[첨단 헬로티]

후지쯔 일렉트로닉스가  비휘발성 메모리 F램(Ferroelectric Random Access Memory: FRAM) 2세대 제품을 공개했다.

이번에 공개된 MB85RS128TY F램은 낮은 저장 밀도와 관련핸 고객들의 요구에 대응하는 제품으로 맞춤형 솔루션을 제공하기 위한 후지쯔 일렉트로닉스의 전략을 반영하고 있다.

MB85RS128TY는 128킬로비트 용량에 섭씨 -40도에서 125도 사이에서 동작할 수 있다.

후지쯔는 99년부터 시장에 F램 기술을 제공해왔다. 

F램은 빠른 랜덤 액세스, 높은 수준의 읽기 쓰기,  저전력 소비 등이 특징이다. 이같은 특징은 로그 데이터를 신뢰할 수 있는 방법으로 바로 저장할 수 있게 해준다. 고객 측면에선 시스템 아키텍처를 간소화할 수 있다.

F램은 다양한 산업 분야에서 폭넓게 활용되고 있다. 후지쯔는 새 제품과 함께 자동차와 산업 자동화 분야를 정조준하는 모습이다.

/황치규 기자(delight@hellot.net)