[헬로티] (출처 : ST마이크로일렉트로닉스) ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 산업용 애플리케이션과 범용 광커플러 대체를 위한 새로운 고성능 IC 시리즈로 듀얼 채널 디지털 절연기 STISO621를 출시했다고 27일 밝혔다. STISO621은 ST의 6kV 두꺼운 산화물 기반의 갈바닉 절연 기술을 활용해 3ns 미만의 펄스 왜곡 및 최대 100Mbit/s의 속도로 두 개의 절연 도메인 간에 데이터를 전송한다. 두 개의 독립적인 단방향 채널을 사용하는 이 디바이스는 양방향으로 데이터를 처리하는 UART 인터페이스의 역할을 수행한다. 각 채널에 대한 슈미트 트리거(Schmitt-Trigger) 입력을 통해서는 뛰어난 노이즈 내성을 보장해준다. 갈바닉 방식으로 상호 절연된 STISO621의 양 측면은 각자 독립적인 공급 전압을 가지고 있다. 3V ~ 5V에 이르는 넓은 전압 범위를 각각 가지고 있으며, 3.3V와 5V 회로 간의 레벨 변환이 가능하다. 보통 65kV/µs인 공통모드 과도응답 내성(CMTI: Common-Mode Transient Immunity)으로는 혹독한 환경의 높은 스위칭 과도 현상으로부터
[첨단 헬로티] 파워 솔루션 제공업체인 바이코는 DC-DC 칩(ChiP) 모듈 4종을 출시했다고 15일 밝혔다. DCM™ 제품군에 속하는 이 모듈들은 1,032W/in³의 파워 밀도를 가진 3623(36 x 23mm) 사이즈의 칩(ChiP : Converter housed in Package™)으로 제공된다. 신제품 80W DCM 칩 모듈들은 9V 에서 75V에 이르는 넓은 입력 전압 범위를 가진다. 공칭 출력 전압은 12V, 24V, 28V, 48V이다. 바이코는 “이 DCM 칩은 디스크리트 솔루션들에 비해 더 빠른 파워 시스템 설계 옵션을 제공할 수 있는 DC-DC 컨버터 모듈이다”고 소개했다. 이어, “DCM 제품들은 레귤레이션되지 않은 넓은 범위의 입력 전압으로부터 절연, 레귤레이션된 DC 출력을 만들어 낸다. 고주파 영전압 스위칭(ZVS: zero-voltage switching) 토폴로지를 사용하는 DCM 제품들은 전체 입력 전압 범위에 걸쳐 지속적으로 높은 효율을 제공한다”고 전했다. 또한, “신제품 DCM 제품들은 더욱 정밀한 출력 전압 레귤레이션이 요구되는 방
[첨단 헬로티] 마우저 일렉트로닉스가 사이프레스 세미컨덕터의 S71KL512SC0 HyperFlash™ 및 HyperRAM™ MCP(다중 칩 패키지)를 판매한다고 밝혔다. 이 메모리 서브시스템 솔루션은 빠른 부팅 및 인스턴트온 기능을 위한 고속 NOR 플래시 메모리와 확장 스크래치패드 메모리를 위한 셀프리프레시 DRAM을 소형 풋프린트의 LPC(low-pin-count) 패키지에 결합한 것이 특징이다. 따라서 공간 제약이 따르고, 비용 최적화된 임베디드 설계에 적합하다. ▲마우저 일렉트로닉스에서 판매 시작한 사이프레스 세미컨덕터의 HyperRAM MCP 마우저 일렉트로닉스가 판매하는 사이프레스의 S71KL512SC0 HyperFlash 및 HyperRAM MCP는 사이프레스의 HyperBus™ 인터페이스를 기반으로 설계되어 응답 시간 감소 및 사용자 경험 증가 같은 특징을 갖춘 빠른 시스템을 구현할 수 있다. HyperFlash 512Mb 및 HyperRAM 64M의 성능을 갖췄으며, 기존 SDRAM 및 Quad SPI 솔루션보다 핀 수는 70%, 설치공간은 77% 감소한 고성능 메모리 서브시스템을 찾는 설계자들에게 이상적인
[첨단 헬로티] 마이크로칩네크놀로지가 단일 칩 RF 마이크로컨트롤러(MCU) SAM R30 시스템 패키지(System in Package)를 출시했다. ▲마이크로칩의 SAM R30 솔루션 SAM R30 패키지는 저전력 마이크로컨트롤러와 802.15.4 sub-GHz 라디오를 결합해, 수년간 지속 가능한 배터리 수명을 초소형 5mm 패키지로 제공한다. 설계상의 유연성과 검증된 성능을 소형 패키지에 갖추고 있어 홈 커넥티드, 스마트 시티, 산업용 애플리케이션에 적합하다고 회사측은 설명했다. 배터리 전원을 사용하는 무선 연결 시스템 수요는 계속 증가하고 있다. 저전력 SAMR30은 배터리 수명을 연장시키는 기술을 통해 전력에 민감한 시장의 수요를 만족시켜줄 수 있을 것으로 예상된다. 해당 패키지는 현재 ARM기반 아키텍처 중 Cortex M0+ 아키텍처를 탑재한 SAM L21 MCU를 사용해 설계됐다. SAM R30에 내장된 초저전력 슬립 모드의 경우 500nA에 불과한 소비전력으로 시리얼 통신 또는 범용 입출력(GPIO)에 빠르게 응답한다. 769-935MHz 범위에서 동작이 가능하므로 개발자는 SAM R30 시스템 패키지를 이용해 점대점, 스타 또는 메시 네트