[헬로티]

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 최신 STripFET F7기술 기반 자동차 등급 40V MOSFET 신제품 2종을 출시했다.

ST에 따르면, STripFET 제품군은 DeepGATE 기술을 사용해 다이 면적당 낮은 온저항(RDS(on)) 및 낮은 RDS(on) x 게이트 전하(Qg)를 달성해 비슷한 전력 패키지에서도 에너지 효율을 제공한다.

또한, STripFET F7은 스위칭 성능을 향상시키고, 바디-다이오드의 역회복 전하(Qrr) 및 역회복 시간(trr)을 줄이는 방식으로 에너지 효율성을 높여준다. 그리고 소프트 회복(Soft Recovery)으로 EMI를 최소화하기 때문에 필터링 부품의 필요성을 줄여준다.

뿐만 아니라 최적화된 디바이스 커패시턴스는 노이즈 면역성을 향상시키고 스너버 회로의 필요성을 줄여주며 임계-전압 조정으로 전용 게이트 드라이버를 사용하지 않고도 턴온 오류 면역성을 유지할 수 있다. 모터 드라이브와 같은 브리지 회로의 경우, 소프트 다이오드 회복을 통해 슛-스루(shoot-through) 전류를 방지할 수 있어 안정성이 향상된다.

회사 관계자는 "이 MOSFET은 탁월한 스위칭 성능과 에너지 효율은 물론 노이즈 방출이 낮고 턴온(turn-on) 오류도 큰 폭으로 줄일 수 있다. 최고 120A의 전류 등급을 갖춘 제품들로 고전류 파워트레인, 차체, 섀시, 안전 시스템과 같은 주요 애플리케이션에 적합한 한편, 고유의 스위칭 특성을 보면 EPS(Electric Power Steering)와 같은 모터 드라이브에도 사용할 수 있다"고 설명했다. 

김진희 기자 (eled@hellot.net)