일반뉴스 UNIST , 낮은 전하이동도 극복한 ‘유기반도체’ 기술 연구 발표

[헬로티] 롤러블 디스플레이&웨어러블 전자기기에 적용 가능할 것으로 기대 ▲이번 연구의 책임자인 (왼쪽부터) 노혁준 연구원과 자비드 마흐무드 박사 . 유기반도체의 전하이동도를 역대 최고 수치로 끌어올린 연구가 나왔다. 롤러블 디스플레이나 웨어러블 전자기기에 적합한 전자재료인 유기반도체는 지금까지 낮은 전하이동도(mobility)를 극복하지 못하며 기술 상용화에 한계를 드러내 왔지만 이번 연구가 돌파구가 될 수 있을 전망이다. UNIST 에너지화학공학과의 백종범 교수팀은 방향족 고리화 반응을 통해 ‘C5N 2차원 유기 고분자 구조체’를 합성하는데 성공했다. 이 유기 고분자 구조체를 얇은 필름 형태로 만들어 반도체 트랜지스터 소자에 썼을 경우 전하이동도가 수십 배 이상 빨라졌다. 또 이 구조체에 염화수소를 도핑하면 전기전도도(conductivity) 또한 크게 높아져 전도성 물질로도 쓸 수 있다. 연구팀은 두 종류의 화학물질 HAB(hexaaminobenzen, 헥사아미노벤젠)와 PTK(pyrenetetraketone, 파이렌에트라케톤)을 반응시켜 C5N 구조체를 얻었다. 이 구조체는 탄소로만 6각 고리를 이루는 그래핀과 달리 2차원

• 이동재 기자
• 2021-01-25 14:19