ams의 풀서비스파운드리 사업부는 업계 선도적인 0.35µm 고전압 CMOS 전용 공정 플랫폼의 활용을 더욱 확장한다고 발표했다. 고전압 공정 전문기술력으로 제공되는 진보된 “H35” 프로세스는 획기적으로 면적을 축소하고 성능을 향상시킨 전압 확장 가능한 트랜지스터 세트를 포함한다.

새로운 전압 확장 가능한 고전압 NMOS 및 PMOS 트랜지스터 디바이스들은 20V~100V의 다양한 드레인 소스 전압 레벨(VDS)에 최적화 되어 있으며 매우 낮은 온저항을 제공해 면적 축소의 결과를 제공한다. 50V의 고정형 트랜지스터 대신 전력 관리 애플리케이션에서 최적화된 30V NMOS 트랜지스터를 사용하여 약 50%까지 면적을 축소시켰다. 

60V로 최적화된 NMOS 디바이스는 120V NMOS 표준 트랜지스터와 비교할 경우 면적이 22% 더 축소된다. 대형 드라이버와 스위칭 IC처럼 복잡한 고전압 아날로그/혼성 신호 애플리케이션을 개발하는 파운드리 고객사들은 웨이퍼 당 더 많은 다이를 생산할 수 있는 이점을 누릴 수 있다.

면적에 최적화된 디바이스는 자동차, 의료, 산업 분야 제품에서 사용되는 MEMS 드라이버, 모터 드라이버, 스위치 및 전력 관리 IC들과 같은 다양한 범위의 애플리케이션에서 이상적으로 사용할 수 있다. ams의 풀서비스파운드리 사업부는 전 세계 파운드리 업체 중 파운드리 고객사에게 진정한 전압 확장 가능한 트랜지스터를 공급하는 최초의 기업이다. 자동차(ISO/TS 16949) 및 의료(ISO 13485) 분야에서 완벽하게 인증 받은 ams는 고객사를 위해 최고 수준의 품질 요건을 지원한다.

ams의 풀서비스파운드리 사업부 마커스 우체(Markus Wuchse) 제너럴 매니저는 “전 세계 파운드리 가운데 전압 확장 가능한 디바이스를 최초로 제공하는 ams는 고전압 CMOS 전용 프로세스를 개발하고 뛰어난 제조 서비스를 제공할 수 있는 전문 기술력을 검증받았다”면서 “ams의 벤치마크 프로세스 디자인 킷인 힛킷(hitkit) 뿐 만 아니라 고전압 공정 전문기술력을 통해 고객사들은 면적과 온저항을 최적화할 수 있는 HV 집적회로(IC)를 구현할 수 있으며, 이는 웨이퍼당 더 많은 다이를 구현할 수 있다는 것을 의미한다”라고 말했다.

또 “이번에 발표된 고전압 공정 플랫폼의 확장은 ams가 추구하는 반도체 그 이상의 가치실현(More Than Silicon”) 포트폴리에 추가된 것이다. 이는 ams 가 기술 모듈, IP(intellectual property), 셀 라이브러리, 엔지니어링 컨설턴트 및 서비스를 모두 아우르는 통합 패키지를 제공한다는 점을 전제로 한다. 이를 통해 고객사들은 ams의 전문 기술력을 바탕으로 최첨단 아날로그 및 혼성신호 회로 설계를 성공적으로 개발할 수 있다”라고 덧붙였다.

디바이스 레이아웃 제너레이터(PCells), 시뮬레이션 모델, Calibre 및 Assura를 위한 검증 룰 데크 및 디자인 룰 및 프로세스 파라미터 자료 등의 문서자료를포함해 전압 확장 가능한 트랜지스터의 통합 세트는 ams의 보안이 강화된 파운드리 지원 서버를 통해 등록된 사용자만 다운로드하여 이용할 수 있다. 

임재덕 기자 (eled@hellot.net)