헬로티 조상록 기자 | ACM리서치가 자사 최초의 300mm싱글 웨이퍼 과산화황 혼합물 시스템(Sulfuric Peroxide Mixture system, SPM) 장비를 출시했다. 이 장비는 첨단 로직, DRAM, 3D-NAND 칩, 기타 집적 회로 제조의 습식 세정 및 식각(etching) 공정에 널리 사용할 수 있으며 특히 고용량 이온을 활용한 포토레지스트 제거 공정과 금속 식각 및 스트립 공정에 적합하다. 이 제품은 기존 ACM리서치의 SPM 공정 제품을 확장한 것으로 10nm 이하의 첨단 공정에서 고온의 단계를 추가해 더욱 다양하고 세밀한 온도 단계를 지원한다. 이번에 개발한 싱글SPM 장비는 당사의 Ultra C Tahoe 장비를 기반으로 한다. 기존 Ultra C Tahoe 장비는 정상 온도에서 대부분의 SPM 공정단계를 지원하고 있으며, 이번 장비는 거기에 고온 SPM의 공정능력을 추가했다. 오늘날 대부분의 SPM 습식 공정은 145°C 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 널리 사용된다. 2018년에 소
헬로티 이동재 기자 | KAIST 연구진이 이종 메모리와 광 네트워크를 활용해 GPU의 메모리 시스템의 용량과 대역폭 모두를 대폭 향상한 기술을 개발했다고 밝혔다. 해당 기술은 기존에 소수의 글로벌 기업 주도 하에 개발돼 왔다. KAIST 전기및전자공학부 정명수 교수 연구팀이 3D XPoint 메모리(이하 XPoint)와 DRAM 메모리를 통합한 이종 메모리 시스템에서 광 네트워크로 통신하는 `옴-지피유(Ohm-GPU)' 기술 개발에 성공함으로써 기존 DRAM을 단독으로 사용한 전기 네트워크 기반의 GPU 메모리 시스템 대비 181% 이상의 성능 향상을 성취했다고 2일 밝혔다. 기존 GPU는 다수의 연산 장치로 구성돼 있어 연산 속도가 매우 빠르다는 장점이 있으나, DRAM을 단독으로 사용하는 메모리 시스템의 낮은 메모리 용량과 좁은 데이터 전송 대역폭으로 인해 연산 성능을 충분히 활용하지 못한다는 문제가 있다. 용량을 증가시키는 대안으로 DRAM을 XPoint로 대체하는 방법이 있으나, 이때 8배 큰 메모리 용량을 얻을 수 있는 반면 읽기/쓰기의 성능이 4배, 6배로 낮아진다. 또한, 대역폭을 증가시키는 대안으로 HBM(High Bandwidth Memor
[헬로티] 마우저 일렉트로닉스는 DRAM의 경제적인 대안으로 꼽히면서 512GB 용량을 자랑하는 ‘인텔 옵테인’ 영구 메모리를 공급한다고 밝혔다. 인텔 옵테인은 향상된 성능과 효율성으로 메모리 내 데이터베이스, 분석, 콘텐츠 제공 네트워크와 같은 애플리케이션을 지원한다. ▲ 마우저가 DRAM의 경제적인 대안으로 꼽히는 ‘인텔 옵테인’ 영구 메모리를 공급한다고 밝혔다. (사진 : 마우저) 마우저 일렉트로닉스에서 공급하는 인텔 옵테인 메모리 모듈은 설계자와 개발자에게 휘발성 메모리 또는 영구 고성능 데이터 계층에서 작동할 수 있는 크고 저렴한 메모리 용량에 대한 액세스를 제공한다. 해당 모듈은 통합을 단순화하기 위해 DDR4 소켓과 호환되고 DDR4 DRAM과 동일한 버스/채널에서 작동하여 동일 플랫폼에서 기존 DRAM DIMM 작업 시 설계 유연성을 지니게 된다. 시스템 관리자는 소프트웨어 측면에서 DRAM과 구별할 수 없는 휘발성 메모리 용량으로 작동하거나, 또는 SSD와 같이 데이터를 유지하지만 일반적인 NAND 기반 드라이브보다 225배 빠른 데이터 액세스 속도로 작동하는 비휘발성 메모리로 작동하도록 인텔 옵테인
[헬로티] - 인공지능(AI)·슈퍼컴퓨터 등 4차산업을 주도할 최적의 메모리 솔루션 SK하이닉스가 초고속 D램인 ‘HBM2E’의 본격 양산에 들어갔다. 2019년 8월 HBM2E 개발 이후 10개월만에 이룬 성과다. SK하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이다. 용량도 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. ▲ SK하이닉스가 본격 양산하는 초고속 HBM2E D램 TSV (Through Silicon Via)는 D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어,
[첨단 헬로티] 기존 8GB LPDDR4X 대비 성능 약 30% 향상, 용량 2배, 소비전력 20% 감소 스마트폰으로도 게이밍 PC 이상의 게임 퍼포먼스 체감 가능 삼성전자가 역대 최고 속도·최대 용량을 구현한 ‘16GB(기가바이트) LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) 모바일 D램’을 세계 최초로 본격 양산하기 시작했다. 삼성전자는 작년 7월 12GB LPDDR5 모바일 D램을 세계 최초로 출시한 데 이어 5개월 만에 업계 유일 16GB 모바일 D램을 양산하며 프리미엄 메모리 시장을 한 단계 성장시킨 것이다. 이번 16GB 모바일 D램 패키지는 2세대 10나노급(1y) 12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개가 탑재됐다. * 16GB LPDDR5 모바일 D램 패키지 : 12Gb(= 1.5GB) × 8개 + 8Gb(= 1GB) × 4개 또한 하이엔드 스마트폰용 모바일 D램(LPDDR4X, 4,266Mb/s)보다 약 1.3배 빠른 5,500Mb/s의 속도를 구현해 풀HD급 영화(5GB) 약 9편 용량인 44GB의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다. 기존 8GB LPDDR4X 패키지
[첨단 헬로티] 메모리 & DRAM 모듈 글로벌 기업인 Apacer가 자사의 종합 제품 라인에 새 시리즈를 추가했다. 이번에 출시된 '3D TLC SV250 SSD'는 산업 용도에서 최상의 성능을 낼 수 있는 제품이다. 도시바에서 직접 공급받은 IC로 만든 3D TLC SV250 SSD는 30~960GB 용량과 최대 3,000P/E 사이클을 제공한다. 또한, 각각 560MB/s 및 520MB/s에 달하는 연속 읽기/쓰기 속도도 원활한 편이다. ▲Apacer가 새롭게 출시한 3D TLC SV250 SSD 3D TLC SV250 SSD는 섭씨 -40~85℃의 온도에서도 원활하게 작동한다. 또한, 데이터 보호 시스템을 기반으로 높은 내구성과 신뢰도를 확보한 만큼 고부하 임베디드 공장 자동화 용도, 그리고 보안 모니터링 시스템 및 엣지 컴퓨팅 장치에 이상적이다. 초기 3D TLC NAND 플래시 버전은 데이터 신뢰도와 관련된 문제가 발생했다. 그러나 Apacer의 SV250 시리즈는 LDPC(Low Density Parity Check) ECC와 DataRAID™를 포함한 첨단 알고리즘 덕분에 이와 같은 문제로부터 안전하다. 또한, Apacer 엔
[첨단 헬로티] SK하이닉스가 세계 최초로 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 규격을 적용한 DDR5 D램을 개발했다. DDR5는 DDR4를 잇는 차세대 D램 표준규격으로 빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등 차세대 시스템에 최적화된 초고속, 저전력, 고용량 제품이다. SK하이닉스는 최근 개발한 2세대 10나노급(1y) 8Gbit(기가비트) DDR4에 이어, 동일한 미세공정을 적용한 16Gbit DDR5도 주요 칩셋 업체에 제공함으로써 업계를 선도하는 기술경쟁력을 확보할 수 있게 됐다. 이 제품은 이전 세대인 DDR4 대비 동작 전압이 기존 1.2V에서 1.1V로 낮아져, 전력 소비량이 30% 감축됐다. 전송 속도는 3200Mbps에서 5200Mbps로 1.6배 가량 향상됐다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GByte) 11편에 해당되는 41.6GByte(기가바이트)의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 이번에 칩셋 업체에 제공된 제품은 서버와 PC용 RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)과 UDIMM(Unbuffered DIMM)으로, JEDEC DDR5 표준에 맞춰 데이터를 저장하는 셀 영역의 단위 관
[첨단 헬로티] SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다. 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며, 전력 소비도 15% 이상 감축해 높은 수준의 전력 효율도 갖췄다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능하다. 이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술을 적용했다. 이는 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존대비 2배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 같다. SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술’도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 ‘센스 앰프’의 성능을 강화하는 기술이다. D램에서는 이처럼 ‘센스 앰프’의 역할이 중요한데, 공정이 미세화될수록 트
[첨단 헬로티] 삼성전자가 업계 최초로 2세대 10나노급(1y) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR4X(Low Power Double Data Rate 4X) 모바일 D램을 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. 삼성전자는 업계 유일 2세대 10나노급(1y) '8Gb DDR4 서버 D램('17.11월)'을 양산한지 8개월만에 '16Gb LPDDR4X 모바일 D램('18.7월)' 양산에 돌입했다. 이에 삼성전자는 2세대 10나노급(1y) 공정을 적용한 D램 제품군의 비중을 70% 이상으로 확대한다는 전략이다. 삼성전자는 이달부터 평택캠퍼스에서 D램 생산을 본격 시작해 최첨단 모바일 D램 수요 확대에 더욱 안정적으로 공급할 수 있는 체제를 확보하게 됐다. '2세대 10나노급(1y) 16Gb LPDDR4X D램'은 기존 20나노급(2y) 4Gb LPDDR3 모바일 D램('13.4월 양산)보다 속도와 생산성이 2배 향상됐다. 또한 최신 플래그십 스마트폰에 탑재된 1세대 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4X와 동작속도(4,266Mb/s)는 동일하나 소비전력량이 10% 절감되어 모바일 기기의 배터리 사용시간을 더욱 늘릴 수 있다. 특히 16Gb 칩 4개가 탑재
[첨단 헬로티] 삼성전자가 차세대 5G 스마트폰과 모바일 AI 시장을 주도할 10나노급 8Gb(기가비트) LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) D램을 개발했다. 이는 2014년 8Gb LPDDR4 D램을 양산한 지 4년 만에 차세대 LPDDR5 시대를 열게된 것이다. 삼성전자는 업계 유일 10나노급 D램 기반의 '16Gb GDDR6 D램(2017.12월)' 양산에 이어 '16Gb DDR5 D램(2018.2월)'과 '8Gb LPDDR5 D램(2018.4월)' 개발을 완료하며 차세대 시장을 주도할 프리미엄 D램 라인업을 구축하게 됐다. 이번 '10나노급 8Gb LPDDR5 D램'은 현재 플래그십 스마트폰에 탑재된 모바일 D램(LPDDR4X, 4,266Mb/s)보다 1.5배 빠른 6,400Mb/s의 동작 속도를 구현한 제품으로, 이는 1초에 풀HD급 영화(3.7GB) 약 14편 용량인 51.2GB의 데이터를 전송할 수 있는 속도다. 삼성전자는 이번 제품을 통해 한 단계 높은 프리미엄 D램 시대를 열어 차세대 모바일, 오토모티브 시장을 동시에 창출할 전망이다. '8Gb LPDDR5 D램'은 1.1V에서 6,400Mb/s로 동작하는 제품과
[첨단 헬로티] SSD 72개로 576TB 랙서버(2U) 구성… NF1 SSD 시대 열어 삼성전자가 초소형 스토리지 규격(NGSFF) 기반의 '8TB NF1 NVMe SSD'를 출시하며 새로운 프리미엄 SSD 시장을 열었다. NGSFF(Next Generation Small Form Factor)은 서버 시스템의 공간 활용도를 2배 이상 높일 수 있도록 만든 새로운 초소형 SSD 규격으로 2018년 10월 JEDEC(국제 반도체 표준 협의 기구)에서 표준화 승인을 완료할 예정임. NF1(New Form Factor1)은 NGSFF의 약칭이다. 삼성전자는 2013년 512GB M.2 NVMe SSD 양산으로 울트라 슬림 노트북 시장을 석권한데 이어 '8TB NF1 NVMe SSD'의 본격 양산을 통해 데이터 분석·클라우드 서비스 관련 차세대 대규모 데이터센터·엔터프라이즈 시장의 초고용량화를 가속화하게 됐다. 지난 1월 2018 CES 혁신상을 수상한 이 제품에는 4세대 256Gb 3bit V낸드를 16단으로 적층한 512GB 패키지 16개가 탑재되어 초소형 스토리지 규격(NGSFF)으로 역대 최대 용량인 8TB를 구현했다.
[첨단 헬로티] 삼성전자가 업계 최고 용량의 노트북용 '10나노급 32GB(기가바이트) DDR4 SoDIMM(Small outline Dual In-line Memory Module)’을 본격 양산한다고 밝혔다. ‘32GB DDR4 모듈’은 최근 인기를 얻고 있는 고성능 게이밍 노트북 시장에 최적의 솔루션을 제공하는 제품으로, 소비자들은 이 제품이 탑재된 노트북을 통해 고사양 게임을 보다 원활하게 즐길 수 있을 것으로 기대된다. '32GB DDR4 모듈'은 최첨단 10나노급 16Gb(기가비트) DDR4 D램 칩이 모듈 전면과 후면에 각각 8개씩 총16개 탑재됐으며, 게이밍 노트북에서 최대 속도 2,666Mbps(Mega-bit per second)로 동작한다. 삼성전자는 지난 2014년에 노트북용으로 20나노급 8Gb DDR4 D램 기반 16GB 모듈을 출시한 이후 4년만에 용량을 2배 높이면서도 속도를 11% 향상시킨 제품 양산에 성공했다. PC 업체는 이 제품을 사용하면 기존 노트북의 구조 변경 없이‘32GB DDR4 모듈’ 2개를 장착할 수 있어 총 64GB까지 D램 용량을 확장할 수 있다. &lsq
[첨단 헬로티] 이노디스크(Innodisk)가 산업 등급의 Wide Temperature VLP 시리즈를 출시한다고 19일 밝혔다. 이 모듈은 네트워킹, 감시 및 통신 같은 시장에서 발생하는 급속한 성장 및 변화와 관련된 수많은 문제를 해결하도록 설계됐다. 보고서에 따르면, 감시 시장은 2016~2024년 연간 성장률 17%를 기록하며 부상할 것이라고 한다. 여기에 디지털화 경향이 더해져, 스마트하고 빠른 감시 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있다. 그러나 더 중요한 것은 견고성이다. 이와 같은 감시 시스템은 온도 변화가 광범위한 매우 다양한 시나리오에 사용되기 때문이다. 통신 시장은 현재 모든 것을 5G 구현에 쏟아 붓고 있다. 사용자가 기존의 휴대폰 사용 대신 온라인 기반 통신을 선택함에 따라, 통신사는 높은 속도와 접근성에 대한 새로운 수요를 충족시키기 위해 힘쓰고 있다. 사용자는 자신이 어디에 위치하든 간에 더욱 빠른 연결 속도를 기대한다. 그 때문에 통신업계는 환경 조건이 거친 오지에서도 네트워크 업그레이드에 계속 투자할 수밖에 없다. 이노디스크가 출시하는 Wide Temperature DDR4 VLP 시리즈는 더욱 빠른 속도와 신뢰도에 대한 수요를
[첨단 헬로티] SK하이닉스는 11일 지속적인 반도체 기술 경쟁력 강화를 위해 연구직 전문 임원인 연구위원 5명을 신규 선임했다고 밝혔다. 연구직 전문 임원인 연구위원은 ▲ 김동균 Computing Core Design 담당 연구위원 ▲ 김용진 Etch 공정 연구위원 ▲ 유민수 DRAM개발Device 담당 연구위원 ▲ 이남재 NAND AR 담당 연구위원 ▲ 정수옥 DRAM AR 담당 연구위원 등 5명이다.
올해 메모리 반도체가 지난 해 업계의 예측처럼 활발한 모습을 띄고 있다. 특히 국내 메모리 반도체 시장은 반도체 무역흑자의 대부분을 차지하며 호황을 이어가는 중이다. 해당 기사에서 메모리 반도체의 시장 상황과 함께 앞으로 관련 시장 및 기술이 어떤 모습을 보일지 짚어보고자 한다. 증권가와 언론에서는 작년부터 올해의 메모리 반도체 시장이 호황을 이룰 것이라는 예측을 내놓았다. 실제로 현재 국내 반도체 부문 무역수지 흑자가 지난해의 전체 흑자 규모를 넘어섰는데, 이중 메모리 반도체의 흑자가 국내 무역 흑자의 거의 절반 가까이를 차지하기도 했다. 최근에는 디램익스체인지(DRAMeXchange)에서 DRAM 공급 상위 3개 업체(삼성전자, SK 하이닉스, 마이크론)의 2분기 DRAM 매출이 30.1% 증가했다는 발표를 내놓았다. 서버 DRAM 제품의 ASP가 계속해서 공급 부족을 겪었기 때문. 낸드 플래시 매출도 8% 이상 증가했다. 올해 2분기에 낸드 플래시 시장이 공급을 타이트하게 유지한 결과 다양한 낸드 플래시가 계절적인 역풍에도 불구하고 매출 성장을 이끌었다. 3분기에도 모바일 제품과 SSD의 계약 가격이 소폭 상승할 것으로 보아 매출 실적은 앞으로 계속 올
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