[헬로티] 자일링스가 9일인 오늘 온라인으로 진행된 기자간담회에서 진화하는 자동차 시장의 혁신 과제를 해결할 수 있는 최첨단 솔루션을 제공할 계획을 밝혔다. ▲출처 : 자일링스 자일링스는 운전자 지원 시스템과 차량내 애플리케이션 및 자율주행 등의 분야를 중심으로 AI와 머신러닝, TaaS(Transportation as a Service), 인포테인먼트, 커넥티드 카, 전기화 및 기능 안전성 등에 이르기까지 포괄적으로 전개되는 자동차 시장의 기술 혁신을 선도하겠다는 포부를 밝혔다. 자동차 산업은 차량의 설계 향상은 물론, 사용자의 안전성과 편의성을 제공하는 다양한 서비스가 도입되면서 근본적인 혁신이 가속화되고 있다. 엣지 센서와 카메라, 레이더 및 라이다를 이용해 충돌방지, 객체감지, 추적 등의 기능을 제공하는 ADAS는 컴퓨터 비전에서 AI로 이행하고 있으며, 모두 고집적 및 확장이 가능한 자일링스의 적응형 플랫폼에 적합한 핵심 영역이다. 탑승자의 주의력이나 제스처, 선호도를 식별하기 위한 차량내 모니터링 기능도 AI 추론 도입이 가속화되며, 자일링스의 첨단 프로세싱 성능으로 구현되고 있다. 자율주행은 아직 도입 초기 단계이지만, 지속적으로 기술이 발전하면
[헬로티] 전력 반도체 시장에서 모터 드라이브는 큰 부분을 차지한다. 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 빠른 모터 설계를 지원하기 위해 'CoolSiC MOSFET MADK(modular application design kit) 보드'를 제공한다고 밝혔다. ▲인피니언 EVAL M5 IMZ120R SiC 최대 7.5kW 모터용 MADK EVAL-M5-IMZ120R-SIC 평가 보드는 서보 드라이브 애플리케이션을 위한 3상 인버터 보드다. 인피니언은 웹사이트에서 회로도(PDF), 부품(엑셀), 레이아웃(Gerber) 및 설계 패키지(Altium)를 포함하는 다운로드 패키지를 제공한다. 이는 보드를 레퍼런스 디자인으로 사용해서 설계 작업을 빠르게 할 수 있다. 서보 드라이브 애플리케이션에서 실리콘 카바이드는 반도체 전력 손실을 80%까지 줄인다. 이는 냉각팬을 제거할 수 있어 드라이브 유지보수가 필요 없게 된다. 또한, 모터와 드라이브를 통합할 수 있어 복잡한 케이블을 줄이고 인버터 캐비닛을 여유 있게 만든다. 평가 보드는 CoolSiC MOSFET 1200V 제품과 EiceDRIVER 1200V 절연형 게이트 드라이버를 사용해서 설계하는 고객을 지원하기
[헬로티] 전기차에 실리콘 카바이드 (SiC)가 사용되면 효율, 전력 밀도, 성능을 높일 수 있다. 특히 800V 배터리 시스템 및 큰 배터리 용량과 함께 사용되면 SiC는 인버터 효율을 높여서 주행 거리를 늘린다. 인피니언 테크놀로지스는 CoolSiC 자동차용 MOSFET 기술을 채택한 EasyPACK 모듈을 출시한다. 이 모듈은 8mΩ/150A 전류 정격의 1200V 하프 브리지 모듈이다. 지난 10년 동안 인피니언은 산업용 및 자동차용 애플리케이션에 각기 다른 칩셋으로 구성된 5천만 개 이상의 EasyPACK 모듈을 출하했다. 이제 인피니언은 EasyPACK에 CoolSiC 자동차용 MOSFET 기술을 적용하고 자동차용 인증을 취득하여, 높은 효율 및 스위칭 주파수를 요구하는 전기차의 고전압 애플리케이션을 위한 솔루션을 제공하게 되었다. 적합한 애플리케이션은 HV/HV DC-DC 스텝업 컨버터, 다중위상 인버터, 연료전지 컴프레서 같은 고속 스위칭 보조 드라이브이다. CoolSiC 자동차용 MOSFET 기술 새로운 모듈은 인피니언의 SiC 트렌치 (trench) MOSFET 구조를 기반으로 한다. 플래너 (planer) 구조와 비교해서 트렌치 구조는 더
[첨단 헬로티] 150mm 실리콘 카바이드 벌크 제품으로 성장 시장에 대응 GTAT Corporation의 모기업인 GT Advanced Technologies(이하 GTAT)가 전기차와 같은 전력 및 전자 장치에 쓰이는 소재인 실리콘 카바이드(SiC)를 CrystX ™라는 상표로 출시했다. 실리콘 카바이드는 전압 및 온도 내성이 탁월해 전기차와 각종 산업용 기기를 더욱 작고 가볍게 만들어 효율적인 구동을 할 수 있는 장점이 있어 수요가 급증하고 있다. ▲GT Advanced Technologies가 전기차와 같은 전력 및 전자 장치에 쓰이는 소재인 실리콘 카바이드(SiC)를 출시했다. GTAT는 결정성장 분야에서 수십 년간 축적된 경험으로 기술적 우위가 필수적인 성장세의 시장 수요에 대응해 CrystX 실리콘 카바이드 생산량을 늘리고 있다. 그렉 나이트(Greg Knight) GTAT 사장 겸 CEO는 "결정성장 분야에서 우리가 이룩해 놓은 성과 덕분에 CristX 실리콘 카바이드를 낮은 비용으로 생산할 기반을 마련했다"며, "우리는 현재 대량 생산 체제에 있으며 동종 업계에서 가장 빨리 생산 능력을 추가할 수 있다"고 말했다. SiC는 모듈과
[첨단 헬로티] 전자부품연구원(이하 KETI)가 은(Ag)을 활용해 에너지 고효율화를 위한 핵심기술로 부상하고 있는 실리콘카바이드(SiC)파워반도체 실장용 고상접합 기술을 개발했다. 실리콘카바이드 반도체는 갈륨나이트라이드(GaN) 등과 함께 광대역갭 반도체(WBG, Wide Bandgap)로서 기존 실리콘(Si) 반도체 소자 대비 안정적인 고온 동작, 높은 열전도도, 낮은 저항과 높은 내전압 특성을 지닌다. 덕분에 WBG반도체는 방열구조를 간소화할 수 있으며, 전력변환모듈의 집적화(Si반도체 대비 넓이는 1/300, 두께는 1/8 감소)는 물론, 전력 변환 시 발생되는 에너지 손실도 줄일 수 있다. 일반적으로 전력변환 시, SiC반도체의 에너지 손실은 Si반도체 대비 70%이상 줄어들며, SiC파워반도체로 만든 인버터의 경우 에너지효율이 1~2%이상 높다. 하지만 이번 KETI 오철민, 홍원식 박사 연구팀이 개발한 고상접합 기술은 결함이 발생하는 근본 원인을 제거했다. 일반적인 고상접합(소결 등)에 적용되는 가압력을 가하지 않으면서 반도체 소자 및 모듈에 열적 변형을 줄일 수 있는 저온으로 진행되기 때문에 생산 제품마다 각기 다른 가압용 구조물이 불필요하다.