일반뉴스 트랜스폼, 4세대 GaN 플랫폼 'SuperGaN 전력 FET' 공개

[첨단 헬로티] 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 선도적으로 설계하고 제조하는 트랜스폼(Transphorm)이 4세대 GaN 플랫폼을 발표했다. 트랜스폼의 최신 기술은 자사의 이전 세대 GaN 제품에 비해 성능, 설계성 및 가격 면에서 눈에 띄게 향상됐다. 이와 관련, 트랜스폼은 또 4세대 및 미래 세대 플랫폼을 SuperGaN 기술로 부를 것이라고 밝혔다. 첫 번째 JEDEC인증 받은 SuperGaN 디바이스는 PQFN88패키지로 패킹한 240 mΩ 650 V GaN FET(전기장효과 트랜지스터)인 TP65H300G4LSG이다. 두 번째 SuperGaN디바이스는 TO-247패키지로 패킹한 35 mΩ 650 V GaN FET인 TP65H035G4WS이다. 이들 디바이스는 현재 샘플이 공급되고 있으며 각각 2분기와 3분기에 출시될 예정이다. 적용 대상 애플리케이션은 어댑터, 서버, 통신, 광범위한 산업, 재생 제품 등이다. 시스템 설계자들은 트랜스폼의 4kW 브리지리스 토템폴(bridgeless totem pole) 교류-직류(AC-DC) 평가 보드인TDTTP4000W066C키트에서 기술을 평가할 수 있다. SuperGaN 기술의 차이

• 이나리 기자
• 2020-04-16 09:54