일반뉴스 램리서치,ALD 공정으로 차세대 메모리 실현... 저 불소 텅스텐 주입 가능

[헬로티] 반도체 장비 업체인 램리서치가 불소 함량이 낮은 텅스텐 필름 증착을 위한 ‘ALTUS’제품군의 최신 버전인 원자층증착(ALD) 공정을 선보였다. 제조업체들이 3D NAND의 메모리 셀 층 개수를 증가시킴에 따라, 워드라인(word line) 주입 애플리케이션 내 텅스텐 증착에 두 가지 문제가 드러났다. 우선, 텅스텐 필름 막에서 유전체로의 불소 확산이 물리적 결함을 야기할 수 있다는 지적이다. 또한, 48쌍보다 많은 디바이스에서 누적된 높은 스트레스는 과도한 전력의 휘어짐을 초래할 수 있다. 이러한 결함과 스트레스는 수율 손실 뿐만 아니라, 전기적 성능 및 디바이스의 신뢰성을 떨어트릴 수 있다. 고급 3D NAND 디바이스에 사용되는 텅스텐 필름은 불소 및 고유의 스트레스를 최소화해야 한다. 더욱이 임계치수(Critical Dimensions, CD)가 줄어듦에 따라 매복된 워드라인(word line)의 DRAM과 로직 디바이스 내의 메탈 게이트∙메탈 컨택트에 대한 저항을 줄이는 것이 어려워졌다. 램리서치에 따르면, ALTUS Max E 시리즈는 저 불소 텅스텐(LFW) 원자층증착(ALD) 공정으로서, 메모리 칩

• 2016-08-12 17:57