[첨단 헤로티]

삼성전자는 2018년 5월 22일 미국 Santa Clara 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2018(Samsung Foundry Forum 2018)'을 개최하고 파운드리 사업전략과 첨단 공정 로드맵, 응용처별 솔루션에 대해 발표했다.

‘삼성 파운드리 포럼 2018’은 팹리스 업계 고객사, 파트너사, 애널리스트 등 약 500명이 참석한 가운데 진행됐으며, 매년 확장되는 파운드리 시장 규모와 차별화된 기술력을 바탕으로 향후 파운드리 사업의 비전을 제시했다.

또한 주력 양산 공정인 14/10나노 공정, EUV를 활용한 7/5/4나노 공정에서 새롭게 3나노 공정까지의 로드맵을 공개하며, 향후 광범위한 첨단 공정 개발과 설계 인프라, SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)의 지속 확장에 대해 발표했다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장

7LPP(7나노 Low Power Plus)은 EUV 장비를 적용한 최초 로직 공정이며, 2018년 하반기 시험생산해 2019년 상반기 생산 목표로 개발 중이다. 5LPE(5나노 Low Power Early)은 스마트 스케일링(Smart Scaling)으로 7나노 대비 면적과 소비전력을 축소시킬 계획이다. 4LPE/LPP(4나노 Low Power Early/Plus)은 FinFET 을 적용한 마지막 공정이며, 5나노에서 이지 마이그레이션(Easy migration)을 지원한다. 마지막으로 3GAAE/GAAP(3나노 Gate-All-Around Early / Plus)은 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM을 최초로 적용해 게이트 컨트롤 개선으로 성능을 대폭 향상시킨 기술이다.

삼성전자 파운드리 사업부 전략마케팅팀장 배영창 부사장은 “지난 한 해, EUV 공정을 적용한 포트폴리오를 강화하는데 주력해왔다”, “향후 GAA(Gate-All-Around)구조를 차세대 공정에 적용함으로써 단순히 기술 리더십을 선도할 뿐 아니라 좀 더 스마트하며 기기 간의 연결성을 강화한 새로운 시대를 열어갈 수 있으리라 기대한다”고 말했다.

‘삼성 파운드리 포럼 2018’은 이번 미국 포럼을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 한국 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨으로 이어질 예정이다.

EUV 시설 구축한 삼성전자 화성 반도체 공장