탄소중립 R&D에 45% 증가한 1조1961억원 반도체, 미래차, 바이오 등 3대 신산업에 7870억원 내년 산업부 연구개발(R&D) 예산은 올해 4.9조원 대비 약 11.9% 증가한 5조5415억원으로, 사상 처음 5조원을 돌파했다. 2018년 이후 핵심 소재 글로벌 공급망 재편, 코로나19 펜데믹, 기후위기 등 전례없는 경제 위기 상황에서 산업기술 R&D 예산은 약 2.4조원 이상 증가했다. 핵심 분야별 연구개발 투자로는 먼저 탄소중립 R&D 예산에 1조1961억원을 편성해 2021년 대비 45% 이상 투자를 확대한다. 산업 디지털 전환 R&D 예산에 2640억원을 편성하여, 산업 현장에서 직면하는 디지털 전환 수요, 펜데믹 계기 비대면 디지털 경제로의 급속한 전환에 적극 대응한다. 핵심 소재․부품․장비 공급망 안정화와 미래 신공급망 창출․선점을 위해 올해 대비 8.1% 증가한 1조6816억원을 편성했다. 반도체, 미래차, 바이오 등 혁신성장 3대 신산업 분야에는 올해보다 27.8% 증가한 총 7천870억원을 투자한다. 먼저 반도체 부분에서는 인공지능반도체 상용화, 화합물기반 차세대 전력 반도체 개발, 주력산업 데이터
헬로티 이동재 기자 | 산업통상자원부(이하 산업부)가 21일 한국산업기술평가관리원, 한국반도체산업협회와 함께 그간 추진해온 ‘신산업 창출 파워반도체(전력 반도체) 상용화 사업’의 사업화 성과를 점검·공유하고, ‘K-반도체 전략’의 후속과제로 추진되는 ‘화합물 기반 차세대 전력 반도체 기술개발 사업’의 추진 방향에 대해서 논의했다. 현재 추진 중인 ‘신산업 창출 파워반도체 상용화 사업’은 2017년부터 실리콘 및 화합물(SiC, GaN) 소재 전력 반도체의 선제적 기반 구축을 지원하고 있으며, 2023년까지 총 836억원이 투입될 계획이다. 사업추진 5년차를 맞아 진행된 이번 성과점검에서는 참여기업들의 제품 개발을 통해 누적(~2021년 5월) 매출 390억원 규모의 사업화 성과가 창출됐음을 확인했다. 대표적으로 A社는 IoT 디바이스용 고효율 배터리 관리 반도체를 개발해 누적 210억원의 매출을 창출했으며, B社는 자동차 조향에 활용되는 반도체 개발에 성공해, 완성차 업체 납품을 통해 누적으로 약 80억원의 매출 성과를 확보했다. 산업부는 이 외에도 여러 참여기업들이 화합물 반도체 등 차세대 전력 반도체 분야에서 매출을 창출했으며, 정부의 선제적 지원을 바탕
헬로티 이동재 기자 | 정부가 1일 제12차 혁신성장 BIG3 추진회의를 개최하고, 지난 5월 13일 관계부처 합동으로 발표한 ‘K-반도체 전략’의 후속조치 추진현황과 향후계획을 점검했다. 정부는 “그간 추진된 K-반도체 전략이 규제완화, 인력양성 등 성과를 조기 창출했다”며, “올해 하반기 이후부터는 세제지원, 제도개선, 민간투자 등 다양한 분야의 성과가 본격 도출될 것”으로 전망했다. 산업부 등 관계부처는 국내 반도체 공급 인프라 확대를 위해 세제·금융지원, 규제완화 등 후속과제를 차질없이 이행 중이라고 밝혔다. 반도체 핵심기술을 국가전략기술로 선정해 R&D‧시설투자시 공제율을 대폭 확대할 계획이며, 현재 메모리‧시스템‧소부장 등 주요 부문 중심으로 국가전략기술 선정 논의를 진행 중이라는 설명이다. 향후, 기재부는 세법개정안을 통해 국가전략기술안을 발표하고, ‘조세특례제한법’ 개정안을 9월 정기국회에 제출할 예정이다. 정부는 또한 반도체 등 중소·중견기업 대상 금융지원 프로그램(1조원+α)이 지난달 8일 신설되어 투자 수요가 있는 파운드리, 소부장, 패키징 기업을 대상으로 자금 지원을 안내 중이라고 밝혔다. 지난달 17일부터는 전파응용설비 교체 시
[헬로티] 한국광기술원은 AI에너지연구센터 손명우 박사팀이 저온 합성공정 기술을 이용, 반도체 전극의 물리적 손상을 방지하는 고성능 그래핀-구리 적층 배선 제작 기술을 세계 최초로 개발했다고 4일 밝혔다. 그래핀 저온 대면적 합성 기술을 기반으로 한 이 기술은 반도체와 디스플레이 분야에 폭넓게 적용이 가능하다. 그래핀은 전기·화학적 특성이 우수해 반도체 분야 '꿈의 신소재'로 불리는 물질이다. 지금까지 그래핀-구리 배선은 800℃ 이상의 고온에서 저압 화학 기상 증착법을 활용, 구리 호일 위에 그래핀을 합성하고 구리 배선에 전사해 제작하지만, 고온으로 인해 배선 기판이나 반도체에 물리적 손상이 발생하는 문제를 안고 있다. 저온의 화학기상증착법에 플라즈마를 적용해 그래핀을 구리 배선에 직접 합성하는 방식을 사용하지만 플라즈마의 높은 에너지로 그래핀의 물리적인 손상은 여전히 해결되지 않고 있다. 손 박사팀은 이러한 문제 해결을 위해 벤젠이나 피리딘 등의 액상 탄소소스를 그래핀 공정에 사용, 400℃ 이하의 저온 상압 화학기상증착법으로 기판이나 반도체의 물리적 손상 없이 그래핀-구리 배선 제작에 성공했다. 또 아르곤 가스를 주입하는 정화공정을 새롭게 개발해 저온
[헬로티] 세계 최대·최첨단 반도체 공급망 완성…반도체 인력 3만 6000명 육성 반도체 강국을 위해 2030년까지 510조원 이상의 압도적 민간투자로 초격차를 유지하고, K-반도체 벨트를 구축해 세계 최대·최첨단 반도체 공급망을 갖춘다. 산업통상자원부는 13일 삼성전자 평택단지에서 종합 반도체 강국 실현을 위한 ‘K-반도체 전략’을 발표, 세제·금융·인프라 등 전방위 지원 패키지를 제공하고 앞으로 10년간 반도체 인력을 모두 3만 6000명 육성한다고 밝혔다. 또한 세계 최고의 반도체 공급망을 구축하기 위해 ▲반도체 공급망 안정화를 위한 K-반도체 벨트 조성 ▲반도체 제조 중심지 도약을 위한 인프라 지원 확대 ▲인력·시장·기술 확보로 반도체 성장기반 강화 ▲국내 산업 생태계 보호로 반도체 위기대응력을 높여나간다. 사진. 문재인 대통령이 13일 오후 경기 평택시 삼성전자 평택단지 3라인 건설현장에 마련된 야외무대에서 열린 ‘K-반도체 전략 보고’에서 ‘반도체 생태계 강화 연대 협력 협약식’을 마친 후 참석자들
[헬로티] (출처 : 과학기술정보통신부) 정부가 올해부터 시스템반도체 분야 육성을 위한 R&D 사업 지원을 추진한다. 정부는 1일 서울청사에서 관계부처가 참여한 제3차 혁신성장 '빅3' 추진 회의를 열고 '시스템반도체 기술혁신 지원방안'을 발표했다. 정부는 국내 팹리스 기업의 성장 지원과 유망분야 선점, 신시장 도전에 총 2400억 원을 투입할 계획이라고 밝혔다. 먼저 정부는 우리 기업이 경쟁력 있는 분야를 집중 지원하기 위해 기존의 기획-공고 방식이 아닌 자유 기획 방식의 챌린지형 사업공모를 선택했다. 챌린지형 R&D에는 올해 4개 기업, 2023년 2개 기업 등 총 6개 기업을 선정할 예정이며, 선정된 기업에 3년간 최대 55억 원을 지원한다. 설계, 소자, 공정 등 밸류체인 전반의 수요기업 기반 R&D를 통해 국내 수요-공급을 연계하는 대규모 프로젝트를 추진한다. 작년 총 10건의 수요연계 R&D 과제를 발굴해 추진중에 있으며 올해는 총 7건의 추가 과제를 발굴하고 지원할 예정이다. (출처 : 과학기술정보통신부) 국내 중소 팹리스를 대상으로 창업기업 지원, 혁신기술 개발, 상용화 기술개발, 투자형 기술개발 등 다양한 형태의
[헬로티] 현대모비스가 차량용 반도체 분야 개발 역량을 확보하기 위해 계열사인 현대오트론의 반도체 사업 부문을 인수한다. 현대모비스는 11일 현대오트론과 1천332억원 규모의 반도체 사업 부문 개발 인력과 관련 자산에 대한 양수도 계약을 체결했다고 밝혔다. 현대모비스는 이에 앞서 이날 오전 이사회를 열고 이 같은 안건을 승인했다. 현대모비스는 이번 인수를 통해 차량용 반도체의 전문적인 설계, 개발, 검증 역량을 키워 미래차 전장 분야에서 차별화된 통합 제어 기술을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 특히 시스템·전력 반도체의 핵심 기술을 조기에 내재화해 역량을 고도화하고 차세대 고성능 반도체 분야로의 경쟁력 강화로 이어간다는 전략이다. 현대모비스는 우선 고도의 정밀 제어가 필요한 미래차 기술에 적합한 반도체와 제어기 통합형 시스템을 개발해 완성차에 공급할 계획이다. 이를 위해 반도체 설계 조직과 제어 시스템 개발 조직, 소프트웨어(SW) 개발 조직 간 협업을 강화할 예정이다. 기존에는 제어기 사양과 반도체 개발이 분산된 탓에 시스템에 최적화된 반도체 개발과 품질 검증 역량에 한계가 있었지만, 앞으로 시스템 단위로 반도체와 제어기를 통합 개발하
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 폭스바겐 그룹의 전략적 협력사 네트워크 FAST(Future Automotive Supply Tracks)에 새로운 파트너로 참여한다고 지난 16일 밝혔다. 이 프로그램은 미래 전략 분야에서 파트너사들과의 긴밀한 협력을 위한 것이다. e-모빌리티 용 반도체 분야의 선도 주자 인피니언은 세계 최대 자동차 회사가 전기 드라이브트레인으로 전환하는데 크게 기여하고 있다. 인피니언 전력 모듈이 폭스바겐의 모듈러 전기 드라이브 매트릭스인 MEB에서 전기 드라이브를 제어한다. MEB는 업계 최대의 전기화 플랫폼이다. FAST의 일원으로서 인피니언과 폭스바겐은 미래의 반도체 요구사항에 대해 지속적으로 논의해 나갈 것이다. 인피니언 오토모티브 사업부 피터 쉬퍼(Peter Schiefer) 사장은 “인피니언은 고객사와 협력해서 e-모빌리티가 일상 생활의 일부가 되도록 노력하고 있다. 폭스바겐과 협력하여 전기차의 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 등의 혁신을 이룰 수 있다”고 말했다. 폭스바겐의 커넥티비티, e-모빌리티, 운전자 보조 부문 조달 책임자인 마이클 배커(Michael Bae
[첨단 헬로티] FPGA 애플리케이션을 위한 우수한 전력 관리 솔루션을 설계하는 일은 사소한 작업이 아니기 때문에 이와 관련한 많은 기술적인 논의들이 있어 왔다. 이러한 작업의 한 가지 측면은 올바른 솔루션을 찾고 가장 적합한 전력 관리 제품을 찾는 데 있으며, 또 다른 측면은 FPGA에 사용하기 위한 실제 솔루션을 최적화하는 방법을 포함한다. 알맞은 전원 솔루션 찾기 FPGA에 최상의 전원을 공급하는 가능한 솔루션을 찾는 것은 간단하지 않다. 많은 업체들이 FPGA 전원 공급에 적합한 특정 제품들을 시장에 출시하고 있다. FPGA 전원 공급에 특정한 dc-dc 컨버터의 선택에는 어떤 것이 있을까? 많지 않다. 일반적으로 모든 전력 컨버터는 FPGA 전원 공급에 사용할 수 있다. 특정 제품에 대한 권고는 보통 많은 FPGA 애플리케이션에서 FPGA 코어, I/O, 그리고 추가로 DDR 메모리 터미네이션을 위한 레일을 포함해 여러 개의 전압 레일을 필요로 한다는 사실에 기초한다. 종종 여러 개의 dc-dc 컨버터를 하나의 단일 레귤레이터 칩에 모두 통합한 전력관리 IC(PMIC)가 선호된다. 특정 FPGA에 전원을 공급하는 좋은 솔루션을 찾는 한 가지 일반적인
[첨단 헬로티] TI가 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 제품 포트폴리오에 새로운 고속 GaN FET 드라이버 제품 2종을 추가한다고 밝혔다. 이들 신제품은 라이다(LIDAR)나 5G RF 포락선 추적과 같이 속도를 중요하게 요구하는 애플리케이션에서 보다 효율적이고 성능이 우수한 설계를 구현할 수 있도록 한다. LMG1020과 LMG1210은 50MHz 스위칭 주파수가 가능하고 효율을 향상시키며, 실리콘 MOSFET으로는 불가능했던 5배 작은 솔루션 크기를 구현할 수 있다. LMG1020 60MHz 로우 사이드 GaN 드라이버 제품은 업계에서 가장 우수한 구동 속도와 1ns의 최소 펄스 폭을 특징으로 하는 제품으로서, 산업용 라이다 애플리케이션에서 고정밀 레이저를 가능하게 한다. 또한 0.8mm x 1.2mm에 불과한 소형화된 WCSP(wafer-level chip-scale) 패키지를 적용함으로써 게이트 루프 기생성 및 손실을 최소화하여 효율성을 더욱 높여준다. LMG1210은 50MHz 하프브리지 드라이버 제품은 최대 200V의 GaN FET과 함께 사용하기에 적합하도록 설계되었다. 이 제품은 조절 가능한 데드 타임 제어 기능을 포함하여 고속 DC/DC 컨
[첨단 헬로티] 반도체 전문기업 KEC(대표이사 황창섭)가 산업통상자원부에서 시행하는 소재부품산업 미래성장동력인 ‘전기자동차 및 신재생 에너지용 1200V급 Trench형 SIC MOSFET 소자 개발’ 국책 과제 주관사로 선정되었다고 1일 밝혔다. 이번 국책 과제는 소재부품 산업의 미래성장동력 분야 국산화를 통해 글로벌 국가 경쟁력을 확보하고, 4차 산업혁명을 주도할 친환경 자동차 및 신재생 에너지 산업에 필수적인 차세대 전력반도체(SIC) 개발 및 상용화에 그 목적을 두고 있다. 특히 차세대 전력반도체는 국가적 핵심 사업 분야인 만큼 실용화 가능성이 높은 기관을 선정한 것으로 알려졌다. KEC는 이번 국책 사업을 통해 우수한 물성적 특성을 갖는 차세대 반도체 소재인 SiC를 이용해 고온, 고속, 고출력을 다루는 부품의 경량화 및 고효율화로 전기자동차, 친환경 재생 에너지 산업 분야에 필수적인 에너지 절감과 안정성을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 또한 현재 전량 수입에 의존하는 SIC전력반도체의 국산화로 차세대 반도체 소자 분야의 국가적 경쟁력을 확보하고, 시장 확대가 예상되는 전기자동차 및 친환경 에너지 산업 시장의 선점을
전력 반도체의 다양한 변화 속에서 ‘센서’ 주목 전원 전자공학을 통합한 전자공학 애플리케이션이 증가하고 있다는 것은 자명한 사실이다. 전력 반도체 시장은 계속 성장할 것이며 다양한 시장 전반에서 더 많이 등장할 것이다. 본지는 전자분야 전문지인 Electronic Design에 실린 2017년 전력 및 아날로그 전망 내용을 요약해봤다. 전원 모듈 및 레퍼런스 설계 디자이너들은 설계 속도 증가 및 공간 최적화를 위해 더 작고, 사용하기 쉬운 전력 모듈에 의존한다. 2017년 전력 모듈 산업에 어떤 트렌드가 영향을 미칠까? 전력 모듈에서 사용하는 반도체 및 패키징 기술은 상당 수준 발전했으며 해당 업계는 보다 고밀도, 저비용의 편리한 모듈을 개발하고 있다. 패키징 기술은 이산 설계와 비교할 때 그 크기는 작아지고 열적으로 보다 나은 성능을 갖게 되었다. 예를 들어, 기존의 대형 오픈 프레임으로 구성된 납 패키징이 작은 크기의 표면 장착형, 그리고 몰딩을 사용한 솔루션으로 발전하고 있다. 집적 인덕터(integrated inductor)가 장착된 TI의 TPS82130 3-A 17-V 스텝다운 컨버터 모듈(step-down converter
[헬로티] 텍트로닉스가 키슬리 S540 전력 반도체 테스트 시스템을 발표했다. 키슬리 S540 전력 반도체 테스트 시스템은 최대 3kV의 전력 반도체 소자 및 반도체 구조의 웨이퍼 수준 테스트를 위한 완전 자동 48핀 파라미터 테스트 시스템이다. S540은 SiC(탄화 규소) 및 GaN(질화 갈륨)을 포함한 최신 화합물 전력 반도체 재료용으로 최적화돼 있으며, 고전압, 저전압 및 커패시턴스 테스트를 한번의 프로브 터치로 측정할 수 있다. 전력 반도체 소자에 대한 수요가 계속 증가하고 SiC와 GaN의 상용화가 확산됨에 따라 제조업체들은 수율을 최적화하고 수익성을 개선하기 위해 양산 공정에 웨이퍼 수준 테스트를 도입하고 있다. 이러한 애플리케이션을 위해 S540은 테스트 시간과 테스트 설정 시간, 점유 공간을 최소화함으로써 소유 비용을 낮추는 동시에 실험실 등급의 고전압 측정 성능까지 제공한다. 텍트로닉스 키슬리 제품군의 총 책임자인 마이크 플래어티(Mike Flaherty)는 “많은 제조 시설이 전력 반도체 테스트를 위해 맞춤형으로 제작된 하이브리드 테스트 시스템을 사용 중인데 이 경우 저전압에서 고전압 테스트로 전환할 때 수동으로 테스트 설정을
한국내쇼날인스트루먼트는 오는 1월 27일부터 29일까지 서울 코엑스(COEX)에서 개최되는 ‘SEMICON KOREA 2016’에 참가해 테스트 비용을 절감할 수 있는 반도체 개발·검증·테스트·양산 통합 솔루션과 데모를 선보인다고 밝혔다. 한국NI는 R&D 레벨에서의 반도체 테스트(Characterization Test)에서 부터 양산용 반도체 테스트(Production Test)에 이르기까지 반도체 테스트 전반에 걸친 솔루션을 이번 세미콘 코리아 2016에서 선보일 예정이다. 특히, 반도체 테스트 비용을 절감할 수 있는 솔루션 중 하나인 NI STS(Semiconductor Test System)는 반도체 양산 환경에서 사용할 수 있으며 기존의 대형 ATE 보다 작은 작업 공간에서 사용 가능하며 전력 소모량과 유지보수 노력이 줄어들기 때문에 테스트 비용을 절약할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 비용 최적화된 고성능 테스트가 가능하기에 최근 이슈가 많은 RF 파워 앰프(RF Power Amplifier), 전력 반도체(PMIC, DC-DC 컨버터)등과 같은 RF/아날로그 중심 반도체의 RF
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