[헬로티]

고성능 센서 및 아날로그 IC 전문 기업 ams(한국지사 대표 이종덕)가 고성능 아날로그 초저잡음 CMOS 공정기술인 'A30'을 발표했다. 

A30 기술은 절연 3.3V 디바이스(NMOSI 및 PMOSI), 절연 3.3V의 낮은 문턱전압(Vt) 디바이스(NMOSIL 및 PMOSIL), 얇은 게이트 산화막을 갖는 절연 고전압 디바이스(NMOSI20T), 수직 양극성 트랜지스터(VERTN1 및 VERTPH)는 물론, 0.46pA/ÖHz(1kHz, Ids=1µA Vds=3V, 10x1.2µm² 조건)의 수준에서 플리커 잡음을 제공하는 절연 3.3V 초저전압 트랜지스터 (NMOSISLN)에 최적화된 성능을 제공하는 것이 특징이다.

H35 공정과 비교할 때, 새로운 공정 기술은 높은 드레인 전류에 대해 플리커 잡음을 최소 4~10배 줄일 수 있다. 이러한 특성 덕분에 A30 공정은 다양한 커패시터(폴리, 샌드위치 및 MOS 가변용량 반도체 다이오드(varactor))와 저항(디퓨전, 웰 기반(well-based), 폴리, 높은 저항성 폴리 및 정밀) 같은 수동 소자들에 적합하다.

ams 관계자는 "A30 공정은 입력단에 최적화된 잡음이나 높은 신호대잡음비(SNR)를 요구하는 초저잡음 센싱 애플리케이션 및 아날로그 판독 IC에 적합하며, 소비자가전, 자동차, 의료 및 사물인터넷(IoT) 디바이스를 위한 혁신적인 솔루션 개발을 가능하게 해준다. A30 공정은 매우 낮은 결함 밀도와 높은 수율을 보장하는 ams의 최첨단 200mm 팹 설비에서의 제조가능성에 대한 검증을 완벽하게 마쳤다.  0.30µm 공정의 모든 요소들은 0.35µm 디바이스를 이용해 추출 및 검증됐다. 광학적 축소(0.9배)는 완성된 GDSII 데이터를 가지고 마스크 숍에서 이뤄졌으며, 그 결과 각각 더 작아진 다이 크기 덕분에 웨이퍼당 더 많은 다이 생산이 가능해졌다"고 설명했다. 

ams 풀 서비스 파운드리 사업부의 마커스 우체(Markus Wuchse) 제너럴 매니저는 “새로운 A30 고성능 아날로그 저전압 공정 기술은 뛰어난 저잡음 성능이 핵심인 센싱 애플리케이션 및 아날로그 판독 IC 분야에서 경쟁력 있는 제품을 개발할 수 있게 한다”며, “파운드리 고객이 자신들의 복잡한 IC에 A30 공정을 이용하면 혜택을 2배로 누릴 수 있다. 즉, 업계 벤치마크 기준이 되는 뛰어난 플리커 잡음 특성을 가진 ams의 수퍼 저잡음 트랜지스터는 성능을 향상시킬 뿐만 아니라, 광학적 축소로 인해 잡음에 민감한 애플리케이션의 다이 면적을 현저히 줄인다”고 말했다.

김진희 기자 (eled@hellot.net)