차세대 소자 구현하는 첨단 유전체 갭필 기술 개발

[헬로티 = 김동원 기자] 램리서치가 고종횡비(high-aspect-ratio) 칩 구조 제조의 새로운 가공 솔루션인 첨단 ‘스트라이커(Striker)FE’ 플랫폼을 22일 발표했다.

스트라이커FE는 3차원(3D) 낸드, D램, 로직 소자의 새로운 노드에 필요한 극한 구조를 충진(filling)하기 위한 ‘ICEFill’ 기술을 사용한다.

반도체 산업 로드맵을 충족하는 데 필요한 지속적인 비용과 기술혁신 과제를 이 시스템으로 해결할 수 있다.

그동안 반도체 제조에서 사용해온 갭필(gapfill) 방식에는 기존 화학기상증착(chemical vapor deposition), 확산/퍼니스(diffusion/furnace), 스핀온(spin-on) 공정이 있다. 이 기술은 막질, 수축(shrinkage), 갭필 보이드(void) 간 상충하는 제한을 받기 때문에 현재의 3차원 낸드 요건을 더 이상 충족하지 못한다고 지적받아 왔다.

반면 램리서치의 플랫폼은 독점 표면 개질 기법을 사용해 보이드 없는 선택적 상향식(bottom-up) 갭필을 구현하면서 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 고유의 막질을 유지할 수 있다.

▲ 램리서치가 고종횡비 칩 구조 제조의 새로운 가공 솔루션 첨단 ‘스트라이커FE’ 플랫폼을 선보였다. (사진 : 램리서치)

ICEFill 기술은 특히 3차원 낸드 소자의 많은 고종횡비 피처(feature) 충진 제한요소를 없애는 것은 물론 DRAM과 로직 소자의 쓰러짐(collapse) 문제도 방지할 수 있다.
 
세사 바라다라얀(Sesha Varadarajan) 램리서치 증착 사업부장은 “우리의 목표는 최고의 실현 가능한 ALD 기술을 고객에게 제공하는 것”이라며 “이 기술을 사용하면 단일 공정 시스템에서 뛰어난 갭필 성능을 가진 양질의 산화막을 생산하면서 업계 선두의 쿼드 스테이션 모듈 구조가 주는 생산성 이점도 누릴 수 있다”고 말했다.