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# 전력 반도체

일반뉴스 정부 R&D 지원 사상 첫 5조 원 돌파...'반도체, 미래차' 등 집중

탄소중립 R&D에 45% 증가한 1조1961억원 반도체, 미래차, 바이오 등 3대 신산업에 7870억원 내년 산업부 연구개발(R&D) 예산은 올해 4.9조원 대비 약 11.9% 증가한 5조5415억원으로, 사상 처음 5조원을 돌파했다. 2018년 이후 핵심 소재 글로벌 공급망 재편, 코로나19 펜데믹, 기후위기 등 전례없는 경제 위기 상황에서 산업기술 R&D 예산은 약 2.4조원 이상 증가했다. 핵심 분야별 연구개발 투자로는 먼저 탄소중립 R&D 예산에 1조1961억원을 편성해 2021년 대비 45% 이상 투자를 확대한다. 산업 디지털 전환 R&D 예산에 2640억원을 편성하여, 산업 현장에서 직면하는 디지털 전환 수요, 펜데믹 계기 비대면 디지털 경제로의 급속한 전환에 적극 대응한다. 핵심 소재․부품․장비 공급망 안정화와 미래 신공급망 창출․선점을 위해 올해 대비 8.1% 증가한 1조6816억원을 편성했다. 반도체, 미래차, 바이오 등 혁신성장 3대 신산업 분야에는 올해보다 27.8% 증가한 총 7천870억원을 투자한다. 먼저 반도체 부분에서는 인공지능반도체 상용화, 화합물기반 차세대 전력 반도체 개발, 주력산업 데이터
- 이동재 기자
- 2021-12-27 15:05
일반뉴스 산업부, “전력 반도체 상용화 사업 누적 매출 390억원 달성”

헬로티 이동재 기자 | 산업통상자원부(이하 산업부)가 21일 한국산업기술평가관리원, 한국반도체산업협회와 함께 그간 추진해온 ‘신산업 창출 파워반도체(전력 반도체) 상용화 사업’의 사업화 성과를 점검·공유하고, ‘K-반도체 전략’의 후속과제로 추진되는 ‘화합물 기반 차세대 전력 반도체 기술개발 사업’의 추진 방향에 대해서 논의했다. 현재 추진 중인 ‘신산업 창출 파워반도체 상용화 사업’은 2017년부터 실리콘 및 화합물(SiC, GaN) 소재 전력 반도체의 선제적 기반 구축을 지원하고 있으며, 2023년까지 총 836억원이 투입될 계획이다. 사업추진 5년차를 맞아 진행된 이번 성과점검에서는 참여기업들의 제품 개발을 통해 누적(~2021년 5월) 매출 390억원 규모의 사업화 성과가 창출됐음을 확인했다. 대표적으로 A社는 IoT 디바이스용 고효율 배터리 관리 반도체를 개발해 누적 210억원의 매출을 창출했으며, B社는 자동차 조향에 활용되는 반도체 개발에 성공해, 완성차 업체 납품을 통해 누적으로 약 80억원의 매출 성과를 확보했다. 산업부는 이 외에도 여러 참여기업들이 화합물 반도체 등 차세대 전력 반도체 분야에서 매출을 창출했으며, 정부의 선제적 지원을 바탕
- 이동재 기자
- 2021-07-21 11:54
일반뉴스 정부, ‘K-반도체 전략’ 현황 점검...‘하반기부터 성과 본격 도출될 것’

헬로티 이동재 기자 | 정부가 1일 제12차 혁신성장 BIG3 추진회의를 개최하고, 지난 5월 13일 관계부처 합동으로 발표한 ‘K-반도체 전략’의 후속조치 추진현황과 향후계획을 점검했다. 정부는 “그간 추진된 K-반도체 전략이 규제완화, 인력양성 등 성과를 조기 창출했다”며, “올해 하반기 이후부터는 세제지원, 제도개선, 민간투자 등 다양한 분야의 성과가 본격 도출될 것”으로 전망했다. 산업부 등 관계부처는 국내 반도체 공급 인프라 확대를 위해 세제·금융지원, 규제완화 등 후속과제를 차질없이 이행 중이라고 밝혔다. 반도체 핵심기술을 국가전략기술로 선정해 R&D‧시설투자시 공제율을 대폭 확대할 계획이며, 현재 메모리‧시스템‧소부장 등 주요 부문 중심으로 국가전략기술 선정 논의를 진행 중이라는 설명이다. 향후, 기재부는 세법개정안을 통해 국가전략기술안을 발표하고, ‘조세특례제한법’ 개정안을 9월 정기국회에 제출할 예정이다. 정부는 또한 반도체 등 중소·중견기업 대상 금융지원 프로그램(1조원+α)이 지난달 8일 신설되어 투자 수요가 있는 파운드리, 소부장, 패키징 기업을 대상으로 자금 지원을 안내 중이라고 밝혔다. 지난달 17일부터는 전파응용설비 교체 시
- 이동재 기자
- 2021-07-01 13:07
기술자료 고성능 그래핀-구리 적층 배선 제작 기술 개발...저온 합성공정 이용

[헬로티] 한국광기술원은 AI에너지연구센터 손명우 박사팀이 저온 합성공정 기술을 이용, 반도체 전극의 물리적 손상을 방지하는 고성능 그래핀-구리 적층 배선 제작 기술을 세계 최초로 개발했다고 4일 밝혔다. 그래핀 저온 대면적 합성 기술을 기반으로 한 이 기술은 반도체와 디스플레이 분야에 폭넓게 적용이 가능하다. 그래핀은 전기·화학적 특성이 우수해 반도체 분야 '꿈의 신소재'로 불리는 물질이다. 지금까지 그래핀-구리 배선은 800℃ 이상의 고온에서 저압 화학 기상 증착법을 활용, 구리 호일 위에 그래핀을 합성하고 구리 배선에 전사해 제작하지만, 고온으로 인해 배선 기판이나 반도체에 물리적 손상이 발생하는 문제를 안고 있다. 저온의 화학기상증착법에 플라즈마를 적용해 그래핀을 구리 배선에 직접 합성하는 방식을 사용하지만 플라즈마의 높은 에너지로 그래핀의 물리적인 손상은 여전히 해결되지 않고 있다. 손 박사팀은 이러한 문제 해결을 위해 벤젠이나 피리딘 등의 액상 탄소소스를 그래핀 공정에 사용, 400℃ 이하의 저온 상압 화학기상증착법으로 기판이나 반도체의 물리적 손상 없이 그래핀-구리 배선 제작에 성공했다. 또 아르곤 가스를 주입하는 정화공정을 새롭게 개발해 저온
- 김진희 기자
- 2021-06-05 11:00

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UPDATE: 2025년 02월 05일 14시 39분