[헬로티]

페어차일드가 차세대 MOSFET인 650V N-채널 MOSFET의 SuperFET III 제품군을 출시했다.

회사에 따르면, 이 제품군은 최근 통신, 서버, 전기 자동차(EV) 충전기 및 태양광 제품에서 요구하는 보다 높은 전력 밀도, 시스템 효율성 및 신뢰성을 충족시킨다.

이 제품은 SuperFET III MOSFET 제품군은 신뢰성, 낮은 EMI, 효율성 및 우수한 열 성능을 갖추고 있어 고성능 응용 분야를 위한 적합하다. 성능 특성을 보완한 광범위한 패키지 옵션 덕분에 제품 디자이너가 특히 크기와 제약 조건이 지정된 설계에서 유연성을 제공할 수 있다.

페어차일드 고전력 산업 부문의 총 책임자인 Jin Zhao 부사장은 “새로운 SuperFET III MOSFET을 설계하면서 고객이 주요 제품 목표를 달성하는 데도 도움을 주기 위해 장치가 BOM 비용 감소, 보드 공간 축소, 제품 설계 간소화 등도 가능하도록 했다”고 말했다.

SuperFET III의 견고성과 신뢰성의 핵심 요소는 바디 다이오드, 단일 펄스 애발런치 에너지(EAS) 성능이다. 

회사 관계자는 "650V SuperFET III가 꺼져 있는 동안에는, 보다 낮은 피크 드레인 소스 전압이 저온 작동 시 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 왜냐하면 일반적으로 실온에 비해 -25℃의 접합 온도에서는 항복 전압이 5%까지 자연스럽게 떨어지고 드레인 소스 피크전압이 저온에서 더 높아지기 때문이다"라고 설명했다.

김진희 기자 (eled@hellot.net)