로옴, 1700V 내압 SiC-MOSFET 'SCT2H12NZ' 개발

2016.08.30 22:39:43

[헬로티]

로옴(ROHM)는 최근 고전압으로 동작하는 범용 인버터 및 제조 장치 등 산업기기용으로 1700V 내압의 SiC-MOSFET 'SCT2H12NZ'를 개발했다.


SCT2H12NZ는 산업기기의 보조 전원에 필요한 고내압 ㆍ 저전류 특성에 적합한 SiC-MOSFET이다. 로옴 관계자는 "일반적으로 사용되는 Si-MOSFET에 비해 도통 손실을 1/8로 저감해 기기의 저전력화에 기여한다"며, "SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 'BD7682FJ-LB'를 함께 사용하면 신제품의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있으므로, 최대 6%의 극적인 고효율화와 대폭적인 손실 저감을 통해 주변 부품의 소형화를 실현할 수 있다"고 설명했다.


로옴 측은, 2016년 4월부터 'SCT2H12NZ'과 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC 'BD7682FJ-LB', 이 두 제품을 실장한 평가 보드 'BD7682FJ-LB-EVK-402'의 인터넷 판매를 개시해 Chip1Stop, Mouser, Digi-Key, element14 등에서 구입이 가능하다고 밝혔다.

 

 

 

최근 에너지 절약에 대한 의식이 높아짐에 따라 범용 인버터 및 제조 장치 등 산업기기에 있어서 저전력화를 실현하는 파워 반도체가 채용되고 있다. 이러한 산업기기에는 메인 전원 회로 뿐만 아니라, 제어 IC 및 각종 시스템 구동용으로 전원전압을 공급하는 보조 전원이 내장되는 경우가 많으며, 이러한 보조 전원에는 내압 1000V 이상의 Si-MOSFET가 널리 채용되고 있다.

 

그러나, 내압 1000V 이상의 Si-MOSFET는 큰 도통 손실로 인해 발열도 커지므로, 주변 부품수 및 실장 면적에 과제가 있어 기기의 소형화에 제약이 있었다. 로옴은 이번 제품 출시를 통해 이러한 문제를 해결할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

 

김진희 기자 (eled@hellot.net)


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