제품 삼성전자, HKMG 공정 적용된 '고성능·저전력' DDR5 메모리 개발

[헬로티] 삼성전자가 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다. ▲삼성전자 512GB DDR5(출처 : 삼성전자) DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리하는 속도다. 삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현해 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다. 이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다. HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 적합하게 쓰일 것으로 보인다. 또한, 범용 D램 제품으로서 최초로 8단 T

• 서재창 기자
• 2021-03-30 10:27