온세미컨덕터가 방사선 방지 기능을 가진 ASIC(주문형 반도체) 시장 확대를 위해  ICs LLC사와 라이선싱 개발 분야에 협력한다.
이번 협력을 통해 선보이게 될 RHBD (Radiation Hardened By Design) ASIC의 설계와 생산은 온세미컨덕터의 ONC110 110nm 공정을 기반으로 한다.
이 칩의 방사선 테스트 결과, 100 MeV㎠/mg 이상의 ASIC뿐 아니라 더블비트 업셋 면역 40MeVcm2/mg 이상의 이중 포트 SRAM의 선형 에너지 전송량에 강력한 SEU(Single Event Upset)와 SEL(과전류로 인한 전자 기기의 파괴 현상) 내구성을 보였다. RHBD 플립 플롭 아키텍처는 SRL(자기 회복 논리)에 속한다.
SRL 플립플롭은 최고 700MHz의 주파수에서 방사선 노출 시에 강력한 회복력을 보여 준다. 이 새로운 RHBD IC는 우주 탐사·위성 통신·감시·항공 전자·무인 항공기·상업용 항공기·핵에너지·소립자 물리학 연구·군사 장비 등과 같은 애플리케이션에 적용될 수 있다.