헬로티 서재창 기자 |

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 시스템 전력 손실을 최소화하기 위해 주요 파라미터를 개선하는 새로운 슈퍼 정션 STPOWER MDmesh K6 시리즈를 출시했다.

이 시리즈는 LED 드라이버 및 HID 램프와 어댑터는 물론, 평면 디스플레이용 전원공급장치와 같은 플라이백 토폴로지 기반의 조명 애플리케이션에 특히 적합하다. 

ST는 800V STPOWER MDmesh K6 시리즈로 동급 최고 성능과 사용 편의성을 결합한 슈퍼-정션 기술을 소개했다. MDmesh K6는 현재 시중에 공급되는 800V 제품 중 최상의 단위 면적당 RDS(on) 값을 제공하며, 높은 전력밀도와 효율성을 모두 갖춰 소형 설계를 지원한다. 

K6 시리즈는 이전 세대 MDmesh K5에 비해 임계 전압이 감소됐으며, 이를 통해 구동 전압을 낮추고 전력 손실을 줄여 주로 제로-와트 대기모드 기반 애플리케이션의 효율을 향상시켜준다.

총 게이트 전하(Qg)도 매우 낮기에 빠른 스위칭 속도를 가지며 손실을 줄인다. 통합된 ESD 보호 다이오드는 MOSFET의 전반적인 안정성을 HBM 클래스 2(Human Body Model Class 2)까지 높여준다. 

루카 콜롬보(Luca Colombo) TCI CTO 겸 R&D 매니저는 “TCI는 새로운 슈퍼 정션 초고전압 MDmesh K6 시리즈의 샘플 테스트와 평가를 마쳤으며, 그 탁월한 단위 면적당 Rdson 값과 총 게이트 전하 성능 특성에 깊은 인상을 받았다”고 밝혔다. 

TO-220 스루홀 패키지 기반의 STP80N240K6는 MDmesh K6 시리즈 중 최초로 양산 중인 MOSFET으로, 샘플은 ST eSTore에서 무료로 제공되고 있다. DPAK 및 TO-220FP 패키지는 2022년 1월에 양산될 예정이다. 

2022년까지 모든 MDmesh K6 포트폴리오 제품이 출시될 예정이며, 0.22Ω에서 4.5Ω에 이르는 넓은 범위의 RDS(on)과 SMD 및 스루홀 등 다양한 패키지 옵션으로 공급된다.