헬로티 서재창 기자 | 로옴 주식회사(이하 로옴) 및 로옴 와코 주식회사(이하 로옴 와코)는 수요가 확대되는 아날로그 LSI 및 트랜지스터의 생산 능력 강화를 위해 말레이시아의 제조 자회사인 로옴 와코 일렉트로닉스(이하 RWEM)에 신규 생산동을 건설하기로 결정했다. 로옴 그룹은 국내외 공장에서 신규 생산동 건설 이외에도 제조 장치의 개선을 통한 생산 능력의 강화를 지속적으로 전개하고 있다. RWEM에 있어서도 2016년에 신규 생산동을 건설해 다이오드 등 디스크리트 제품의 생산 능력을 증강해왔다. 로옴은 최근 왕성한 반도체 수요에 대응하기 위한 생산 능력 강화와 동시에 BCM의 관점에서 아날로그 LSI 및 트랜지스터 생산의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에 신규 생산동을 건설하게 됐다. 이로써, RWEM 전체의 생산 능력은 약 1.5배가 될 것으로 전망하고 있다. 신규 생산동은 지상 3층, 연면적 2만9580㎡로 2022년 1월에 착공, 2023년 8월에 준공 예정이다. 로옴은 다양한 에너지 절약 기술을 적용한 설비를 도입해 환경 부하 경감 효과와 최신 각종 재해 대책을 도입함으로써 체제를 한층 더 강화하기 위해 노력하고 있다. 앞으로도 로옴 그룹은 시장
헬로티 서재창 기자 | 인텔은 무어의 법칙을 지속적으로 추구하면서 향후 10년 동안 컴퓨팅을 발전 및 가속화하는데 필수적인 핵심 패키징, 트랜지스터, 양자 물리학 분야의 혁신 기반을 공개했다. 인텔은 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2021에서 하이브리드 본딩을 바탕으로 패키징에서 10배 이상의 상호연결 집적도 개선, 30~50% 상당의 트랜지스터 면적 개선, 새로운 전력, 메모리 기술 혁신 및 컴퓨팅에 혁명을 일으킬 수 있는 물리학의 새로운 개념에 대한 내용을 공개했다. 로버트 차우(Robert Chau) 인텔 시니어 펠로우 겸 부품 연구 부문 총괄은 “인텔의 부품 연구 그룹은 IEDM 2021에서 업계와 사회가 필요로 하는 강력한 컴퓨팅에 대한 지속적인 수요를 충족하기 위해 혁신 공정 및 패키징 기술을 도입하는데 있어 주요 연구 성과를 공유하고 있다”고 밝혔다. 이어 그는 “이는 인텔 최고의 과학자 및 엔지니어의 끊임없는 노력의 결과로, 이들은 무어의 법칙을 지속하기 위한 혁신의 첨병 역할을 하고 있다”고 말했다. 무어의 법칙은 메인프레임에서 휴대폰에 이르기까지 모든 기술 세대의 수요를 충족하는 컴퓨팅 혁신에 관여해왔다. 무한한 데이터와 인공지능을 기
[헬로티] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 최대 200W의 고효율 전력변환 애플리케이션 설계를 간소화하는 새로운 MasterGaN4 디바이스를 출시했다고 밝혔다. ▲MasterGaN4(출처 : ST) 이 전력 패키지는 225mΩ RDS(on)을 제공하는 2개의 대칭형 650V GaN(Gallium Nitride) 전력 트랜지스터와 최적화된 게이트 드라이버, 회로 보호 기능을 통합하고 있다. MasterGaN 제품군에 최근 추가된 MasterGaN4는 복잡한 게이트 제어와 회로 레이아웃 문제를 해소해 와이드 밴드갭(Wide-Bandgap) GaN 전력 반도체 설계를 간소화해준다고 ST는 밝혔다. 3.3V~15V에 이르는 입력 전압 허용오차도 제공하기 때문에 마이크로컨트롤러나 DSP 또는 FPGA와 같은 홀-효과(Hall-Effect) 센서나 CMOS 디바이스에 직접 패키지를 연결해 제어할 수 있다. GaN 트랜지스터의 스위칭 성능을 통한 높은 동작 주파수와 열소산을 줄이는 향상된 효율성을 활용하면, 설계자는 작은 마그네틱 부품과 히트싱크를 적용해 보다 소형 및 경량으로 전원공급장치·충전기·어댑터를 구현할 수 있다고 ST
[헬로티] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 새로운 MasterGaN2 제품을 출시했다고 밝혔다. ▲MasterGaN2 MasterGaN2는 두 종류의 비대칭 GaN(Gallium-Nitride) 트랜지스터를 포함하는 제품으로, 소프트 스위칭과 능동 정류 컨버터 토폴로지에 최적화된 통합 GaN 솔루션을 제공한다. 650V 노멀-오프(Normally-Off) GaN 트랜지스터는 150mΩ 및 225mΩ의 온저항(RDS(on))을 갖추고 있다. ST에 따르면 각 트랜지스터는 최적화된 게이트 드라이버와 결합돼 GaN 기술을 일반 실리콘 디바이스처럼 손쉽게 사용하게 해주며, MasterGaN2는 GaN 고유의 성능 이점과 첨단 통합 기능을 겸비해, 능동 클램프 플라이백과 같은 토폴로지의 효율성 향상과 크기 및 무게 감소 등의 이점을 증대시켜준다고 밝혔다. MasterGaN 전력 SiP(System-in-Package) 제품군은 두 개의 GaN HEMT(High-Electron-Mobility Transistor) 및 관련 고전압 게이트 드라이버와 함께 모든 필수 보호 매커니즘을 단일 패키지에 내장하고 있다. 설계자는 DSP나 FPGA, 마이
[헬로티] 접합부-케이스 열저항 낮아 고전력 애플리케이션용으로 적합해 ▲Teledyne e2v HiRel이 650V 고전력 GaN HEMT 신제품 2종을 출시했다. (출처 : Teledyne e2v HiRe) Teledyne e2v HiRel이 GaN 시스템즈의 기술을 기반으로 한 고전력 650V 제품군에 러기다이즈드(ruggedized, 내구성이 강화된) GaN 전력 HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터) 2종을 추가했다고 7일 밝혔다. 새로운 고전력 HEMT인 TDG650E30B와 TDG650E15B는 2020년 선보인 650V HEMT(60A)보다 낮은 30A, 15A의 전류 성능을 갖고 있다. 650V GaN HEMT 제품군은 시중에서 판매되는 제품 가운데 가장 높은 전압을 갖고 있는 GaN 전력 기기로서 높은 신뢰성이 요구되는 군사·항공·우주 애플리케이션에 적합하다. 전원, 모터 제어, 하프 브릿지 토폴로지(half bridge topology) 등의 애플리케이션용으로도 적합한 제품이다. TDG650E30B와 TDG650E15B는 바닥 냉방 구조와 초저 ‘
[헬로티] 촉매로 사용 시 수소 생산 성능 우수해 “트랜지스터, CMOS 등 반도체 소자 재료 개발에도 적용 가능할 것” ▲UNIST의 이정현 연구원(왼쪽)과 박혜성 교수(오른쪽). 전이금속 화합물을 합성하는 과정에서 내부 구조에 인위적인 ‘원자 구멍’(공극결함, vacancy)을 만들어 전기적·물리적 특성을 제어하는 새로운 기술이 나왔다. UNIST 개발진이 이황화몰리브덴(MoS2) 구조 내부에 공극결함(황 원자의 빈자리)을 균일하게 ‘도핑’(doping)하는 기술을 개발했다. 이 기술은 화합물 합성에 투입하는 액체 원료 비율을 조정함으로써 합성 과정 중에서 공극결함을 만드는 방식이다. 기존 방식과 달리 단번에 공극결함이 균일하게 분포된 전이금속 화합물을 상용화 가능한 큰 크기로 만들 수 있어 주목을 받고 있다. 기존의 공극결함 도핑 방식은 고체 전구체를 이용해 전이금속 화합물을 먼저 합성한 뒤 여기에 다시 600도(℃)이상의 고온 열처리나 플라즈마 처리 같은 후처리 공정 거쳐 원자를 ‘뜯어내는’ 방식이다. 이 방식은 공정 단계가 복잡하고 합성 면적이 넓어질수
‘2020 아키텍처 데이’에서 아키텍처 혁신 및 새로운 트랜지스터 기술 공개 [헬로티 = 김동원 기자] 인텔이 ‘2020 아키텍처 데이’에서 기술 혁신을 추진하는 6가지 분야를 소개했다. 2020 아키텍처 데이에서는 라자 코두리(Raja Koduri) 인텔 수석 아키텍트를 비롯한 인텔 펠로우 및 아키텍트들이 참가해 ▲10나노 슈퍼핀 기술 ▲패키징 ▲아키텍처 ▲소프트웨어 등 기술 혁신 분야의 진전 상황을 공유했다. ▲ 라자 코두리(Raja Koduri) 인텔 수석 아키텍트는 ‘2020 아키텍처 데이’에서 기술 혁신의 6가지 분야에서의 진전을 소개했다. (사진 : 인텔) 인텔 관계자는 “우리의 10나노(nm) 슈퍼핀(SuperFin) 기술은 인텔 역사상 가장 큰 동일 공정 내 성능 개선과 공정 전환에 준하는 향상된 성능을 제공한다”고 밝혔다. 또한, 인텔은 노트북 고객들을 위해 윌로우 코브(Willow Cove) 마이크로아키텍처와 타이거 레이크 시스템 온 칩 (SoC) 아키텍처의 세부 내용을 공개, 소비자 시장에서 고성능 컴퓨팅과 게이밍 시장까지 확장 가능한 Xe 그래픽 아키텍
[첨단 헬로티] 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)가 소프트-스위칭(Soft-Switching) 회로의 스위칭 성능과 최상의 전도성으로 최적화된 650V STPOWER™ IGBT STGWA40IH65DF와 STGWA50IH65DF를 출시했다고 26일 밝혔다. 신제품에 대해 ST는 “16~60kHz의 스위칭 주파수 범위에서 공진형 컨버터의 에너지 효율을 향상시킬 수 있는 제품들이다”며 “IH시리즈 디바이스는 ST의 소프트-스위칭 애플리케이션용 TFS(Trench Field-Stop) IGBT의 하나로, 여기에는 전원공급장치, 용접기, 태양광 컨버터용인 HB 및 HB2 시리즈도 포함되어 있다”고 말했다. 이어 “이 디바이스는 인덕션 조리기와 같은 가전제품의 하프-브리지 회로와 그 외 소프트-스위칭 애플리케이션들에 맞게 세밀하게 조정되었다. 제품 설계 시 높은 에너지 등급을 달성할 수 있다”고 강조했다. ST에서 출시한 이번 모델들은 각각 40A 및 50A 정격으로 최대 4kW의 애플리케이션을 지원한다. 신모델 IGBT는 1.5V(공칭전류에서의 평균)의
[첨단 헬로티] 에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터가 제전기차충전협회 '차린(CharIN, Charging Interface Initiative e.V.)’에 가입했다고 밝혔다. 차린은 전기차 충전시스템 표준을 확립하고, 전기차 충전시스템 발전에 필요한 요건을 정립하는 동시에, 제조사들이 자사 제품에 충전시스템을 구현하는데 필요한 인증 시스템을 개발하는 것을 목표로 하는 국제 협회이다. 온세미컨덕터는 전기차를 위한 모든 핵심 기술을 보유하고 있다. 특히, 절연 게이트 양극형 트랜지스터(IGBT), 고전압 게이트 드라이버, 초접합(super junction) 정류기, 고전압 MOSFET, 고전압 DC-DC 컨버터, 그리고 실리콘 카바이드(SiC)와 갈륨 질화물(GaN) 소재의 와이드밴드갭(Wide Band Gap) 반도체 디바이스 등을 포함한 광범위한 차량 인증 전력관리 제품 포트폴리오를 겸비했다. 또한 실리콘 개발 외에도 고출력 모듈, 단일 및 양면 냉각, 양면 직접 냉각 패키지와 같은 고급 패키징 기술에 대한 투자도 진행중이다. 이와 더불어, 온세미컨덕터는 센싱은 물론, 통신 및 아날로그 솔루션과 같이 현재 및 미래의 전기차 충전 인프라에
▲ 빛으로 구동하는 실리콘 나노선 트랜지스터 [첨단 헬로티] 고려대 박홍규 교수 연구팀이 오직 빛으로만 전기 신호를 제어하고 효율적으로 전류를 증폭할 수 있는 새로운 나노선 트랜지스터를 최초로 개발했다. 나노선은 단면의 지름이 수 나노미터에서 수백 나노미터이고 길이는 수십 마이크로미터인 1차원 형태의 나노 구조체. 레이저나 트랜지스터, 메모리, 화학감지용 센서 등 다양한 분야에 쓰인다. 트랜지스터는 현대 전자기기를 구성하는 가장 기본 부품 중 하나로서, 전기 신호의 증폭 작용과 스위치 역할을 한다. 기존 트랜지스터의 동작 효율을 높이기 위해 나노 크기로 제작하거나 빛을 쪼여주는 등의 연구가 진행 중이지만, 복잡한 공정과 낮은 수율로 인해 상용화가 어려운 상황이다. 연구팀은 실리콘 나노선에 다공성 실리콘을 부분적으로 삽입하여, 빛만으로 전기 신호를 효과적으로 제어할 수 있는 새로운 개념의 나노선 트랜지스터를 개발하였다. 이로서 기존의 복잡한 반도체 설계 및 제작 공정을 획기적으로 줄일 수 있게 되었다. 다공성 실리콘은 내부에 수 나노미터(1 나노미터는 10억분의 1미터)의 수많은 작은 구멍을 가지고 있는 실리콘이다. 다공성 실리콘은 내부에 수많은 작은 구멍이
[첨단 헬로티] NXP는 915MHz 애플리케이션용 트랜지스터 MRF13750H를 출시한다고 21일 밝혔다. 회사측에 따르면 MRF13750H 트랜지스터는 기존 제품 대비, 60% 높은 750연속파(CW)를 제공한다. 50V 실리콘 LDMOS에 기반한 이 제품은 솔리드 스테이트(solid-state) RF 생성(generation) 한계를 확장시켜, 고전력 산업 시스템용 진공관(vacuum tubes)을 대체할 수 있다. MRF13750H 트랜지스터는 마그네트론(magnetrons)과 같은 진공관 시대 기술 대비우수한 정밀성, 제어를 제공한다. 마이크로웨이브 제너레이터(microwave generator) 설계자들을 위한 편의성도 갖췄다. 전체 동력 0~750W 범위 내에서 정확한 전력 제어를 지원하며, 정확한 RF 에너지 사용을 위한 주파수 이동이 가능하다. 시간 흐름에 따른 성능 저하를 최소화 하며, 수십년 운영할 수 있어 총소유비용 절감 효과도 우수하다. 마그네트론보다 높은 안정성을 위해 구동 전력은 50V로 설정되어 있다. 소형 사이즈의 솔리드 스테이트 전력 증폭기로 설계상 중복성 및 유연성이 가능하다는 점도 특징이다. 피에르 피엘(Pierre Pie
최신 반도체 및 전자부품의 세계적 유통업체인 마우서 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 파나소닉의 질화 갈륨 (GaN) 솔루션의 판매를 시작한다고 발표했다. 최신 파워 서플라이 설계가 필요로 하는 효율성과 전력 밀도에 부합하기 위해, 많은 설계 엔지니어들이 GaN 기술과 같이 다양한 산업용 및 가전 파워-스위칭 시스템에서 시스템의 크기를 줄이고 에너지를 절약 하는데 도움이 되는 기존의 MOS 기술의 대안을 찾고 있다. 파나소닉의 GaN 솔루션은 엔지니어들이 파워 서플라이, 태양열 발전 인버터, 모터 드라이브 그리고 전기자동차 와 같은 다양한 파워 애플리케이션에서 에너지 손실을 줄이기 위해 사용할 수 있는 파워 트랜지스터, 게이트 드라이버, 그리고 평가 보드로 구성되어 있다. Mouser Electronics가 판매하게 될 파나소닉 GaN 솔루션은 질화 갈륨 화합물 실리콘 기질과 기존의 실리콘 소자보다 더 빠른 스위칭과 쉬운 소형화가 가능하도록 높은 붕괴점 전압과 낮은 전도 저항 성질의 화합물을 실리콘 기판에 구현한 것이다. PGA26E19BA GaN 표면 실장 (SMD) 파워 트랜지스터는 강화된 모드의 제품으로 600V 차단 전압에서 파워 스위
다양한 전자 애플리케이션에 걸쳐 고객들에게 기여하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 엠디메쉬(MDmesh) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 공개했다. 컴퓨터, 통신 네트워크, 산업 및 컨수머 기기의 저전력 전원 공급 장치의 효율성을 더욱 향상시킬 수 있는 제품이다. 전세계적으로 전자책, 비디오, 사진, 음악파일과 같은 디지털 데이터를 수집하고, 저장하고, 공유하는 규모가 급격히 증가하는 추세이다. 이에 따라 클라우드를 호스트하는 대규모 서버팜(Server Farm)은 물론 모든 사람과 사물의 연결 매개체가 제공될 뿐만 아니라 궁극적으로는 데이터 사용이 이루어지는 통신 네트워크에서의 에너지 소모를 최소화할 필요가 증가하고 있다. ST는 최첨단 전력-트랜지스터 구조에 작은 사이즈와 비용 효율성, 열효율이 뛰어난 파워플랫(PowerFLAT) 8x8 HV 패키징 기술을 결합한 세계 최상의 전력밀도[1] 솔루션을 통해 이러한 과제를 해결해 나가고 있다. ST의 새로운 전력-트랜지스터 제품군은 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재하고 있으며, 최고 650V의 항복전압을
도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation, 도시바) 산하 반도체/스토리지 제품 컴퍼니가 DMOS FET 유형의 소스-아웃풋(source-output) 드라이버를 탑재한 차세대 고효율 트랜지스터 어레이 ‘TBD62783A’ 시리즈를 출시했다. 새 시리즈는 LED 드라이브 등의 애플리케이션에 광범위하게 사용돼 온 양극성 트랜지스터 어레이 ‘TD62783’ 시리즈를 뒤잇는 제품군이다. ‘TBD62783A’ 시리즈 제품 4종의 샘플 출하는 9월 30일 시작될 예정이며, 양산은 2015년 12월 개시될 예정이다. 이와 함께 도시바는 모터, 릴레이, LED 드라이버 등의 제품을 위한 양극성 트랜지스터 어레이 ‘TD62083’ 시리즈의 후속 제품인 DMOS FET 유형의 싱크-아웃풋(sink-output) 드라이버도 출시할 계획이다. 이솔이 기자
ams의 풀서비스파운드리 사업부는 업계 선도적인 0.35µm 고전압 CMOS 전용 공정 플랫폼의 활용을 더욱 확장한다고 발표했다. 고전압 공정 전문기술력으로 제공되는 진보된 “H35” 프로세스는 획기적으로 면적을 축소하고 성능을 향상시킨 전압 확장 가능한 트랜지스터 세트를 포함한다. 새로운 전압 확장 가능한 고전압 NMOS 및 PMOS 트랜지스터 디바이스들은 20V~100V의 다양한 드레인 소스 전압 레벨(VDS)에 최적화 되어 있으며 매우 낮은 온저항을 제공해 면적 축소의 결과를 제공한다. 50V의 고정형 트랜지스터 대신 전력 관리 애플리케이션에서 최적화된 30V NMOS 트랜지스터를 사용하여 약 50%까지 면적을 축소시켰다. 60V로 최적화된 NMOS 디바이스는 120V NMOS 표준 트랜지스터와 비교할 경우 면적이 22% 더 축소된다. 대형 드라이버와 스위칭 IC처럼 복잡한 고전압 아날로그/혼성 신호 애플리케이션을 개발하는 파운드리 고객사들은 웨이퍼 당 더 많은 다이를 생산할 수 있는 이점을 누릴 수 있다. 면적에 최적화된 디바이스는 자동차, 의료, 산업 분야 제품에서 사용되는 MEMS 드라이버, 모터 드라이버, 스위치
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