TI, 1.2mm2 FemtoFET 60V N-채널 전력 MOSFET 출시...전력 손실 낮춰줘

2016.07.13 17:55:19

기존의 60V 부하 스위치 보다 80% 작아진 극소형 LGA 패키지

 

TI(대표이사 켄트 전)는 최저 저항을 달성하는 새로운 60V N 채널 FemtoFET 전력 트랜지스터 제품을 출시한다고 밝혔다.

 

TI에 따르면, 신제품 CSD18541F5은 기존의 60V 부하 스위치보다 90% 낮은 저항을 달성함으로써 최종 시스템의 전력 손실을 줄여준다. 또한, 극소형의 1.53mm x 0.77mm 실리콘 기반 패키지로 제공되어, SOT-23 패키지로 제공되는 부하 스위치와 비교해서 풋프린트가 80% 절감된 크기다.

 

 

CSD18541F5 MOSFET은 54mW의 정격 온-저항(Rdson)을 유지하며, 공간 제약적인 산업용 부하 스위치 애플리케이션에서 표준적 소신호 MOSFET을 대체하도록 설계 및 최적화됐다. 또한, 소형화된 LGA(land grid array) 패키지로 패드 간에 0.5mm 피치이므로 제조 시에 탑재가 수월하다.
 
뿐만 아니라 CSD18541F5은 TI NexFET 기술 포트폴리오의 FemtoFET MOSFET 제품군의 신제품으로써 더 높은 전압을 제공하고 제조를 용이하게 한다.
 
김진희 기자 (eled@hellot.net)


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