페어차일드가 오늘 APEC 2016에서 자사의 최신 세대 100V N-Channel Power MOSFET의 주력 상품인 FDMS86181 100V 차폐 게이트 PowerTrench MOSFET을 출시했다. 

FDMS86181은 페어차일드의 차세대 PowerTrench MOSFET 중에서 성능이 뛰어나다는 게 회사측의 설명이다. 또 전압 발진 현상이 감소했으며 전자파 장애(EMI) 정도가 낮아져 전력 공급 장치, 모터 드라이브 및 100V MOSFET이 필요한 기타 응용 분야에서 사용 가능하다.

페어차일드의 한 개발 관계자는 Rdson이 40% 줄어 전도 손실이 감소하고, 게이트 전하(Qg)가 최소화되어 전환 손실을 감소시켰다고 말했다. 

FDMS86181의 이례적으로 낮은 Qrr은 실질적으로 발진 현상을 일으키는 전압 과장을 제거하여 제품 설계 시 스너버의 축소 또는 제거가 가능하도록 하면서 EMI를 줄여준다.  

FDMS86181의 이 고유한 이점을 통해 설계자들은 제품 크기와 자재 명세서(BOM) 비용을 모두 줄일 수 있다.

임재덕 기자 (eled@hellot.net)