헬로티 조상록 기자 | ACM리서치가 자사 최초의 300mm싱글 웨이퍼 과산화황 혼합물 시스템(Sulfuric Peroxide Mixture system, SPM) 장비를 출시했다. 이 장비는 첨단 로직, DRAM, 3D-NAND 칩, 기타 집적 회로 제조의 습식 세정 및 식각(etching) 공정에 널리 사용할 수 있으며 특히 고용량 이온을 활용한 포토레지스트 제거 공정과 금속 식각 및 스트립 공정에 적합하다. 이 제품은 기존 ACM리서치의 SPM 공정 제품을 확장한 것으로 10nm 이하의 첨단 공정에서 고온의 단계를 추가해 더욱 다양하고 세밀한 온도 단계를 지원한다. 이번에 개발한 싱글SPM 장비는 당사의 Ultra C Tahoe 장비를 기반으로 한다. 기존 Ultra C Tahoe 장비는 정상 온도에서 대부분의 SPM 공정단계를 지원하고 있으며, 이번 장비는 거기에 고온 SPM의 공정능력을 추가했다. 오늘날 대부분의 SPM 습식 공정은 145°C 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 널리 사용된다. 2018년에 소
헬로티 이동재 기자 | KAIST 연구진이 이종 메모리와 광 네트워크를 활용해 GPU의 메모리 시스템의 용량과 대역폭 모두를 대폭 향상한 기술을 개발했다고 밝혔다. 해당 기술은 기존에 소수의 글로벌 기업 주도 하에 개발돼 왔다. KAIST 전기및전자공학부 정명수 교수 연구팀이 3D XPoint 메모리(이하 XPoint)와 DRAM 메모리를 통합한 이종 메모리 시스템에서 광 네트워크로 통신하는 `옴-지피유(Ohm-GPU)' 기술 개발에 성공함으로써 기존 DRAM을 단독으로 사용한 전기 네트워크 기반의 GPU 메모리 시스템 대비 181% 이상의 성능 향상을 성취했다고 2일 밝혔다. 기존 GPU는 다수의 연산 장치로 구성돼 있어 연산 속도가 매우 빠르다는 장점이 있으나, DRAM을 단독으로 사용하는 메모리 시스템의 낮은 메모리 용량과 좁은 데이터 전송 대역폭으로 인해 연산 성능을 충분히 활용하지 못한다는 문제가 있다. 용량을 증가시키는 대안으로 DRAM을 XPoint로 대체하는 방법이 있으나, 이때 8배 큰 메모리 용량을 얻을 수 있는 반면 읽기/쓰기의 성능이 4배, 6배로 낮아진다. 또한, 대역폭을 증가시키는 대안으로 HBM(High Bandwidth Memor