은 대전력을 취급하는 범용 인버터 및 AC 서보, 산업용 에어컨, 가로등 등의 산업기기용으로, 1700V 내압 SiC MOSFET 내장 AC/DC 컨버터 IC BM2SCQ12xT-LBZ를 개발했다고 12일 밝혔다. BM2SCQ12xT-LBZ는 AC/DC 컨버터 IC로서 에너지 절약 성능이 높은 SiC MOSFET을 내장해 디스크리트 부품으로 구성할 경우의 설계 과제를 해결함으로써, 저전력 AC/DC 컨버터를 간단하게 개발할 수 있는 제품이다. 로옴은 이번 신제품에 대해 "산업기기에는 메인 전원 회로와 더불어, 각종 제어 시스템에 전원전압을 공급하는 보조 전원이 내장돼 있는데 이러한 보조 전원에는 내압이 낮은 Si-MOSFET 및 손실이 큰 IGBT가 널리 채용돼 저전력화에 과제로 지적돼 왔다"고 말했다. 이어, “오늘 발표한 신제품은 산업기기의 보조 전원용으로 최적화된 제어 회로와 SiC MOSFET의 1패키지화를 통해 일반품 구성 대비 대폭적인 부품수 삭감(12개 부품과 방열판을 1개의 부품으로 삭감)과 부품 고장 리스크 저감, SiC MOSFET 채용에 대한 개발 공수 삭감 등을 동시에 실현했다”고 소개
[첨단 헬로티] 반도체 전문 기업 KEC(대표이사 황창섭)가 9월 26일부터 28일까지 인도에서 개최되는 2018 Electronica India에 참가했다. 인도의 실리콘밸리라 불리는 벵갈루루(Bengaluru)에서 개최되는 ‘Electronica India’는 인도 내 최대 전자부품, 시스템 어플리케이션을 위한 국제 박람회로 이번 행사에는 27개국 500여 기술 공급업체가 혁신적인 전자 기술을 선보였다. 특히 인도 내 끊임없이 성장하는 소비자 가전시장과 함께 최근 급성장하고 있는 자동차 산업분야에서도 각종 포럼과 이벤트가 개최됐다. KEC는 이번 행사에서 산업용 전원과 Motor 구동을 위한 필수 제품인 MOSFET, IGBT, Module의 전반적인 소개와 함께 신기술이 적용된 신상품인 SGT MOSFET, Low EMI Type SJ MOSFET, RC IGBT를 중점적으로 소개했으며, 이를 통해 인도 및 동남아 시장에 본격적인 진출을 도모했다. KEC는 이번 행사를 통해 지속적으로 추진하고 있는 고부가가치 중심의 글로벌 마케팅 활동을 한층 강화할 수 있게 되었으며, KEC 제품의 우수한 성능과 원가 경쟁력을 가지고 현재 판매중인
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 TO-247PLUS 패키지에 최대 정격 다이오드를 통합한 75A/1200V 디스크리트 IGBT를 출시했다. 새로운 TO-247PLUS 3핀 및 4핀 패키지는 전력 밀도와 효율에 대한 갈수록 높아지는 요구를 충족한다. 드라이브, 광전지, UPS(Uninterruptible Power Supplies) 등 1200V 블로킹 전압으로 높은 전력 밀도를 요구하는 애플리케이션 및 배터리 충전, 에너지 저장 시스템에 사용하기에 적합하다. 새로운 TO-247PLUS 패키지는 표준 TO-247-3 패키지와 비교했을 때 두 배의 전류 정격을 제공할 수 있다. 표준 TO-247 패키지에서 나사 구멍을 없앰으로써 PLUS 패키지는 더 넓은 리드 프레임 면적을 사용할 수 있어 더 큰 IGBT 칩을 탑재할 수 있다. 인피니언은 기존과 동일한 풋프린트로 다이오드를 통합한 최대 75A 용량의 1200V IGBT를 제공하게 되었다. TO-247PLUS 패키지는 더 넓은 리드 프레임으로 열 저항이 더 낮기 때문에 열방출 능력이 향상되었다. 스위칭 손실을 개선하고자 하는 디자이너들을 위해, TO-247PLUS 4핀 패키지는 추가적인 켈빈 이미터 소스
[헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 1EDN EiceDRIVER 제품군을 출시했다. 이 제품군은 MOSFET, IGBT, GaN 전력 디바이스 구동에 최적화된 제품으로, 핀아웃 및 패키지가 산업 표준과 호환되므로 기존 디자인에서 바로 교체할 수 있다. 이 제품은 낮은 전력 소모가 특징이다. 인피니언 관계자는 "다른 1-채널 로우사이드 게이트 드라이버 IC와 비교해서 인피니언의 1EDN EiceDRIVER 제품군의 내부 전력 소모가 업계 최저 수준"이라며 "저항이 낮은 출력 스테이지는 30% 이상 더 높은 효율을 달성한다. 이는 추가적인 설계 유연성을 제공하며, 열처리량(thermal budget) 내에서 더 많은 전력 소자를 구동할 수 있다"고 설명했다. 이 제품군은 또한 역 전류 견고성이 우수하다는 게 업체 설명이다. TO-220 또는 TO-247 패키지 같이 기생 소스 인덕턴스가 높은 MOSFET을 구동할 때 보호 다이오드를 필요로 하지 않는다. 그러므로 이들 새로운 드라이버 IC를 사용하면 고객들이 BOM과 PCB 면적을 절약할 수 있다고 인피니언 개발 관계자는 말한다. 1EDN 제품군은 특히 게이트 트랜스포머를 구동할 때 접지 편이(ground-shi
[헬로티] 실리콘랩스(Silicon Labs)가 파워 인버터 및 모터 드라이브 애플리케이션에서 민감한 IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor) 스위치를 보호하도록 설계된 절연 게이트 드라이브를 출시하며 ISOdriver 제품군을 더욱 확장했다. 이 제품은 산업용 등급의 절연(5kVrms 내성) 성능과 DC-DC 컨버터를 통합(옵션)한 집적도, 신속한 탈포화 검출(Desaturation Detection), 타이밍 성능, 잡음 및 과도응답 내성 특성을 제공한다. 실리콘랩스에 따르면, Si828x 제품군은 산업용 모터 드라이브, 태양광 인버터, 고전압 전력변환기, 무정전 전원공급장치(UPS), HVAC(Heating, Ventilation and Air Conditioning) 컴프레서 제어 등에 적합하도록 만들어진 솔루션이다. 사용자들은 이러한 시스템들이 혹독한 환경에서도 최소 25년 이상 동작할 것으로 기대하는데, 이들 시스템에서 가장 먼저 불량이 발생하고 제품 수명에 제한을 주는 부품이 바로 아이솔레이터이다. 옵토커플러를 기반으로 하는 전통적인 아이솔레이터는 온도 범위, 잡음 내성, 제품 수명에 있어서 상당한 제한이 있다.
온세미컨덕터가 자사 소유의 울트라 필드 스탑 트렌치 기술을 이용한 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 새로운 시리즈를 발표했다. NGTB40120FL3WG, NGTB25N120FL3WG 그리고 NGTB40N120L3WG의 세 가지 모델로 출시된 이 제품들은 높은 수준의 작동 성능을 전달해 최신 스위칭 애플리케이션의 정확한 요구에 부응하도록 설계됐다. 이 1200 볼트(V)용 소자들은 업계를 선도하는 '토탈 스위칭 손실(Ets)' 특성을 제공한다. 매우 넓고 높게 활성화된 '필드 스탑 층'과 최적화된 'co-pack' 다이오드를 특징으로 하는 이 제품들은 기존 제품들에 비해 획기적인 성능 개선 효과를 제공한다. 사진. NGTBxxN120FL3WG NGTB40N120FL3WG는 2.7 밀리줄(mJ)의 Ets를, NGTB25N120FL3WG는 1.7mJ를 제공하는데 두 소자 모두 각각의 정격 격류에서 1.7V의 VCEsat를 갖는다. NGTB40N120L3WG는 저전도 손실에 최적화 되어 있으며 정격 전류에서 1.55V의 VCEsat 와 3mJ의 Ets를 제공한다. 이번에 출시된 '울트라 필드 스탑' 제품들은 soft 턴-오프 기능을 제공하면서도 역 회복
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 새로운 1200V IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor, 절연 게이트형 양극성 트랜지스터) 제품인 S 시리즈를 출시했다. 이 시리즈는 최대 8kHz(킬로헤르츠)의 스위칭 주파수에서도 최저의 결합 전도와 턴오프 손실을 구현하도록 최적화 되어 무정전 전원공급 장치(UPS), 태양 발전기, 용접기, 산업용 모터 드라이브 등의 전력변환 효율성을 증대시킨다. S 시리즈는 현재 시판 중인 1200V IGBT 중에서 포화 전압(VCE(sat))이 가장 낮으므로, 전압 강하를 더 낮게 하고 전력 손실을 최소화 하여 열 관리를 간소화할 수 있다. Vce(sat)의 정 온도 계수(positive temperature coefficient, PTC)는 파라미터가 조밀하게 정렬돼 높은 전력 소모를 위해 디바이스 다수를 병렬화 하는 것도 간단하다. 또한 꺼진 상태에서는 전압 오버슛이 매우 낮고 오실레이션 값이 제로(0)로, 외부 회로를 더욱 간소화하고 부품 수도 줄일 수 있다. 새로운 IGBT 제품의 견고성과 안정성도 매우 우수하다. 접합온도150℃ 조건에서 단락(short-
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