헬로티 서재창 기자 | 램리서치가 8일인 오늘 신제품 Syndion GP를 발표했다. Syndion GP는 자동차, 전력 송배전, 에너지 부문에 사용되는 차세대 전력 소자와 전력 관리 집적 회로를 개발하는 반도체 칩 제조업체들이 딥 실리콘 식각을 구현한다. 자동차, 전력 송배전, 에너지 부문의 기술 고도화로 칩 수준에서 전력 증가, 성능 개선, 밀도 증가에 대한 요구가 커지면서 고종횡비 구조에 필요한 전체 웨이퍼 간 균일도 요건이 강화됐다. 이 웨이퍼 간 균일도를 갖는 고종횡비 기술은 폼 팩터를 희생시키지 않고 고급 소자개발을 가능하게 할 수 있다. 이를 위해 소자 제조업체는 정밀하고 균일한 딥 실리콘 식각 공정을 갖춰야 한다. 이 같은 고정밀 제조 공정을 지원하도록 설계한 것이 바로 Syndion GP다. 이 장비는 기존 200mm뿐 아니라 300mm 크기의 웨이퍼에서도 소자를 생산하도록 구성해서 사용할 수 있어 용량 증가로 가는 과정이 간소화된다. 현재 많은 전력 소자가 200mm 직경 실리콘 웨이퍼로 제조되지만, 증가하는 수요를 맞추기 위해 300mm 웨이퍼 생산으로 이동하는 중이다. Syndion GP는 램리서치의 딥 실리콘 식각 능력을 기반으로 하며
헬로티 이동재 기자 | 전이금속 디칼코게나이드의 상용화를 앞당길 핵심 원리가 밝혀졌다. 기초과학연구원(IBS) 다차원 탄소재료 연구단 펑딩 그룹리더 연구팀이 베이징대 등 중국 연구진과 함께 전이금속 디칼코게나이드의 대면적 단결정 성장에 영향을 미치는 핵심 원리를 규명했다. 나아가 공동연구진은 이황화텅스텐(WS2) 등 대표적인 전이금속 디칼코게나이드 소재를 웨이퍼 크기의 단결정으로 제작하는 데도 성공했다. 전이금속 디칼코게나이드(TMD, Transition Metal Dichalcogenide)는 황, 셀레늄, 텔레늄 등의 칼고켄 화합물과 전이금속으로 이뤄진 반도체 물질이다. 실리콘 기반 반도체 기술의 성능이 한계에 도달하면서 우수한 물리적‧전기적 특성을 지닌 전이금속 디칼코게나이드가 그래핀, 흑린 등과 함께 차세대 반도체 물질로 각광받고 있다. 고성능의 웨이퍼를 만드는 데 주로 쓰이는 ‘에피텍셜 성장법’의 핵심 기술은 기판에서 성장한 모든 작은 단결정이 균일하게 정렬되도록 하는 것이다. 하지만, 전이금속 디칼코게나이드의 경우 2가지 원소로 구성되어 있어 구조적인 대칭점이 중심이 아닌 가장자리에 위치하기 때문에 기판 선택이 까다롭다. 이번 연구에서 공동연구진은
헬로티 서재창 기자 | 텍사스 인스트루먼트(이하 TI)는 미국 텍사스 주 셔먼에 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조공장을 구축하고, 내년에 공사를 시작할 계획이라고 발표했다. 텍사스 북부에 위치한 TI의 셔먼 부지는 반도체 팹을 최대 4개까지 수용할 수 있어 산업용 및 차량용 반도체를 필두로 늘어나는 반도체 시장의 수요를 충족할 것으로 기대된다. 첫 번째와 두 번째 반도체 팹은 2022년부터 착공할 예정이다. 리치 템플턴 TI 회장 겸 CEO는 "셔먼 부지에 구축될 아날로그 및 임베디드 프로세싱 300mm 팹은 TI의 제조 및 기술 경쟁력을 강화하고, 향후 수십 년간 고객의 수요를 지원하기 위한 장기적인 제조 역량 강화 계획의 일부"라고 밝혔다. 이어 그는 “우리는 북부 텍사스에 90년 이상 헌신해왔으며, 이번 결정은 셔먼 지역사회에 대한 우리의 강력한 파트너십과 투자를 보여주는 증거”라고 말했다. 첫 번째 반도체 팹의 첫 생산 일정은 2025년으로 예상된다. 최대 4개의 반도체 팹을 수용할 수 있는 셔먼 부지의 잠재적 투자 가치는 약 300억 달러에 이르며, 시간이 지남에 따라 3000개의 새로운 일자리를 창출할 것으로 기대된다. 새로운 반도체 팹은 텍사
헬로티 서재창 기자 | ACM 리서치가 글로벌 주요 반도체 제조기업으로부터 자사의 Ultra C SAPS 전면 세정 장비에 대한 평가판을 수주했다고 밝혔다. 장비 납품은 2022년 1분기에 이 고객사의 중국 내 개발 팹에 설치될 예정이다. ACM 리서치의 대표이사 CEO인 데이비드 왕(David Wang) 박사는 “중국에서 팹을 가동하고 있는 글로벌 반도체 회사로부터 받은 이번 주문 건은 우리에게 엄청난 기회”라고 밝혔다. 이어 그는 “이 반도체 회사는 당사의 R&D 능력과 생산공정 향상을 위한 노력의 일환으로 ACM의 SAPS 기술을 평가해보기로 결정했다. 이번 장비 평가를 성공적으로 완료함으로써 우리는 이 고객사를 포함해 이 지역의 다른 주요 고객과도 비즈니스 및 협력 기회를 이어갈 것으로 기대한다”고 말했다. ACM 리서치의 SAPS(Space Alternated Phase Shift) 첨단 웨이퍼 세정 기술은 메가소닉 변환기와 웨이퍼 사이의 틈에서 메가소닉 파동의 위상변화를 이용한다. 기존 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템에 사용돼 온 고정형 메가소닉 변환기와 달리, SAPS 기술은 웨이퍼가 회전하는 동안 변환기를 움직이거나 기울임으로써, 웨이퍼가
헬로티 서재창 기자 | TSMC가 미국 정부의 요청에 따라 반도체 공급망 정보를 제출한 것으로 알려졌다. 8일 연합보 등 대만언론에 따르면, TSMC는 전날 미국 상무부의 반도체 공급망 관련 설문지에 이미 답변해 제출했다며 글로벌 반도체 공급망과 관련한 도전 극복에 지속적으로 협조할 것이라고 밝혔다. 다만 고객의 기밀을 보호한다는 일관된 입장을 견지해 특정 고객의 자료는 공개하지 않았다고 덧붙였다. 연합보는 미국 연방관보와 해당 사이트를 인용해 TMSC가 미 상무부에 제출한 공개 문건에 올해 매출액이 사상 최대인 566억 달러(약 67조30억8000만 원)로 연 매출 증가율이 24.4%에 달할 것으로 보인다고 밝힌 것으로 보도했다. TSMC의 이번 자료는 이미 제출한 23개 기업 등의 관련 자료 가운데 가장 명확한 것으로 평가됐다. 특히 지난 2년간 차량용 반도체 매출액은 전체 매출의 3~4%에 달하는 것으로 파악됐다고 연합보는 전했다. 대만 언론은 전날까지 파운드리 업계의 TMSC와 UMC, 반도체 패키징 테스트 분야 ASE, 반도체 웨이퍼 생산업체인 글로벌웨이퍼스 등 대만의 대표 기업이 이미 미 상무부에 설문지 제출을 마쳤다고 전했다. 그러면서 미국 인텔
헬로티 조상록 기자 | 삼성전자가 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다. 삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있으며, 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다. 삼성전자는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다. 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 또한, 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이
헬로티 조상록 기자 | ACM리서치가 자사 최초의 300mm싱글 웨이퍼 과산화황 혼합물 시스템(Sulfuric Peroxide Mixture system, SPM) 장비를 출시했다. 이 장비는 첨단 로직, DRAM, 3D-NAND 칩, 기타 집적 회로 제조의 습식 세정 및 식각(etching) 공정에 널리 사용할 수 있으며 특히 고용량 이온을 활용한 포토레지스트 제거 공정과 금속 식각 및 스트립 공정에 적합하다. 이 제품은 기존 ACM리서치의 SPM 공정 제품을 확장한 것으로 10nm 이하의 첨단 공정에서 고온의 단계를 추가해 더욱 다양하고 세밀한 온도 단계를 지원한다. 이번에 개발한 싱글SPM 장비는 당사의 Ultra C Tahoe 장비를 기반으로 한다. 기존 Ultra C Tahoe 장비는 정상 온도에서 대부분의 SPM 공정단계를 지원하고 있으며, 이번 장비는 거기에 고온 SPM의 공정능력을 추가했다. 오늘날 대부분의 SPM 습식 공정은 145°C 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 널리 사용된다. 2018년에 소
헬로티 서재창 기자 | 오로스테크놀로지가 오버레이 계측에 이어 검사 장비로도 영역을 확대하고 있다. 8인치 웨이퍼 백사이드 검사 장비인 WBIS-200이 대표 장비다. 해당 장비는 기존의 8인치 시장을 포함해, 현재 폭발적으로 성장하는 화합물 반도체 시장에서 활용될 수 있는 장비로서 앞으로 성장 가능성이 유망하다. 오로스테크놀로지는 8인치 오버레이 계측 장비인 OL-100n 모델도 보유해 8인치 반도체 시장에서의 대응이 충분한 것으로 파악된다. 웨이퍼 백사이드는 증착, Etching 및 CMP를 포함해 모든 공정 단계에서 오염되거나 손상될 수 있는데, 이러한 결함은 공정의 균일성에 영향을 미친다. 웨이퍼 팹의 전체 수율 손실의 10%를 차지하며 연 수천만 달러의 수익 손실을 의미한다. 그렇기 때문에 반도체 제조업체는 모든 공정에서 필수 단계로 웨이퍼 백사이드 검사를 진행하는 것이 필요하다. 오로스테크놀로지의 WBIS-200은 한 번의 캡처로 웨이퍼 백사이드의 2D 정보를 모두 읽어내는데, 처리 능력을 의미하는 Throughput은 기존 장비 대비 1.2배 월등해 반도체 팹의 생산성 증대에 기여한다. 또한, EPI(CIS), NON EPI 웨이퍼에 모두 대응이
헬로티 서재창 기자 | 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 오스트리아 필라흐에서 300mm 박막 웨이퍼 기반의 파워 일렉트로닉스를 위한 최첨단 칩 공장 가동을 시작했다고 밝혔다. 투자 규모는 16억 유로로 유럽의 마이크로 일렉트로닉스 분야에서 규모가 가장 큰 프로젝트 중 하나다. 인피니언은 에너지 효율을 높이고 CO2 배출을 줄여야 하는 문제를 인식하고 그 토대 위에서 장기적이고 수익성 높은 성장을 이어가기 위한 발판을 마련해왔으며, 2018년에 전력 반도체 칩 공장 건설을 발표했다. 인피니언의 CEO 라인하드 플로스(Reinhard Ploss) 박사는 “전 세계적으로 전력 반도체에 대한 수요가 계속해서 증가하는 상황에서 이 새로운 팹 설비는 고객에게 반가운 소식일 것이다. 지난 몇 개월 동안 마이크로 일렉트로닉스가 우리 생활의 모든 면에서 얼마나 중요한 역할을 하는지 여실히 증명됐다"고 밝혔다. 라인하드 플로스 박사는 "디지털화와 전기화의 속도가 갈수록 빨라지면서 전력 반도체에 대한 수요는 계속해서 증가할 것으로 보인다. 생산 용량 확대는 장기적으로 전 세계 고객에게 더 나은 서비스를 제공하는데 도움이 될 것”이라고 말했다. 이 공장은 3년간의 준비와
헬로티 서재창 기자 | SK실트론은 글로벌 안전인증기업 'UL(Underwriters Laboratories)'로부터 '폐기물 매립 제로(Zero Waste to Landfill, ZWTL)' 골드 등급 인증을 추가 획득했다고 27일 밝혔다. 폐기물 매립 제로 인증은 UL이 매년 사업장에서 발생하는 총 폐기물 중 재활용이 불가능한 폐기물을 제외한 뒤 재활용률을 수치화해 우수 사업장에 플래티넘(재활용률 100%), 골드(95~99%), 실버(90~94%) 3단계의 등급을 부여하는 제도다. SK실트론은 지난 5월 웨이퍼 업계 최초로 구미 제3공장에 대해 골드 등급 인증을 받은 데 이어 이번에 구미 제2공장도 98%의 재활용률을 달성해 골드 등급 인증을 받았다. 회사측에 따르면, 일본·대만·유럽 등에 위치한 반도체 실리콘 웨이퍼 업체 중 UL의 폐기물 매립 제로 인증을 받은 곳은 SK실트론이 유일하다. SK실트론은 내년 상반기중 남은 제1공장까지 골드 등급을 획득하고, 향후 전 사업장에서 폐기물 매립을 제로화한다는 계획이다. 연말에는 카본 트러스트 물 발자국 인증을 추가 획득하는 등 ESG(환경·사회·지배구조) 경영을 지속적으로 실천해간다는 방침이다.
헬로티 서재창 기자 | ACM 리서치는 베벨 에치(Bevel Etch) 식각 장비를 출시해 자사의 습식 공정 장비의 적용 범위를 한층 더 확장한다고 밝혔다. 새로 출시한 장비는 습식 식각 방식을 사용해 웨이퍼 에지에 있는 다양한 유형의 유전체, 금속 및 유기 물질 막질과 미립자 오염 물질을 제거한다. 이러한 처리 방식은 에지 부분의 오염이 후속 공정 단계에 미치는 영향을 최소화하고, 칩 제조 시 수율을 개선하며, 웨이퍼 후면 세정 기능을 통합 제공해 공정을 더욱 최적화한다. ACM 리서치의 데이비드 왕(David Wang) CEO는 ”IC 제조 공정 중 특히 3D낸드, D램 및 고급 로직 공정에서 웨이퍼 에지 박리, 파티클 및 잔여물로 인해 웨이퍼 에지 수율 저하가 발생하고 있고 이 문제를 해결하기 위한 전체 공정 수율 제고의 필요성이 대두되고 있다”고 밝혔다. 데이비드 왕 CEO는 “ACM의 베벨 에치 장비는 에지 수율 저하 문제를 효과적으로 해결하며, 그동안 습식 공정에서 전문적 입지를 구축해온 ACM의 분야를 에지 식각의 응용 영역으로 확장하며, 기존 건식 공정보다 향상된 성능을 제공하고 화학 물질의 사용양을 크게 줄인다”고 설명했다. 이어 그는 “AC
헬로티 조상록 기자 | 한국에너지기술연구원(변환저장소재연구실 이진석 박사 연구진)이 수명을 다한 태양광 폐패널을 재활용하고, 더 나아가 회수한 소재로 고효율의 태양전지를 만드는 데 성공했다. 2020년에 개발한 실험실 규모의 태양광 폐패널 재활용 기술 개발에 이어, 상용화가 가능한 수준으로 스케일업 했으며, 에너지소모량도 추가 절감했다. 또한 재활용 기술을 통해 회수한 소재를 다시 사용해 고효율을 내는 태양전지와 모듈을 만들었다. 한국환경정책·평가연구원에 따르면 태양광 폐패널은 2023년 9,665톤, 2028년 1만6,245톤, 2032년 2만7,627톤 등 발생량은 증가할 것으로 전망된다. 이와 함께 2019년 12월 환경부는 '생산자책임재활용제'에 태양광 폐패널을 포함시키고, 회수한 패널의 80% 이상을 재활용하는 내용으로 법 개정을 완료했다. 태양광 패널은 재활용이 가능한 유리, 알루미늄, 실리콘, 구리 등으로 만들어져 적절한 회수 및 재활용을 할 경우 최소 80% 이상 다시 활용이 가능하다. 연구진이 개발한 태양광 폐패널 통합 재활용 기술은 프레임·정션박스 해체 자동화, 고순도 유리 분리, 유가금속 회수, 태양광 패널 제재조로 구성된다. 핵심 공정은
헬로티 조상록 기자 | 한국기계연구원(이하 기계연)은 국내 라이다 센서 전문기업 '에스오에스랩'과 함께 반도체용 웨이퍼 이송장비에 탑재하는 2D 라이다 센서의 국산화에 성공했다. 라이다 센서는 초당 수백만 개의 레이저 빔을 지속적으로 발사하고 센서로 되돌아오는 시간을 바탕으로 거리를 측정하여 주변 환경을 입체적으로 인식하는 장비로 자율주행을 위해서 반드시 필요한 핵심 부품이다. 반도체 생산라인에는 사람 없이도 웨이퍼를 이송하기 위해 천정에 설치된 레일을 따라 공정을 이동하면서 웨이퍼를 실어 나르는 자율주행 시스템 ‘OHT(Overhead Hoist Transport)’가 적용되어 있다. OHT 1대 당 2~4개의 라이다 센서가 필요한데 지금까지 전량 독일과 일본 등 수입 제품에 의존해왔다. 기계연 인공지능기계연구실 하창완 선임연구원 연구팀과 라이다 센서 전문기업 에스오에스랩, 수요기업 세메스가 라이다 센서 국산 기술 개발 및 사업화를 위해 협력한 끝에 국산 제품의 성능을 높이고, 양산 가능한 기술을 확보하는 데 성공했다. 연구팀은 기술 국산화를 위하여 관련 전문기업과 협력해 실제 반도체 생산 현장에 꼭 맞는 맞춤형 제품 개발에 착수했다. 또한, 제품을 필요로
헬로티 서재창 기자 | 한국기계연구원(이하 기계연)이 국내 최초로 400㎚급 레이저 직접 리소그래피 장비 국산화에 성공했다. 반도체 생산성을 획기적으로 개선하는 기술로 기대를 모은다. 기계연 나노공정장비연구실 이재종 연구위원과 임형준 책임연구원 연구팀은 400㎚ 수준의 미세한 초점을 초당 40㎜ 속도로 이동하며 기판 위에 코팅된 레지스트를 가공하는 레이저 리소그래피 장비를 개발했다. 레이저 리소그래피는 기판 위에 레지스트에 레이저 빔의 초점을 맞추면, 레지스트가 빛에 의해 반응해 경화되면서 매우 작은 형상을 만들어내는 기술이다. 연구팀은 다양한 레이저 중 파장이 405㎚ 인 청자색 레이저 다이오드를 이용해 400㎚ 크기의 아주 미세한 초점을 만들고 이를 이용해 기판을 가공하는 데 성공했다. 연구팀이 개발한 장비를 이용하면 레이저 초점이 크기 200㎜의 기판 위를 초당 40㎜ 속도로 이동하면서 마치 도화지 위에 가느라단 펜으로 그림을 그리듯이 가공할 수 있다. 이에 더해 작은 초점으로 넓은 면적에 적용하면서 길어지는 공정시간을 단축하기 위해 공정의 선폭을 최대 50배까지 키우는 기술을 고안하고, 특허도 출원했다. 나노 수준의 리소그래피 기술은 차세대 반도체 리
헬로티 서재창 기자 | ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 스웨덴 노르셰핑(Norrköping)에 위치한 자사 시설에서 차세대 전력 디바이스로 프로토타입의 200mm(8인치) 실리콘 카바이드 벌크 웨이퍼를 생산했다. 200mm SiC 웨이퍼로의 전환은 자동차 및 산업용 분야의 ST 고객 프로그램을 위한 생산력의 증대에 중요한 이정표를 수립했다는 평가를 받는다. 이에 ST는 총 소유비용을 낮춰 가볍고 효율적인 전력전자 장치를 구현해주는 혁신적 반도체 기술 주도권을 강화할 계획이다. ST의 200mm SiC 웨이퍼는 수율에 미치는 영향과 크리스탈-전위 결함이 최소화돼 품질이 매우 우수하다. 웨이퍼의 낮은 불량율은 ST 실리콘 카바이드가 개발한 SiC 잉곳 성장 기술의 탁월한 노하우와 전문성을 바탕으로 달성됐다. 200mm SiC 기판으로 이행하려면 품질 문제의 해결 외에도 제조 장비와 전반적인 지원 에코시스템 성능이 한 단계 더 발전해야 한다. ST는 전체 공급망을 포괄하는 기술 파트너들과 협력해 자체 200mm SiC 제조 장비 및 공정 기술을 개발하는 중이다. ST는 현재 카타니아(이탈리아)와 앙모키오(싱가포르) 팹에 있는 두 개의 150mm 웨이퍼 라인에
상호명(명칭) : ㈜첨단 | 등록번호 : 서울,아54000 | 등록일자 : 2021년 11월 1일 | 제호 : 오토메이션월드 | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 임근난 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2021년 00월00일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 |
사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c)오토메이션월드 all right reserved
UPDATE: 2024년 09월 30일 14시 28분
/pdf.png)
/smartmap_2_01.png)
/smartmap_2_04.png)
/smartmap_2_big_04.jpg)
/smartmap_2_05.png)
/smartmap_2_big_05.jpg)
/smartmap_2_08.png)
/smartmap_2_big_09.jpg)
/smartmap_2_09_2.png)
/smartmap_2_big_10_2.jpg)
/smartmap_2_11_2.png)
/smartmap_2_big_12_2.jpg)
/smartmap_2_02.png)
/smartmap_2_03.png)
/smartmap_2_06.png)
/smartmap_2_big_07.jpg)
/smartmap_2_07.png)
/smartmap_2_big_08.jpg)
/smartmap_2_12.png)
/smartmap_2_big_13.jpg)
/smartmap_2_13.png)
/smartmap_2_big_14.jpg)
/smartmap_2_14.png)
/smartmap_2_big_15.jpg)
/smartmap_2_15.png)
/smartmap_2_big_16.jpg)
/smartmap_2_16.png)
/smartmap_2_big_17.jpg)
/smartmap_2_17_2.png)
/smartmap_2_big_18_2.jpg)
/smartmap_2_18_2.png)
/smartmap_2_big_19_2.jpg)
/smartmap_2_19._2.png)
/smartmap_2_big_20_2.jpg)
/smartmap_2_20.png)
/smartmap_2_big_21.jpg)
/smartmap_2_21.png)
/smartmap_2_22.png)
/smartmap_2_23.png)
/smartmap_2_24.png)
/smartmap_2_25.png)
/smartmap_2_26.png)
/smartmap_2_27.jpg)