오토메이션월드-대한민국 1등 산업매거진 '자동화기술'

일반뉴스 인피니언, 갈륨 나이트라이드 솔루션 2종 양산 시작

[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 갈륨 나이트라이드(GaN) 솔루션 CoolGaN 600V e-mode HEMT와 GaN EiceDRIVER IC 제품을 출시한다. 더 높은 전력 밀도를 제공하는 이들 제품은 더 작고 가벼운 디자인을 가능하게 하여 시스템 비용과 운영 비용을 낮춘다. CoolGaN 600V e-mode(enhancement mode) HEMT와 GaN EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 출시함으로서, 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN에 걸쳐서 모든 전력 기술을 제공하는 업계 유일한 회사로 자리매김 했다. 새롭게 출시된 CoolGaN 600V e-mode HEMT는 신뢰할 수 있는 “normally-off” 컨셉으로 설계되어, 빠른 턴온 및 턴오프에 최적화되었다. SMPS의 높은 효율과 전력 밀도를 가능하게 하며, 현재 출시된 모든 600V 디바이스 제품 중 최고의 FOM(Figures of merit)을 제공한다. CoolGaN 스위치는 게이트 전하가 매우 낮고 역 전도(Reverse conduction) 시에 동적 성능이 뛰어나다. 따라서 훨씬 더 높은 주파수 동작이 가능하고, 그럼

이나리 기자

2018-11-20 14:01

일반뉴스 TI, GaN FET 드라이버 제품 2종 출시

[첨단 헬로티] TI가 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 제품 포트폴리오에 새로운 고속 GaN FET 드라이버 제품 2종을 추가한다고 밝혔다. 이들 신제품은 라이다(LIDAR)나 5G RF 포락선 추적과 같이 속도를 중요하게 요구하는 애플리케이션에서 보다 효율적이고 성능이 우수한 설계를 구현할 수 있도록 한다. LMG1020과 LMG1210은 50MHz 스위칭 주파수가 가능하고 효율을 향상시키며, 실리콘 MOSFET으로는 불가능했던 5배 작은 솔루션 크기를 구현할 수 있다. LMG1020 60MHz 로우 사이드 GaN 드라이버 제품은 업계에서 가장 우수한 구동 속도와 1ns의 최소 펄스 폭을 특징으로 하는 제품으로서, 산업용 라이다 애플리케이션에서 고정밀 레이저를 가능하게 한다. 또한 0.8mm x 1.2mm에 불과한 소형화된 WCSP(wafer-level chip-scale) 패키지를 적용함으로써 게이트 루프 기생성 및 손실을 최소화하여 효율성을 더욱 높여준다. LMG1210은 50MHz 하프브리지 드라이버 제품은 최대 200V의 GaN FET과 함께 사용하기에 적합하도록 설계되었다. 이 제품은 조절 가능한 데드 타임 제어 기능을 포함하여 고속 DC/DC 컨

정가현 기자

2018-03-12 14:56