[헬로티]

반도체 장비 업체인 램리서치가 불소 함량이 낮은 텅스텐 필름 증착을 위한  ‘ALTUS’제품군의 최신 버전인 원자층증착(ALD) 공정을 선보였다.

제조업체들이 3D NAND의 메모리 셀 층 개수를 증가시킴에 따라, 워드라인(word line) 주입 애플리케이션 내 텅스텐 증착에 두 가지 문제가 드러났다. 우선, 텅스텐 필름 막에서 유전체로의 불소 확산이 물리적 결함을 야기할 수 있다는 지적이다.

또한, 48쌍보다 많은 디바이스에서 누적된 높은 스트레스는 과도한 전력의 휘어짐을 초래할 수 있다. 이러한 결함과 스트레스는 수율 손실 뿐만 아니라, 전기적 성능 및 디바이스의 신뢰성을 떨어트릴 수 있다.

고급 3D NAND 디바이스에 사용되는 텅스텐 필름은 불소 및 고유의 스트레스를 최소화해야 한다. 더욱이 임계치수(Critical Dimensions, CD)가 줄어듦에 따라 매복된 워드라인(word line)의 DRAM과 로직 디바이스 내의 메탈 게이트∙메탈 컨택트에 대한 저항을 줄이는 것이 어려워졌다.

램리서치에 따르면, ALTUS Max E 시리즈는 저 불소 텅스텐(LFW) 원자층증착(ALD) 공정으로서, 메모리 칩 메이커들의 핵심 과제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 3D NAND와 DRAM 디바이스의 지속적인 확장을 가능하게 한다.

LFW ALD 기술을 겸비한 ‘ALTUS Max E 시리즈’는 램리서치의 PNL(Pulsed Nucleation Layer) 기술을 이용하는 고유의 ALD 증착 공정을 제공한다. 이는 텅스텐 ALD 기술에 있어 지난 15년간 1,000개 이상의 모듈을 생산하며 쌓아온 리더십이자 산업 표준이다.

램리서치의 최고운영책임자(COO) 팀 아처(Tim Archer)는 “램리서치는 최신 ‘ALTUS Max E 시리즈’를 통해 메모리 포트폴리오를 확대하고 고객들이 차세대 산업 성장동력에 투자할 수 있도록 한다. 3D NAND의 활용이 가속화돼 온 지난 1년간 램리서치 또한 3D NAND가 제공되는 시장에서 증착 및 식각 장비 설치를 늘려가며 출하량을 두 배로 늘려왔다”고 말했다.

김진희 기자 (eled@hellot.net)