[첨단 헬로티]

삼성전자와 IBM은 지난해 7월 낸드 플래시보다 10만배 빠른  비휘발성 램인 M램(magnetoresistive RAM)을 위한 새 제조 공정을 개발했다고 밝혔다.

M램은 STT(spin-transfer torque) 기술을 사용해 생산될 예정이다.  모바일 기기, 웨어러블, 사물인터넷(IoT)용 저용량 메모리칩이 될 것으로 전해졌다. 이들 기기는 현재 데이터를 저장하기 위해 낸드 플래시 메모리에 의존하고 있다.

STT M램은 정보를 저장할 때 전력을 많이 소비하지 않는 애플리케이션에서 사용될 수 있다. 

25일(현지시간) 페이턴틀리애플 보도에 따르면 삼성전자는 M램을 5월 24일 열리는 파운드리 포럼 행사에서 공개할 예정이다. 삼성 전문 뉴스 사이트 샘모바일도 페이턴틀리애플을 인용해 관련 내용을 전했다.

삼성전자는 파운드리 포럼에서 M램 제조 공정에 대해 구체적인 내용을 공개할 것으로 알려졌다.

삼성전자 LSI 사업 부서는 M램을 내장한 시스템온칩(SoC) 시제품을 개발한 것으로 전해졌다. 이 제품 역시 다음달 행사에서 공개될 예정이다.

/황치규 기자(delight@hellot.net)