삼성전자가 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트 낸드보다 용량을 2배 향상시킨 256기가비트 3차원 V낸드’ 양산에 성공했다. 

이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는  3차원 셀(Cell)을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 ‘3세대(48단) V낸드 기술’이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다. 

256기가비트 V낸드는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트 용량의 메모리카드를 만들 수 있으며, 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라 SSD 대중화를 위한 최적의 솔루션을 제공한다. 

이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 셀(Cell)이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시키며, 각 셀(Cell)마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2,560억개의 데이터를 읽고 쓴다. 

특히 3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조와 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고, 소비 전력량을 30% 이상 줄였다. 

한편 삼성전자는 엔터프라이즈 및 데이터센터 시장을 더욱 빠르게 확대하기 위해 기존 2세대 32단 3비트 V낸드 기반의 대용량 SSD 모델을 글로벌 IT고객에게 공급한데 이어, 세계 각국의 현지 로컬 기업까지 공급을 확대 하는 등 용량과 성능을 높인 차세대 SSD 라인업을 지속적으로 출시할 예정이다. 

또한 2테라바이트 이상의 소비자용 대용량 SSD도 새롭게 출시해 SSD 시장점유율을 지속적으로 높여나갈 계획이다.

김연주 기자 (npnted@hellot.net)