헬로티 서재창 기자 |

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 스웨덴 노르셰핑(Norrköping)에 위치한 자사 시설에서 차세대 전력 디바이스로 프로토타입의 200mm(8인치) 실리콘 카바이드 벌크 웨이퍼를 생산했다. 

200mm SiC 웨이퍼로의 전환은 자동차 및 산업용 분야의 ST 고객 프로그램을 위한 생산력의 증대에 중요한 이정표를 수립했다는 평가를 받는다. 이에 ST는 총 소유비용을 낮춰 가볍고 효율적인 전력전자 장치를 구현해주는 혁신적 반도체 기술 주도권을 강화할 계획이다. 

ST의 200mm SiC 웨이퍼는 수율에 미치는 영향과 크리스탈-전위 결함이 최소화돼 품질이 매우 우수하다. 웨이퍼의 낮은 불량율은 ST 실리콘 카바이드가 개발한 SiC 잉곳 성장 기술의 탁월한 노하우와 전문성을 바탕으로 달성됐다. 

200mm SiC 기판으로 이행하려면 품질 문제의 해결 외에도 제조 장비와 전반적인 지원 에코시스템 성능이 한 단계 더 발전해야 한다. ST는 전체 공급망을 포괄하는 기술 파트너들과 협력해 자체 200mm SiC 제조 장비 및 공정 기술을 개발하는 중이다. 

ST는 현재 카타니아(이탈리아)와 앙모키오(싱가포르) 팹에 있는 두 개의 150mm 웨이퍼 라인에서 최첨단 STPOWER SiC 제품을 양산하고 있으며, 심천(중국)의 백엔드 공장에서 조립 및 테스트를 진행하고 있다. 

이번 이정표는 보다 발전되고 비용 효율적인 200mm SiC 양산 체제로 이행하기 위해 ST가 세운 계획의 일환으로 이뤄졌다. 이러한 전환 과정은 새로운 SiC 기판 시설을 구축하고, 2024년까지 내부적으로 40% 이상의 SiC 기판을 공급한다는 지속적인 계획에 속한다. 

마르코 몬티(Marco Monti) ST 자동차 및 디스크리트 그룹 사장은 “200mm SiC 웨이퍼로의 이행은 시스템 및 전기화 전환을 가속화하는 자동차 및 산업용 분야 고객에게 상당한 이점을 제공하게 된다”고 밝혔다. 

이어 그는 “제품 생산량이 늘어날수록 규모의 경제를 달성하는 것이 중요하다. 고품질 SiC 기판에서 대규모 프론트엔드 및 백엔드 생산에 이르기까지 제조 체인 전반에 걸쳐 SiC 에코시스템 내부에 강력한 노하우를 구축함으로써, 유연성을 높이고 웨이퍼의 수율과 품질 개선을 보다 효과적으로 제어한다”고 밝혔다.