[첨단 헬로티]

인피니언 테크놀로지스는 자사의 SOI 기술을 기반으로 한 새로운 하프 브리지 650V EiceDRIVER 제품을 출시한다고 밝혔다. 

2ED2304S06F는 네거티브 VS 트랜션트 내성이 뛰어나고, 부트스트랩 다이오드를 모노리딕 방식으로 통합했으며, 래치업 내성이 뛰어나다. 여기에 고주파 스위칭을 결합하여 시스템 견고성과 신뢰성을 높이고 크기를 소형화하고 BOM 비용을 낮출 수 있다. 이 하프 브리지 게이트 드라이버는 대형 및 소형 가전기기, 저전력 드라이브, 1kW 미만의 범용 인버터형 모터 드라이브 애플리케이션에 적합하다.

EiceDRIVER 2ED 제품은 각각 360mA, 700mA의 소싱 및 싱크 전류를 지원하며, 전달 지연시간은 310ns 및 300ns이다. 최대 650V 정격의 IGBT 및 MOSFET 스위치와 완벽한 조합을 이룬다. 또한 내장된 부트스트랩 다이오드는 36옴의 정격 온저항에서 매우 빠른 역회복 특성을 제공한다. -100V 의 반복적인 펄스에 대한 네거티브 트랜션트 내성은 매우 강건하고 신뢰할 수 있는 모터 동작을 보장한다. 또한 보호기능으로서 상하측 전원에 대한 독립적인 저전압 록아웃(UVLO) 기능을 추가로 제공한다.

전기적 및 기능적으로 이 하프브리지 게이트 드라이버는 이전 세대 제품인 IR2304SPBF와 IRS2304SPBF를 바로 대체할 수 있다. EiceDRIVER 2ED는 산업표준 DSO-8(SOIC8) 패키지로 제공된다.