오토메이션월드-대한민국 1등 산업매거진 '자동화기술'

일반뉴스 DMC융합연구단, 레이더 핵심 부품인 '전력증폭기 집적회로' 기술 개발

헬로티 조상록 기자 | 국내 연구진이 레이더 및 탐색기용 핵심부품을 개발해 국산화에 성공했다. 국가과학기술연구회(NST) DMC융합연구단은 능동위상배열(AESA) 레이더 핵심부품인 질화갈륨(GaN) 반도체 전력증폭기 집적회로(MMIC) 기술을 개발했다고 밝혔다. 최신형 전투기에 장착되는 AESA 레이더는 신속하고 정확하게 대상물까지의 거리나 위치, 모습을 탐지할 수 있어 전투기의 두뇌라고도 불린다. 레이더 앞부분에 부착된 수천 개의 송·수신 모듈 덕분이다. 송·수신 모듈은 스위치, 전력증폭기(PA), 저잡음증폭기(LNA) 등 반도체 칩을 집적해 제작된다. 연구진이 개발한 부분은 X-대역(8~12GHz 대역. AESA 레이더용으로 쓰임) 및 Ku-대역(12~18GHz 대역. 위성통신과 탐색기용으로 쓰임) 레이더 송·수신기용 전력증폭기 집적회로 기술이다. 전력증폭기는 송신 신호를 증폭시켜 원활한 신호처리 및 표적 탐지·추적을 가능케 하는 장비다. 최근 레이더가 진공관형 증폭기(TWTA) 방식에서 반도체형 전력증폭기(SSPA) 방식으로 변경되는 추세에 따라 전력증폭기 집적회로는 반도체 전력증폭기 국산화 필수 기술로 떠올랐다. 연구진의 X-대역 전력증폭기는 25W급

조상록 기자

2021-07-28 11:00

기획특집 ‘질화갈륨(GaN) 반도체’ 중간점검, 기술 경쟁은 계속된다

[헬로티=이나리 기자] 전기차를 지금보다 더 빨리 충전할 수 없을까? 5G 이동통신의 대중화를 더 앞당기기 위해서 필요한 기술은 무엇일까? 전력 기술 개발을 보다 효율적으로 지원하기 위해서 질화갈륨(GaN) 반도체가 몇 년 전부터 차세대 반도체 핵심 소자로 떠오르고 있다. 이 뿐 아니라 GaN 반도체는 5G 통신 기지국에 탑재되는 RF:Radio Frequency) 전력증폭기(PA:Power Amplifier)에도 활용도가 높아지고 있는 추세다. GaN 반도체 시장에서 경쟁우위를 선도하기 위한 반도체 기업들의 기술 개발과 시장 현황에 대해 알아보자. 질화갈륨(GaN) 반도체가 ‘핫’한 이유는? 에너지를 보다 효율적으로 관리하고 더 작은 공간에서 더 높은 전력 밀도를 달성하고자 하는 요구는 계속해서 높아지고 있다. TV,휴대폰 등과 같은 소비자 가전을 비롯해 통신 하드웨어, 전기자동차, 데이터센터, 태양광 인버터 등의 산업은 전력 변환율 향상, 전력 밀도 증진, 배터리 수명 연장, 스위칭 속도 향상 요구에 직면해 있다. 지난 60년간 반도체 업계에서 실리콘(Si)은 교류(AC)를 직류(DC)로 변환하고 DC 전압을 다시 휴대전화부터 산업용

이나리 기자

2020-07-23 15:36

일반뉴스 ST,질화갈륨(GaN) 반도체 개발 집중…액사겐 인수 결정

[첨단 헬로티] ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)가 프랑스의 질화갈륨(GaN) 기술을 보유한 액사겐(Exagan)의 지분을 다수 인수하기로 합의했다고 밝혔다. 이로써 ST는 GaN을 기반으로 하는 차세대 반도체 기술을 강화할 계획이다. 이와 관련해 ST는 지난 2월 TSMC와 협력을 통해 GaN 기술을 공동 개발한다고 발표한 바 있다. 2014년에 설립돼 프랑스 그르노블에 본사를 둔 액사겐은 전력 전자 산업의 실리콘 기반 기술에서 GaN-온-실리콘 기술로의 전환을 가속화해 보다 작고 효율적인 전기 변환기 구현에 집중하는 기업이다. GaN 전원 스위치는 표준 200mm 웨이퍼 팹에서 제조하도록 설계됐다. ST는 액사겐의 기술을 확보함에 따라 자동차, 산업 및 소비자 애플리케이션을 위한 GaN 로드맵 비즈니스를 확대할 계획이다. ST마이크로일렉트로닉스의 사장 겸 CEO 진 맥 체리(Jean-Marc Chery)는 “ST는 탄화규소에서 강력한 모멘텀을 구축했으며 현재는 매우 유망한 복합 재료로 주목 받는 질화갈륨(GaN)으로 주력하려고 한다. 자동차, 산업 시장에서 GaN을 기반으로 하는 전력제품의 채택을 촉진하기 위해 사업을

이나리 기자

2020-03-16 16:44