일반뉴스 램리서치, 차세대 유전체 식각 신기술로 NAND 및 D램 성능 개선 나서

[헬로티] Vantex의 새로운 기술 혁신과 Equipment Intelligence로 고종횡비(high aspect ratio) 식각이 재정의되면서 칩 제조업체들은 3D NAND 및 DRAM 로드맵을 발전시킬 수 있게 됐다. ▲램리서치는 최신 유전체 식각(dielectric etch) 기술 Vantex를 전 세계에 동시 공개했다. 램리서치는 현재 출시된는 식각 플랫폼 중 지능면에서 가장 앞선 Sense.i에 맞게 설계된 최신 유전체 식각(dielectric etch) 기술 Vantex를 오늘 공개했다. 식각 기술 분야를 선도하는 램리서치의 기술력을 바탕으로 구축된 디자인 설계는 현재와 미래 세대의 NAND 및 D램 메모리 소자 성능은 물론 그 확장성까지 향상시킬 수 있게 됐다. 스마트폰, 그래픽 카드, 솔리드 스테이트(solid-state) 스토리지 드라이브 등에 사용되는 3D 메모리 소자를 만드는 칩 제조업체들은 소자의 높이 치수는 늘리고 가로 임계치수(critical dimension, CD)는 줄여 노드의 비트당 원가를 줄이기 위해 끊임없이 노력해왔다. 그 결과 3D NAND와 DRAM의 식각 종횡비가 새로운 차원에 도달하고 있다. Vantex의 챔버

• 서재창 기자
• 2021-01-29 10:37