EPC(Efficient Power Conversion)는 최근 부트스트랩 FET를 통합한 EPC2107(100V) 및 EPC2108(60V) eGaN® 하프 브리지 전력 IC를 출시했다. 이 디바이스는 유도 역 회복 손실을 위한 게이트 드라이브는 물론, 하이 사이드 클램프 요건을 제거할 수 있다. 부트스트랩 FET가 eGaN 전력 회로에 통합된 것은 이번이 처음이다.
공진형 무선 전력 전송 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 이 제품은 고효율 엔드-유저 시스템을 신속하게 디자인할 수 있으며, 무선 전력 전송 애플리케이션의 확산에 기여할 것으로 기대된다. 또한 이러한 GaN 전력 IC는 매우 작은 칩 스케일 패키지로 제공되기 때문에 전반적인 시스템 사이즈를 줄이는 데 도움이 된다. 새로운 제품군은 3개의 FET 대신 하나의 GaN 디바이스를 사용할 수 있어 전반적인 컴포넌트 수를 줄임으로써 비용 절감에도 기여할 수 있다.
무선 전력 전송 분야에는 여러 표준들이 존재하기는 하지만, A4WP 표준인 리젠스(RezenceTM)는 탁월한 기능과 성능을 최종 소비자들에게 제공한다. 예를 들어, 리젠스는 충전할 때 기기를 정확한 위치에 둘 필요가 없기 때문에 충전 시 공간에 대한 제약이 적다. 또한 전례없이 넓은 충전 범위를 제공하기 때문에 소비자들이 편리하게 기기를 충전할 수 있다. 더불어 이 표준은 각기 다른 전력 요건을 가진 여러 기기들을 동시에 충전할 수 있다. 리젠스 지원 무선 전력 시스템의 또 다른 주요 기능은 열쇠나 동전, 일상 가정도구에 적용하여 기기를 충전할 수도 있어, 자동차를 비롯한 소매점, 가정용 애플리케이션에 매우 이상적이다.
즉, 리젠스는 무선 충전을 확산시킬 수 있는 탁월한 유연성과 기능을 갖고 있으며, 2020년까지 156억 달러를 넘어설 정도로 빠른 성장세를 보일 것으로 예상된다.
EPC 질화 갈륨 디바이스는 무선 충전 마켓에서 중요한 역할을 수행하고 있으며, 2012년에 무선 전력 전송을 위한 최초의 eGaN FET를 출시한 바 있다. 또한 A4WP 리젠스 호환 전력 제품 설계와 더불어, EPC는 멀티-노드 동작 및 EMI 준수와 같은 무선 전력 시스템 디자인의 문제를 해결할 수 있는 ‘무선 전력 핸드북(Wireless Power Handbook)’을 발간했다.
두 개의 eGaN 전력 FET를 하나의 전력 IC로 통합함으로써 인터커넥트 인덕턴스 및 PCB 상에서 요구되는 삽입 공간을 제거할 수 있다. 이러한 단일 통합 전력 부품을 이용함으로써 효율(특히 고주파수에서) 및 전력 밀도를 모두 증대시킬 수 있으며, 무선 전력 시스템 디자이너가 구현하는 최종 제품의 어셈블리 비용을 절감할 수 있다.
이러한 디바이스는 사이즈를 줄일 수 있도록 1.35mm×1.35mm의 초소형 칩 스케일 패키지로 제공되며, 전력밀도를 높이는 열 성능 및 스위칭 속도가 향상되었다.
김희성 기자 (eled@hellot.net)
